「amorphous layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

An amorphous thin layer 2 is formed on a single crystal substrate.例文帳に追加

単結晶基板１上に非晶質薄膜２を形成する。 - 特許庁

ABRASIVE MATERIAL HAVING AMORPHOUS SURFACE LAYER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

アモルファス表面層を有する研削材及びその製造方法 - 特許庁

EVALUATION METHOD OF AMORPHOUS LAYER FORMED BY ION IMPLANTATION例文帳に追加

イオン注入によって形成される非晶質層評価方法 - 特許庁

The silicon layer 3 includes a gettering region that is in the amorphous state.例文帳に追加

シリコン層３は、アモルファス状態のゲッタリング領域を含む。 - 特許庁

The upper barrier layer is composed of a p-type boron phosphide (BP)-based semiconductor, especially an amorphous boron phosphide-based semiconductor.例文帳に追加

特に非晶質のリン化硼素系半導体とする。 - 特許庁

The internal wall surface of the via hole is covered by the i-type amorphous silicon layer 14 and the i-type amorphous silicon layer 12.例文帳に追加

貫通孔の内壁面は、ｉ型非晶質シリコン層１４とｉ型非晶質シリコン層１２とによって覆われている。 - 特許庁

In place of the damage layer 11, a polysilicon layer, an amorphous silicon layer or a silicon oxide layer may be formed on the edge 1A.例文帳に追加

ダメージ層１１に変えてエッジ部１Ａ上にポリシリコン層やアモルファスシリコン層やシリコン酸化層を形成しても良い。 - 特許庁

The semiconductor device includes a glass substrate 11, a first amorphous carbon layer 12 formed on one surface of the glass substrate 11, a second amorphous carbon layer 13 formed on the first amorphous carbon layer 12, and a metal electrode layer 14 formed on the second amorphous carbon layer 13.例文帳に追加

ガラス基板１１と、ガラス基板１１の一方の面側に形成される第１のアモルファスカーボン層１２と、第１のアモルファスカーボン層１２の上に形成される第２のアモルファスカーボン層１３と、第２のアモルファスカーボン層１３の上に形成される金属電極層１４とを含む。 - 特許庁

Here, the buffer layer 31 is formed of amorphous silicon carbide, and thickness of the low-concentration amorphous silicon carbide layer 30a is made larger than that of the high-concentration amorphous silicon carbide layer 30b and buffer layer 31.例文帳に追加

ここで、バッファ層３１をアモルファス炭化シリコンで形成するとともに、低濃度アモルファス炭化シリコン層３０ａの膜厚は、高濃度アモルファス炭化シリコン層３０ｂ及びバッファ層３１の膜厚よりも厚くする。 - 特許庁

When the TiO2 hole block layer is produced, the TiO2 hole block layer is made amorphous, by drying the TiO2 hole block layer in the air.例文帳に追加

TiO2ホールブロック層作製の際、大気中で乾燥させることにより、TiO2ホールブロック層をアモルファス化する。 - 特許庁

By the heating, the amorphous silicon of the amorphous silicon layer 2 is dissolved in the aluminum layer 3 and crystallized to form a polycrystalline silicon layer 4.例文帳に追加

この加熱により、アモルファスシリコン層２のアモルファスシリコンがアルミニウム層３中に固溶するとともに結晶化し、多結晶シリコン層４が形成される。 - 特許庁

The solar cell 100 includes a recoupling layer R inserted between a p-type amorphous semiconductor layer 11p and an n-type amorphous semiconductor layer 12n.例文帳に追加

太陽電池１００は、ｐ型非晶質半導体層１１ｐとｎ型非晶質半導体層１２ｎとの間に挿入された再結合層Ｒを備える。 - 特許庁

In a photovoltaic device provided with a substantially intrinsic amorphous silicon layer containing hydrogen between an n-type single crystal silicon substrate and a p-type amorphous silicon layer containing hydrogen, a trap layer is formed between the p-type amorphous silicon layer and the intrinsic amorphous silicon layer, wherein the hydrogen concentration of the trap layer is lower than that of the intrinsic amorphous silicon layer.例文帳に追加

