「SELECTIVE ETCHING」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

SELECTIVE ETCHING OF TITANIUM NITRIDE BY USING XENON DIFLUORIDE例文帳に追加

二フッ化キセノンを用いた窒化チタンの選択的エッチング - 特許庁

SELECTIVE DRY ETCHING OF TANTALUM AND TANTALUM NITRIDE例文帳に追加

タンタル及び窒化タンタルの選択的ドライ・エッチング - 特許庁

SELECTIVE ETCHING AND FORMATION OF XENON DIFLUORIDE例文帳に追加

選択的エッチングおよび二フッ化キセノンの形成 - 特許庁

SELECTIVE ETCHING METHOD AND SILICON SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

選択エッチング方法及びシリコン単結晶基板 - 特許庁

METHOD OF SELECTIVE ETCHING USING ETCH STOP LAYER例文帳に追加

エッチング停止層（ｅｔｃｈｓｔｏｐｌａｙｅｒ）を使用する選択的エッチング法 - 特許庁

The substrate is melted later in selective etching.例文帳に追加

基板は後に選択的エッチングにおいて溶解させられる。 - 特許庁

SILICON OXIDE FILM SELECTIVE WET ETCHING SOLUTION例文帳に追加

シリコン酸化膜選択性湿式エッチング溶液 - 特許庁

SELECTIVE ETCHING METHOD AND DEVICE FOR SILICON SUBSTANCE例文帳に追加

シリコン系物質の選択エッチング方法および装置 - 特許庁

SELECTIVE ETCHING OF COMPOUND SEMICONDUCTOR, SELECTIVE ETCHING OF NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR, AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

化合物半導体の選択エッチング方法、窒化物系化合物半導体の選択エッチング方法、半導体装置および半導体装置の製造方法 - 特許庁

BARC ETCHING CONTAINING SELECTIVE ETCHING CHEMICALS AND HIGH POLYMERIC GAS FOR CONTROL OF CD例文帳に追加

選択性エッチング化学薬品及びＣＤ制御のための高重合性ガスを含むＢＡＲＣエッチング - 特許庁

ETCHING LIQUID, SELECTIVE ETCHING METHOD, AND METHOD FOR PRODUCING WIRING BOARD USING THE SAME例文帳に追加

エッチング液、選択的エッチング方法及びこれを用いた配線板の製造方法 - 特許庁

The separation process includes selective etching for selectively etching the Si substrate 1.例文帳に追加

上記切り離し工程は、Ｓｉ基板１を選択的にエッチングする選択エッチングを含んでいる。 - 特許庁

UNSATURATED OXYGENATION FLUOROCARBON FOR SELECTIVE ANISOTROPY ETCHING USE例文帳に追加

選択的異方性エッチ用途のための不飽和酸素化フルオロカーボン - 特許庁

SELECTIVE ISOTROPIC ETCHING PROCESS FOR TITANIUM-BASED MATERIAL例文帳に追加

チタンベース材料の選択的等方性エッチングプロセス - 特許庁

To provide a method of selective etching improved by using an etch stop layer.例文帳に追加

エッチング停止層を使用する選択的エッチング法 - 特許庁

The buffer layers and the etching stop layers have the selective etching rates capable of selectively etching them, respectively.例文帳に追加

バッファ層とエッチング停止層はそれぞれについて選択的にエッチング可能な選択エッチングレートを有する。 - 特許庁

STRUCTURALLY SELECTIVE EPITAXIAL GROWTH TECHNIQUE AND METHOD OF FORMING SINGLE CRYSTAL SILICON PATTERN USING SELECTIVE SILICON ETCHING TECHNIQUE例文帳に追加

構造選択エピタキシヤル成長技術および選択シリコンエッチング技術を用いた単結晶シリコンパターン形成方法 - 特許庁

The selective etching step is performed by a two-step plasma etching method of first anisotropic etching and second isotropic etching having different etching conditions.例文帳に追加

選択食刻工程は食刻条件が異なる第１の異方性食刻と第２の等方性食刻からなる二段階のプラズマ食刻方法で行なう。 - 特許庁

The depletion layer 104 is held between the selective etching layer 103 of the first conductivity and the selective etching layer 109 of the second conductivity, and the outer peripheral edge of the selective etching layer is positioned more on the inner side than the outer peripheral edge of the depletion layer 104 in the plane view.例文帳に追加

空乏層１０４は、第一の導電型の選択エッチング層１０３と第二の導電型の選択エッチング層１０９に挟まれ、平面視にて選択エッチング層の外周縁は、空乏層１０４の外周縁より内側に位置する。 - 特許庁

Selective etching takes place through the dopant and a self-aligned conductive spacer is defined.例文帳に追加

ドーパントにより選択的エッチングが生じ、自己整合導電スペーサが画定される。 - 特許庁

SELECTIVE ELECTROCHEMICAL ETCHING METHOD FOR ANALYSIS OF 2-DIMENSIONAL DOPANT DISTRIBUTION例文帳に追加

２次元的なドーパント分布の分析のための選択的電気化学エッチング方法 - 特許庁

DRY ETCHING PROCESS USING SELECTIVE POLYMER MASK FORMED BY CO GAS例文帳に追加

ＣＯガスによって形成された選択的ポリマーマスクを使用する乾式エッチング方法 - 特許庁

To obtain a method of etching an oxide layer on a nitride layer provided on a substrate at a high selective ratio.例文帳に追加

