「VSD」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Switches 21_1, 22_1, and 23_1 connected between a power line VDD and a power line VSD and a circuit 35 connected between the power line VSD and a power line VSS are disposed in the region PD1.例文帳に追加

領域ＰＤ１には、電源線ＶＤＤと電源線ＶＳＤとの間にそれぞれ接続されたスイッチ２１_１、２２_１、２３_１と、電源線ＶＳＤと電源線ＶＳＳとの間に接続された回路３５と、が配置されている。 - 特許庁

A Voice Server Director (VSD) is coupled to the gateway and performs a control function of the conferencing system.例文帳に追加

ボイス・サーバ・ディレクタ（ＶＳＤ）は、ゲートウェイに結合され、会議システムの制御機能を実行する。 - 特許庁

To provide a thin intravascular occluding device in order to medically treat an atrium septum defect and a ventricular septum defect (respectively ASD and VSD).例文帳に追加

心房および心室中隔欠損（それぞれＡＳＤおよびＶＳＤ）を治療するための薄型の血管内閉鎖デバイスの提供。 - 特許庁

The VSD controls a media server, which mixes the audio (signals), and the media server receives the data portion of a conference call from the gateway.例文帳に追加

ＶＳＤは、音声（信号）を混合するメディアサーバを制御し、メディアサーバは、ゲートウェイからの会議発呼のデータ部分を受信する。 - 特許庁

The voltage signal Vsd and voltage signal I are converted by an A/D converter 120 and then input to a CPU 101.例文帳に追加

電圧信号Ｖsdおよび電圧信号Ｉは、Ａ／Ｄコンバータ１２０でディジタル値に変換されてＣＰＵ１０１に入力される。 - 特許庁

The CPU 101 discriminates the presence of wiring abnormality, on the basis of the voltage signal Vsd and voltage signal I.例文帳に追加

ＣＰＵ１０１は電圧信号Ｖsdおよび電圧信号Ｉに基づいて配線の異常の有無を判定する。 - 特許庁

To provide the use of a voltage switchable dielectric (VSD) material as a part of a wireless communication device.例文帳に追加

無線通信デバイスの一部としての電圧感応状態遷移誘電体（ＶＳＤ）材料の使用を提供する。 - 特許庁

Voltages VSD in the plurality of power supply terminals 103 to 105 are output to a plurality of monitor terminals 161 to 163 so that they can be monitored.例文帳に追加

複数の電源供給端子１０３〜１０５における電圧ＶＳＤは、複数のモニタ端子１６１〜１６３に監視可能に出力される。 - 特許庁

A feature amount detector 42 detects a feature amount of a video image from a video signal VSd and generates a feature amount detection signal JH.例文帳に追加

特徴量検出部４２は、映像信号ＶＳdから映像の特徴量を検出して特徴量検出信号ＪＨを生成する。 - 特許庁

To provide usage of a voltage-sensitive status transition dielectric (VSD) material as one part of a light emission component including an LED and an OLED.例文帳に追加

ＬＥＤ及びＯＬＥＤを含む発光コンポーネントの一部としての電圧感応状態遷移誘電体（ＶＳＤ）材料の使用を提供する。 - 特許庁

An output VSA=VSD/VSN of this divider 4 and the input image signal VIN are multiplied by a multiplier 5, this output (VSD/VSN).VIN and an offset control value VB outputted from a brightness level register 6 through a D/A converter 7 are added by an adder 8, and shade correction data are provided.例文帳に追加

この除算器４の出力Ｖ_SA＝Ｖ_SD／Ｖ_SHと入力画像信号Ｖ_INを乗算器５で乗算し、この出力（Ｖ_SD／Ｖ_SH）・Ｖ_INと、ブライトレベルレジスタ６からＤ／Ａ変換器７を経て、出力されるオフセット調整値Ｖ_B を加算器８で加算し、シェーディング補正データを得る。 - 特許庁

Shading data stored in a shading memory 1 are read out and converted to an analog signal VSD by a D/A converter 2, on the other hand, an input image signal VIN is sampled/held by a sample-and-hold circuit 3, that output VSH is applied to a divider 4, and dividing of VSD/VSH is performed by the divider 4.例文帳に追加

シェーディングメモリ１に記憶しているシェーディングデータを読み出し、Ｄ／Ａ変換器２でアナログ信号Ｖ_SDに変換し、一方入力画像信号Ｖ_INをサンプルホールド回路３でサンプルホールドし、その出力Ｖ_SHを除算器４に加え、除算器４でＶ_SD／Ｖ_SHの除算を行う。 - 特許庁