この発明は、ｎ型単結晶シリコン基板と水素を含有するｐ型非晶質シリコン層との間に、水素を含有する実質的に真性な非晶質シリコン層を設けた光起電力装置において、前記ｐ型非晶質シリコン層と前記真性な非晶質シリコン層との間に、前記真性な非晶質シリコン層の水素濃度より水素濃度が低いトラップ層を設ける。 - 特許庁

At this time, the first amorphous silicon layer 4x changes into a polycrystalline silicon layer 4y.例文帳に追加

その際、第１非結晶シリコン層４ｘは、多結晶シリコン層４ｙに変化する。 - 特許庁

Laser annealing is executed for the amorphous silicon layer to form a polysilicon layer 13.例文帳に追加

そのアモルファスシリコン層に対してレーザーアニールが行われ、ポリシリコン層１３が形成される。 - 特許庁

A crystalline polyester resin layer 2 is provided on the surface of an amorphous polyester resin layer 1.例文帳に追加

非晶性ポリエステル樹脂層１の表面側に結晶性ポリエステル樹脂層２を設ける。 - 特許庁

METHOD OF FORMING HIGHLY ORIENTED GALLIUM NITRIDE CRYSTAL LAYER USING AMORPHOUS INTERMEDIATE LAYER例文帳に追加

非晶質中間層を用いた高配向性窒化ガリウム系結晶層の形成方法 - 特許庁

The soft magnetic underlayer has a 1st amorphous soft magnetic layer, a 2nd amorphous soft magnetic layer, and a non-magnetic layer formed between the above 1st and 2nd amorphous soft magnetic layers.例文帳に追加

ここで、軟磁性下地層は、第一非晶質軟磁性層、第二非晶質軟磁性層、及び前記第一非晶質軟磁性層と第二非晶質軟磁性層との間に形成された非磁性層を備える。 - 特許庁

Specifically, a solar cell is disclosed which has an n-layer composed of n-type amorphous carbon and carbon nanotubes, an i-layer 14 composed of an i-type amorphous carbon, and a p-layer composed of p-type amorphous carbon.例文帳に追加

具体的には、ｎ層がｎ型アモルファスカーボン及びカーボンナノチューブによって構成され、ｉ層１４がｉ型アモルファスカーボン、ｐ層がｐ型アモルファスカーボンによって構成された太陽電池が例示される。 - 特許庁

An intermediate layer containing at least any one of an amorphous Si oxide layer, an amorphous Si nitride film and an amorphous Si oxide nitride film may be provided between the gate insulating film and the semiconductor layer.例文帳に追加

ゲート絶縁層と半導体層との間に、アモルファスＳｉ酸化膜、アモルファスＳｉ窒化膜およびアモルファスＳｉ酸窒化膜の少なくともいずれか１つを含む中間層を設けることもできる。 - 特許庁

The method of forming a polycrystalline silicon film comprises steps of forming an electrically insulating thermally conductive layer on a substrate, forming an amorphous silicon layer on the thermally conductive layer, patterning the amorphous silicon layer to form an amorphous silicon island, and annealing the amorphous silicon island to crystallize amorphous silicon.例文帳に追加

基板に電気絶縁性熱伝導層を形成する工程と、熱伝導層上に非晶質シリコン層を形成する工程と、非晶質シリコン層をパターニングして非晶質シリコンアイランドを形成する工程と、アイランドをアニーリングして非晶質シリコンを結晶化する工程と、を含む多結晶シリコンフィルムの製造方法である。 - 特許庁

High optical band gap material at the i-layer part includes amorphous silicon nitride hydrogen, amorphous silicon oxide hydrogen, amorphous carbon nitride hydrogen, amorphous silicon nitride carbon hydrogen, and amorphous carbon hydrogen.例文帳に追加

ｉ層部分での高光バンドギャップの材料として、非晶質窒化ケイ素水素、非晶質酸化ケイ素水素、非晶質窒化炭素水素、非晶質窒化ケイ素炭素水素、或いは非晶質炭素水素などを使用している。 - 特許庁

