「SELECTIVE ETCHING」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

A silicon oxide film 4 and a silicon nitride film 5 are film-formed to cover a gate electrode 3 formed on a silicon substrate 1, and a side wall is formed by selective etching of the silicon nitride film.例文帳に追加

シリコン基板１に形成されたゲート電極３を覆って、シリコン酸化膜４及びシリコン窒化膜５を成膜し、シリコン窒化膜の選択的エッチングによってサイドウォールを形成する。 - 特許庁

Gate electrodes are formed by selective dry etching and the upper limit value of the in-substrate average value of the thicknesses of the photoresist in substrate coating is confined to 1.5 μm.例文帳に追加

ゲート電極を選択ドライエッチングにより形成し、基板コーティング時におけるフォトレジストの厚みの基板内平均値の上限値を１．５μｍとした。 - 特許庁

Additionally, selective processing of the protective coat by performing chemical etching on the protective coat, also allows the step to be formed with high precision and with sufficient reproducibility.例文帳に追加

また、前記保護膜に対し、化学エッチングを施すことによって保護膜を選択的に加工することでも、前記段差を高精度に、しかも再現性良く形成することができる。 - 特許庁

Subsequently, the SiGe crystal 504 is removed by selective etching to leave only single crystal microstructure of Si 506 thus fabricating an isolated single crystal planar microstructure of Si.例文帳に追加

その後、選択的エッチングによってＳｉＧｅ結晶５０４を除去し、単結晶のＳｉ微細構造５０６だけを残す事で、孤立した単結晶の板状Ｓｉ微細構造を製造する。 - 特許庁

In the substrate 70, guide pin insertion through-holes 72, 74 are formed by selective etching processing or the like on one and the other sides of a lens column including the lenses L_11 to L_14.例文帳に追加

基板７０において、レンズL_１１〜L_１４を含むレンズ列の一方側及び他方側には、ガイドピン挿通孔７２，７４を選択エッチング処理等により形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method and device having sufficient selective ratio of etching rate for either one of a silicon nitride film and a silicon oxide film.例文帳に追加

シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜のいずれにも十分なエッチングレートの選択比を有する半導体装置の製造方法と半導体製造装置とを提供する。 - 特許庁

Also, after the whole surface formation of a reflection preventing member film 12a, the ion implantation can be performed before the formation of the reflection preventing film 12 by selective etching.例文帳に追加

尚、反射防止材膜１２ａの全面形成より後、その選択的エッチングによる反射防止膜１２の形成前にそのイオン注入を行うようにしても良い。 - 特許庁

Further, the etching selective ratio of the first interlayer insulation layer 30 to the semiconductor layer 14 is made larger than the one of the second interlayer insulation layer 32 to the semiconductor layer 14.例文帳に追加

半導体層１４に対する第１の層間絶縁層３０のエッチング選択比は、半導体層１４に対する第２の層間絶縁層３２のエッチング選択比より大きい。 - 特許庁

To provide a pattern forming method using a material for multilayer processing, capable of forming a film having a high etching selective ratio to a film formed from an organic material, at a low temperature.例文帳に追加

低温で、有機材料から形成される膜に対して高いエッチング選択比を有する膜を形成可能な多層プロセス用材料を用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

Also, a difference in level is provided in the area in which the optical waveguide is formed by removing by selective etching a silicon layer of the area to which the laser diode is fixed by the use of an SOI substrate.例文帳に追加

また、ＳＯＩ基板を用い、レーザダイオードを固定する領域のシリコン層を選択的エッチングで除去して、光導波路を形成した領域との間に段差を設ける。 - 特許庁

A barrier metallic layer and an aluminum film are formed as a first layer on the semiconductor substrate by sputtering or CVD to form aluminum wires through selective etching by using a resist mask and a reactant gas.例文帳に追加

半導体基板上の１層目にバリアメタル層及びアルミニウムをスパッタもしくはＣＶＤで成膜し、レジストマスクにて反応ガスを用いて選択エッチングでアルミ配線形成する。 - 特許庁

An exposed portion of the anti-reflective coating or selective emitter is etched away using an inorganic acid containing etching liquid to expose the semiconductor surface.例文帳に追加

無機酸含有エッチング剤を用いて、反射防止コーティングおよび選択的エミッタの露出部分がエッチング除去されて、半導体基体を露出させる。 - 特許庁

By such a method, the Schottky barrier transistor can be manufactured without passing a selective wet etching process which removes a non-reacted metal after the silicide reaction.例文帳に追加