This CPU 12 selects a maximum charge current value in such a way that the product, ICHG×VSD, of the charge current ICHG and the voltage between the source and the drain VSD or the electric power value of a charging MOS transistor 4, does not exceed a predetermined reference value and sends a control command to a control unit 13 based on the selection.例文帳に追加

ＣＰＵ１２は、充電電流ＩＣＨＧとソース・ドレイン間電圧ＶＳＤの積、ＩＣＨＧ×ＶＳＤ、即ち充電用ＭＯＳトランジスタ４の電力値が所定の基準値を越えないような、最大の充電電流値を選択して、制御ユニット１３にその選択に基づく制御命令を制御ユニット１３に送る。 - 特許庁

The driving circuit 4 receives the driving voltage DV, video data VSD and synchronizing signal SYN, and outputs a passive driving pulse width modulation signal PDM to a gate electrode 6 and cathode electrode 7 of the panel 5.例文帳に追加

駆動回路４は、駆動電圧ＤＶ、映像データＶＳＤおよび同期信号ＳＹＮを受けて、パネル５のゲート電極６およびカソード電極７にパッシブ駆動パルス幅変調信号ＰＤＭを出力する。 - 特許庁

In this device, the address period is shortened by applying a scanning electrode voltage Vsd making it its objective to enable addressing discharge to be generated on a scanning electrode to the scanning electrode repetitively in the address period.例文帳に追加

アドレス期間において、走査電極にアドレス放電を起こし得ることを目的とする走査電極電圧Ｖ_sdを重複して印加することによりアドレス期間を短くする。 - 特許庁

The light emission device is protected from a transient voltage such as electrostatic discharge (ESD) and electrical overload (EOS), and moisture, shock and other electrical or mechanical threat by integration of the VSD material.例文帳に追加

ＶＳＤ材料の一体化により、静電放電（ＥＳＤ）及び電気的過負荷（ＥＯＳ）のような過渡電圧から、また水分、衝撃及びその他の電気的または機械的な脅威からも、発光デバイスが保護される。 - 特許庁

The data of a charge current ICHG and a voltage between the source and the drain VSD calculated by first and second operation circuits 10, 11 are sent to a CPU12.例文帳に追加

第１および第２の演算回路１０，１１によって算出された充電電流ＩＣＨＧ及びソース・ドレイン間電圧ＶＳＤの情報はＣＰＵ１２に送られる。 - 特許庁

This electromagnetic actuator which differentially amplifies voltage between source and drain terminals of field effect transistors 109A and 109B and outputs a voltage signal Vsd.例文帳に追加

差動アンプ１２３は電界効果トランジスタ１０９Ａおよび１０９Ｂのソース端子とドレイン端子間電圧を差動増幅して電圧信号Ｖsdを出力する。 - 特許庁

At the driving, the voltage drop amount (voltage Vsd) of a resistor 50, which is generated by a minute current having a correlation with a current flowing through the switching element S*# is input into both of the terminals T6 and T7.例文帳に追加

この際、スイッチング素子Ｓ＊＃を流れる電流と相関を有する微小電流によって生じる抵抗体５０の電圧降下量（電圧Ｖｓｄ）は、端子Ｔ６，Ｔ７の双方に入力される。 - 特許庁

A VSD material is provided as one part of a package of a light emission device, or integrated or compounded with an electric component and an element.例文帳に追加

ＶＳＤ材料を，前記発光デバイスのパッケージの一部として設けるかあるいは電気コンポーネント及び素子に一体化するかまたは複合させる。 - 特許庁

Coefficient data wi that corresponds to the display content of the image of a video signal VSD is retrieved from coefficient data Ca to Cc that is read out from the ROM tables 128a to 128c by a switch circuit 129, and is supplied to an estimation computation circuit 131.例文帳に追加

ＲＯＭテーブル１２８ａ〜１２８ｃより読み出される係数データＣａ〜Ｃｃより、ビデオ信号ＶＳＤの画像の表示内容に対応した係数データｗiをスイッチ回路１２９で取り出して推定演算回路１３１に供給する。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit includes: a first power supply line (VDD); a second power supply line (VSD); a first cell arrangement area (2) in which a first standard cell is provided; and a switch area (4) in which a switching transistor (5) and a decoupling capacitance (6) are arranged.例文帳に追加

第１電源線（ＶＤＤ）と、第２電源線（ＶＳＤ）と、第１スタンダードセルを有する第１セル配置領域（２）と、スイッチトランジスタ（５）とデカップリング容量（６）を有するスイッチ領域（４）とを具備する半導体集積回路を構成する。 - 特許庁