Then, the amorphous silicon layer is laminated to a prescribed film thickness.例文帳に追加

そして、所定の膜厚になるまでアモルファスシリコン層を積層させる。 - 特許庁

The injection layer is preferably Au, Pt, or hydrogenated amorphous silicon and the like.例文帳に追加

注入層はＡｕ、Ｐｔ、水素化アモルファスシリコン等が好ましい。 - 特許庁

The display device covers completely the protection layer made of transformed amorphous carbon.例文帳に追加

表示装置は、変形アモルファスカーボンの保護層を完全に被覆する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF CYLINDER TYPE CAPACITOR UTILIZING AMORPHOUS CARBON LAYER例文帳に追加

非晶質カーボン層を利用したシリンダー型キャパシターの製造方法 - 特許庁

An i-type amorphous silicon layer 30i of the ip junction 30 covers one end in a second direction of an n-type amorphous silicon layer 20n.例文帳に追加

ｉｐ接合３０のｉ型アモルファスシリコン層３０ｉは、ｎ型アモルファスシリコン層２０ｎの第２方向における一端部を覆う。 - 特許庁

A spacer layer is deposited on the amorphous carbon mask, a spacer is formed by etching the spacer layer, and the amorphous carbon mask is exposed.例文帳に追加

アモルファス炭素マスクの上にスペーサ層を堆積させ、スペーサ層をエッチングして、スペーサを形成するとともにアモルファス炭素マスクをさらす。 - 特許庁

The transparent conductive layer 3 may be obtained by heating an amorphous transparent conductive layer composed of an amorphous indium-tin complex oxide.例文帳に追加

透明導電層３は、非晶質のインジウム・スズ複合酸化物からなる非晶質透明導電層を加熱することにより得られうる。 - 特許庁

As a result, the secondary defective layer formed in the vicinity of the boundary of the amorphous layer and the diffusion layer is encapsulated to interior of the diffusion layer.例文帳に追加

これにより、非晶質層と、拡散層との境界付近に形成される２次欠陥部を、拡散層内部に取り込む。 - 特許庁

The intermediate layer is constituted of an amorphous layer and a crystal layer.例文帳に追加

また、本発明は、上記中間層をアモルファス層および結晶質層から構成する磁気記録媒体に関する。 - 特許庁

To increase the dielectric constant of a metal oxide layer by reducing an amorphous layer on a surface of the metal oxide layer.例文帳に追加

金属酸化物層の表面のアモルファス層を低減し、金属酸化物層の誘電率を向上させること。 - 特許庁

The polyolefinic resin layer and the amorphous polyester resin layer may be bonded and laminated through an adhesive layer 6.例文帳に追加

また、ポリオレフィン系樹脂層と非晶性ポリエステル樹脂層は接着剤層６を介して接着積層しても良い。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon layer 14 and a p-type amorphous silicon layer 15 get into a via hole of an n-type single-crystal silicon substrate 11 while an i-type amorphous silicon layer 12 and an n-type amorphous silicon layer 13 get into a via hole of the n-type single-crystal silicon substrate 11.例文帳に追加

ｉ型非晶質シリコン層１４とｐ型非晶質シリコン層１５とは、ｎ型単結晶シリコン基板１１が有する貫通孔内に入り込み、ｉ型非晶質シリコン層１２とｎ型非晶質シリコン層１３とは、ｎ型単結晶シリコン基板１１が有する貫通孔内に入り込む。 - 特許庁

In the heat-insulating paper vessel, the sheet material constructing the side wall includes, orderly from the innermost layer, at least a sealant layer, an adhesive layer, an amorphous polyethylene terephthalate resin layer, a paper layer and a heat-insulating layer, and the sheet material constructing the bottom includes, orderly from the innermost layer, at least the sealant layer, the adhesive layer, the amorphous polyethylene terephthalate resin layer and the paper layer.例文帳に追加

側壁部を構成するシート材が少なくとも最内層から順にシーラント層、接着層、非晶性ポリエチレンテレフタレート樹脂層、紙層、断熱層からなり、底部を構成するシート材が少なくとも最内層から順にシーラント層、接着層、非晶性ポリエチレンテレフタレート樹脂層、紙層からなる断熱紙容器。 - 特許庁