このような方法によれば、シリサイド反応後に未反応金属を除去する選択的ウェットエッチング工程を経ずにショットキー障壁トランジスタが製造できる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device where an interlayer insulating film having a hollow structure and a relative permittivity as near as 1 is formed by employing an oxide film having a high selectivity and carrying out a selective etching process.例文帳に追加

高い選択性を有する酸化膜を使用して選択エッチング処理を行うことにより、比誘電率が限りなく１に近い中空構造の層間絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In one or more embodiments, the selective epitaxy process includes a step of repeating, until an epitaxial layer grows to a desired thickness, a cycle composed of: the deposition, an etching process after the deposition, and a desired purge cycle.例文帳に追加

一つ以上の実施形態によれば、選択的エピタキシャルプロセスは、エピタキシャル層の所望の厚さが成長するまで、堆積と、その後のエッチングプロセスと、所望によるパージのサイクルを繰り返すステップを含む。 - 特許庁

To provide a wiring board which can cope with densification more cheaply by forming the wiring board by using a laminated foil having a barrier layer to utilize a both surfaces-exposing technique and a selective etching technique.例文帳に追加

バリア層を有する積層箔を用いて、両面露光技術及び選択エッチング技術を利用し配線板を形成することで、高密度化に対応できる配線板をより安価に提供する。 - 特許庁

To less expensively provide a wiring board which makes density higher by utilizing the conventional double side exposing technology and the selective etching technology to form the wiring board by using a four layer laminated foils with barrier layers.例文帳に追加

バリア層を有する四層積層箔を用いて、既存の両面露光技術及び選択エッチング技術を利用し配線板を形成することで、高密度化に対応できる配線板をより安価に提供する。 - 特許庁

Following the etching of the upper dielectric layer, a metal selectively grows on each of exposed part of the metal layer to obtain an inverted mask pattern consisting of the selective metal growth.例文帳に追加

上側誘電体層のエッチングに続いて金属層の各露出した部分に選択的金属成長を適用して選択的金属成長からなる反転されたマスク・パターンが得られる。 - 特許庁

Next, a second active layer 30b is grown on the semiconductor substrate 10 on which the first active layer 30a is etched using the etching mask 42 as a selective growing mask.例文帳に追加

次に、エッチングマスク４２を選択成長マスクとして用いて、第１活性層３０ａがエッチングされた半導体基板１０上に、第２活性層３０ｂを成長する。 - 特許庁

In a thin film forming step (i), a selective thin film 8 having an etching selectivity and a heat flowability is formed on the silicon, and the surface is flattened by reflowing process or the like.例文帳に追加

薄膜形成工程（ｉ）では、多結晶シリコンに対してエッチング選択性を持ち且つ熱流動性がある選択性薄膜８を成膜し、リフロー処理などによって表面を平坦化する。 - 特許庁

The rugged form 15 can be realized through a method wherein the rear surface 11B of the semiconductor chip 11 is subjected to a cutting process using a blade or the like or a selective chemical etching process.例文帳に追加

凹凸形状１５は例えば半導体チップ１１の裏面１１Ｂに対し、ブレード等による切削工程、または選択的に化学的にエッチングすることにより実現する。 - 特許庁

To provide an etching composition that can remove a silicon nitride at a low temperature of 100°C or less and at a selective and industrial speed without giving a damage to other semiconductor materials such as a silicon oxide or the like.例文帳に追加

酸化ケイ素等の他の半導体材料にダメージを与えることなく、窒化ケイ素を１００℃以下の低温で、選択的かつ工業的な速度で除去できるエッチング用組成物を提供する。 - 特許庁

This unit 26 is composed of a mist generator 39 for atomizing an etching liquid 38 with introduced nitrogen gas and a selective plate 41, etc. for passing particles of 30 μm or less among a resultant mist M.例文帳に追加

フォグ発生ユニット２６を、窒素ガスを導入しながらエッチング液３８を微粒子化するミスト発生器３９や、そのミストＭのうち粒径３０μｍ以下のものを通過させる選択プレート４１等から構成する。 - 特許庁

A semiconductor laminate is manufactured, in which a plurality of semiconductor layers containing a selective AlAS-oxidizing layer (group III-V semiconductor layer containing aluminum) are stacked on a substrate, and a mesa which is to serve as a light-emitting part is formed by etching.例文帳に追加