基板の窒化物層の上の酸化物層を高い選択比でエッチングする方法を提供する。 - 特許庁

An in-situ etching agent supports the growth of selective silicon epitaxy.例文帳に追加

インサイチュエッチング剤は、選択的シリコンエピタキシーの成長を支持する。 - 特許庁

SELECTIVE ETCHING PROCESS FOR CUTTING AMORPHOUS METAL SHAPE, AND COMPONENT MADE THEREBY例文帳に追加

非晶質金属形状を切断するための選択的エッチングプロセスおよびそれから作られた構成要素 - 特許庁

In embodiments, the etching is highly selective between the material of the insulation layer and the material of the substrate.例文帳に追加

実施例でエッチングは、絶縁層の材料と基板の材料との間で高度に選択的である。 - 特許庁

SELECTIVE ETCHING TREATMENT METHOD FOR THIN FILMS OF SIO2, TI AND IN2O3 APPLIED TO FERAM DEVICE例文帳に追加

ＦｅＲＡＭ装置に適用するＳｉＯ２、ＴｉおよびＩｎ２Ｏ３薄膜の選択的エッチング処理法 - 特許庁

METHOD FOR REDUCING PARASITIC CAPACITANCE OF ELEMENT USING LOWER FACE CRYSTALLIZATION DIRECTION SELECTIVE ETCHING例文帳に追加

下面結晶方向選択エッチングを利用した素子の寄生キャパシタンス削減方法 - 特許庁

At the periphery of the semiconductor mesa, a buried layer is grown using the etching mask as a selective mask.例文帳に追加

半導体メサの周囲に、エッチングマスクを選択マスクとして埋め込み層を成長させる。 - 特許庁

To easily enable selective etching of AlGaAs of the mirror surface with an HF system etchant.例文帳に追加

ＨＦ系エッチャントで容易に鏡面のＡlＧaＡs選択エッチングを可能にする。 - 特許庁

To realize highly selective etching which enables plasma processing of superior uniformity.例文帳に追加

均一性に優れたプラズマ処理を可能とし、高選択なエッチングを実現する。 - 特許庁

Selective etching is controlled to attack the SiC layer but not to have an effect on the SiON layer.例文帳に追加

選択性エッチングは、ＳｉＣ層を攻撃するが、ＳｉＯＮ層は影響されないようにする。 - 特許庁

In addition, the barrier layer forming process includes a selective film-forming process and a sputter etching process.例文帳に追加

また、バリア層形成工程は、選択成膜工程と、スパッタエッチング工程を有する。 - 特許庁

FILM FORMATION METHOD USING CHARGED PARTICLE BEAM, SELECTIVE ETCHING METHOD, AND CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE例文帳に追加

荷電粒子線を用いた成膜方法と選択エッチング方法および荷電粒子線装置 - 特許庁

To provide a highly selective Ru(ruthenium) etching technique, using a photoresist as an etching-resistant mask.例文帳に追加

フォトレジストを耐エッチングマスクに用いたＲｕ（ルテニウム）の高選択エッチング技術を提供する。 - 特許庁

The organic film is subjected to selective anisotropic etching by using a mixed gas of nitrogen and CxHy as an etching gas.例文帳に追加

エッチングガスとして窒素とＣｘＨｙとの混合ガスを用い、有機膜を選択的に異方性エッチングする。 - 特許庁

The deep trench is formed by means of a RIE in the semiconductor substrate through the etching resistance layer and the selective etching possible layer.例文帳に追加

深いトレンチを、耐侵食性層および選択エッチング可能層を経て半導体基板に、ＲＩＥによって形成する。 - 特許庁

The BARC etching includes a high polymeric gas for controlling the CD and selective etching chemicals together.例文帳に追加

ＢＡＲＣエッチングは、ＣＤ制御のための高重合性ガスと一緒に選択性エッチング化学薬品を含む。 - 特許庁

In a first main etching process, the Ti/TiN film membrane is subjected to selective tungsten-etching so that a tungsten plug can be formed.例文帳に追加

第１の主エッチングではＴｉ／ＴｉＮ膜質に対して選択的にタングステンにエッチングしてタングステンプラグを形成する。 - 特許庁

An etching stopper layer 7, which enables a selective etching on clad layers 17 and 18, is formed on a semiconductor substrate 9.例文帳に追加

クラッド層１７及び１８に対して選択エッチングが可能なエッチングストッパー層７を半導体基板９上に形成する。 - 特許庁

To attain the optimum electric characteristic where a difficulty of selective wet etching and an etching damage can be removed.例文帳に追加

選択的なウェットエッチングの難しさ及びエッチングダメージが除去できて最適の電気的特性を得ること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor devices which constitutes a method of etching that replaces selective etching of SiN film that uses phosphoric acid.例文帳に追加

ＳｉＮ膜の燐酸を用いた選択的エッチングに代替するエッチング方法を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To realize a selective etching of a heat oxide film/(PSG film, TEOS oxide film) which improves the etching shape.例文帳に追加

エッチング形状の改善を図れる熱酸化膜／（ＰＳＧ膜、ＴＥＯＳ酸化膜）の選択エッチングを実現すること。 - 特許庁

To provide an etching liquid and an etching method which can enhance an etching rate in the selective etching of a silicon nitride, and to provide a method for manufacturing an electronic component.例文帳に追加

本発明は、窒化シリコンの選択的なエッチングにおいて、その窒化シリコンのエッチングレートを高めることができるエッチング液、エッチング方法および電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

The silicon nitride film 3 and the oxide film 2 are subjected to open-etching and over-etching under the same etching condition, and the over-etching step is carried out under a condition with a high selective ratio to silicon.例文帳に追加

シリコンチッカ膜３、酸化膜２は同一エッチング条件にて開口エッチングとオーバーエッチングを行い、オーバーエッチングは、対シリコンと高選択比となるエッチング条件で行う。 - 特許庁