基板上にＡｌＡＳからなる被選択酸化層（アルミニウムを含有するIII−Ｖ族半導体層）を含む複数の半導体層が積層された半導体積層体を作成し、発光部となるメサをエッチングにより形成する。 - 特許庁

To obtain a nitride semiconductor device with a current constriction layer which facilitates selective etching with a lower crystalline layer, while having high optical characteristics.例文帳に追加

高い光学特性を有しながら、下層の結晶性層との選択エッチングを容易に行うことができる電流狭窄層を備えた、窒化物半導体素子を得ること。 - 特許庁

The wiring 30 is patterned so as to be separated into a drain electrode 32 and a source electrode 34 by selective etching for leaving the semiconductor layer 20 as it is through the left first part 24.例文帳に追加

残された第１部分２４を介して、半導体層２０を残す選択的エッチングによって、配線３０をドレイン電極３２及びソース電極３４に分離されるようにパターニングする。 - 特許庁

A frame part 141, a central island 142, and a spring part 143 are integrally formed from the spring material layer 104 by photolithography and selective etching (S103).例文帳に追加

フォトリソグラフィ法および選択性エッチングを用いることで、バネ材料層１０４から、枠体部１４１、中央島部１４２およびバネ部１４３を一体形成する（Ｓ１０３）。 - 特許庁

To provide a production method of a porous glass in which treatment time can be shortened in selective etching step of a phase separated glass with an acid solution, and remaining and deposition of gel silica in the pores of an obtained porous glass are suppressed.例文帳に追加

分相ガラスの酸溶液による選択エッチングの工程で、処理時間が短縮でき、且つ多孔質の細孔中にゲル状シリカの残留、堆積が抑制された多孔質ガラスの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the magnetic sensor, an oxide film 35 is formed on the substrate 1 with a wiring layer including a via A formed, and the selective etching of the oxide film is made to form a plurality of protrusions 8.例文帳に追加

ビア部Ａを有する配線層が形成された基板１に酸化膜３５を形成し、この酸化膜を選択エッチングして複数の突起部８を形成する。 - 特許庁

To provide a method for forming a silica-based washability working film, where a part that is worked and exposed by selective etching treatment has washability by an acid solution.例文帳に追加

選択的エッチング処理により加工され露出した部分が酸水溶液による洗浄耐性を有するシリカ系耐洗浄性加工被膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

Then, the p-type upper clad layer 18 is exposed by forming a stripe-like opening 24 in the GaAs cap layer 20 by performing selective etching only on the layer 20.例文帳に追加

次に、ＧａＡｓキャップ層のみに選択エッチングを行い、ストライプ状の開口２４を設け、ｐ−ＡｌＧａＡｓ上部クラッド層を露出させる。 - 特許庁

For example, when InGaP is used for an emitter layer 2, since selective etching is conducted by hydrochloric acid to expose the base layer 1, a device manufacturing process becomes easy.例文帳に追加

例えば、ＩｎＧａＰをエミッタ層２とした場合に、塩酸で選択エッチングしてベース層１を露出させることができるので、デバイス製造プロセスが容易となる。 - 特許庁

For the purpose of preventing the damage to an oxide film at a termination time position, the residual film thickness of polysilicon is monitored by using a light interference real time film thickness monitor, and just before the termination position, changeover to a high selective etching condition is performed.例文帳に追加

ポリシリコンの終点時に起こる酸化膜の損傷を防止するため、光干渉式リアルタイム膜厚モニタでポリシリコン残膜を検知し、終点直前に高選択エッチング条件に切り換える。 - 特許庁

The first layer 7 is removed by selective chemical etching through the passage 10, and the passage 10 is sealed so as to obtain a metallic capsule for airtight sealing of the microsystems.例文帳に追加

通路１０を介して第１の層７を選択的な化学エッチングにより除去し、通路１０が各マイクロシステムを気密的に封入する金属カプセルを得るために密閉する。 - 特許庁

An opening is provided at a silicon layer of an SOI substrate, a void which is larger than the opening is formed by selective etching of an insulating layer through the opening, and the void is buried by depositing polysilicon.例文帳に追加

ＳＯＩ基板のシリコン層に開口部を設け、これを介して絶縁層を選択エッチングにより開口部より大きな空洞を形成し、ポリシリコンを堆積して空洞を埋める。 - 特許庁

To provide a method for evaluating a crystal defect of a silicon wafer, by which only an etch pit of an OSF (Oxidation-induced Stacking Fault) is detected by selective etching and an OSF can be accurately determined.例文帳に追加

選択エッチングによりＯＳＦのエッチピットのみを検出し、ＯＳＦを正確に判別することができるシリコンウェーハの結晶欠陥評価方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a mold for forming a glass element, whereby mold life can be extended by eliminating occurrence of selective etching etc. based on crystal plane orientation and increasing number of recycle.例文帳に追加

結晶面配向による選択的エッチング等を排し、リサイクル回数を増やし金型寿命を延ばすことができるガラス素子用成形金型の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device, forming a support-like spacer serving as an auxiliary role by restraining limitations in design of a display pixel without any increase in number of times of selective etching using photolithography technology.例文帳に追加

フォトリソグラフィ技術による選択エッチングの回数を増やさず、しかも、表示画素の設計上の制約を抑えて、補助的な役割をする支柱状スペーサを形成可能な液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

In a method for forming a chip from wafer, a die 30 containing an integrated circuit removes a substrate material 32 damaged in a cutting process through selective etching, after the material 32 is separated (cut off) from a wafer with a CO2 laser beam in the cutting process.例文帳に追加

本発明の一実施例によれば、集積回路を含むダイがＣＯ_2レーザによりウェハから分離（切断）された後、この切断プロセスの間に損傷を受けた基板材料を、選択性エッチングプロセスで除去する。 - 特許庁

When the growth is interrupted, the etching rate at a thicker portion becomes higher than that at a thinner portion and the thickness distribution is eliminated, even if the distribution occurs during the course of the selective growth.例文帳に追加

成長時に膜厚分布を生じたとしても、成長中断を挿入すれば、膜厚が厚い部分におけるエッチング速度が、膜厚が薄い部分におけるエッチング速度を上回り、これを解消する方向に寄与する。 - 特許庁

By selective oxidation, a silicon oxide film 6 as thick as 3 nm or so is formed, a silicon nitride film 7 of thickness 10 nm or so is formed through a CVD method, and the silicon nitride film 7 is etched using the silicon board 10 as an etching stopper.例文帳に追加

選択酸化により、約３ｎｍのシリコン酸化膜６を形成し、ＣＶＤにより、約１０ｎｍのシリコン窒化膜７を形成した後、シリコン基板１０をエッチングストッパとしてシリコン窒化膜７がエッチングされる。 - 特許庁

To provide a laminated foil excellent in selective etching properties by selecting a combination of an intermediate layer and a metal proper as the metal foil arranged on both surfaces thereof.例文帳に追加

中間層とその両方の面側に配置する金属箔として適切な金属の組合せを選択することで選択エッチング性に優れた積層箔を提供する。 - 特許庁

An impurity, for example oxygen, is introduced into a silicon substrate or a silicon layer, and heat treatment is carried out so that an impurity deposition region is formed, and highly selective ratio anisotropic etching is carried out by using the deposition region as a micromask 14.例文帳に追加

シリコン基板或いはシリコン層中に不純物、例えば酸素を導入し、熱処理することにより不純物析出領域を形成し、この析出領域をマイクロマスク１４として高選択比異方性エッチングを行う。 - 特許庁

To provide a selective etching method capable of evaluating a crystal defect of an ultra-low resistant silicon single crystal substrate having electric resistivity of <10 mΩ cm, especially BMD (bulk micro defects) properties, which can not be easily detected by conventional methods, by selectively etching using a chromium-less etching solution which does not contain harmful chromium and utilizing the silicon single crystal substrate.例文帳に追加

従来容易には検出することができなかった電気抵抗率が１０ｍΩ・ｃｍ未満である超低抵抗のシリコン単結晶基板の結晶欠陥、特にＢＭＤの特性を、有害なクロムを含有しないクロムレスのエッチング液を用いて選択エッチングすることにより評価し、利用することを可能にする、選択エッチング方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of conducting dry etching at an upper interlayer insulating film 7 for the stopper film 6 with a resist pattern 11, as a mask under the conditions of higher selective etching selection ratio of 10 or more than prior art, and etching the film 7 to the film 6, thereby forming the wiring groove 12.例文帳に追加

レジストパターン１１をマスクとして、上部層間絶縁膜７が溝用ストッパー膜６に対して、従来よりさらに高選択な、エッチング選択比が１０以上の条件でドライエッチングを行い、上部層間絶縁膜７を溝用ストッパー膜６までエッチングして配線溝１２を形成する。 - 特許庁