The amorphous particles having magnetism are supplied to the edge to form a magnetic amorphous particle layer 33.例文帳に追加

磁性を有する不定形粒子を上記エッジに供給して磁性不定形粒子層３３を形成する。 - 特許庁

METHOD FOR VAPOR DEPOSITING AMORPHOUS SILICON LAYER FOR SEQUENTIALLY LATERAL CRYSTALLIZATION, AND METHOD FOR CRYSTALLIZING AMORPHOUS SILICON例文帳に追加

連続的側面結晶化のための非晶質シリコン層の蒸着方法と非晶質シリコンの結晶化方法 - 特許庁

As needed, the support 2 may further include one or more of a polymer assistance layer 24 which is placed farther away from the phosphor layer 1 than the amorphous carbon layer 23, a reflective assistance layer 25 placed between the amorphous carbon layer 23 and the phosphor layer 1 and a protective assistance layer 26 placed between the reflective assistance layer 25 and the phosphor layer 1.例文帳に追加

所望により、非晶質炭素層より燐光体層１から遠いポリマー補助層２４、非晶質炭素層と燐光体層の間の反射性補助層２５、反射性補助層と燐光体層の間の保護補助層２６の内の一以上の補助層を更に含む。 - 特許庁

FIELD EFFECT TRANSISTOR USING AMORPHOUS OXIDE FILM AS CHANNEL LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING FIELD EFFECT TRANSISTOR USING AMORPHOUS OXIDE FILM AS CHANNEL LAYER, AND METHOD FOR MANUFACTURING AMORPHOUS OXIDE FILM例文帳に追加

アモルファス酸化物膜をチャネル層に用いた電界効果型トランジスタ、アモルファス酸化物膜をチャネル層に用いた電界効果型トランジスタの製造方法及びアモルファス酸化物膜の製造方法 - 特許庁

This method for forming the semiconductor layer comprises steps of forming an amorphous silicon layer on a glass substrate 4, and thermally treating the amorphous silicon layer in a plasma atmosphere containing Ar which is an element having low reactivity to the amorphous silicon layer, thereby crystallizing at least a part of the amorphous silicon layer.例文帳に追加

この半導体層の形成方法は、ガラス基板４上に、非晶質シリコン層を形成する工程と、非晶質シリコン層との反応性が低い元素であるＡｒを含むプラズマ雰囲気中で、非晶質シリコン層を熱処理することによって、非晶質シリコン層の少なくとも一部を結晶化する工程とを備えている。 - 特許庁

The crystalline substance oxide layer is obtained by forming an amorphous oxide layer and annealing this at a temperature higher than the forming temperature of the amorphous oxide layer and then, crystallizing it.例文帳に追加

結晶質酸化物層は、アモルファス酸化物層を形成し、これをアモルファス酸化物層の形成温度よりも高温でアニールして結晶化させることにより得られる。 - 特許庁

As for the composite seed layer 15, a soft magnetic layer 3, an amorphous layer 4, a soft magnetic layer 5, and a buffer layer 6 are laminated in this order starting from the side of the lower shielding layer 2.例文帳に追加

複合シード層１５は、軟磁性層３と、アモルファス層４と、軟磁性層５と、バッファ層６とが下部シールド層２の側から順に積層されたものである。 - 特許庁

The outer pinned layer (AP2 layer) 20 has a laminated structure of a (CoFe)_outer layer 21 (outer CoFe layer 21)/a (CoFe_x)B_y layer 22 (amorphous layer 22)/a (CoFe)_inner layer 23 (inner CoFe layer 23).例文帳に追加

外側ピンド層（ＡＰ２層）２０は、（ＣｏＦｅ）_outer 層２１（外側ＣｏＦｅ層２１）／ （ＣｏＦｅ_x ）Ｂ_y 層２２（非晶質層２２）／（ＣｏＦｅ）_inner 層２３（内側ＣｏＦｅ層２３）の積層構造を有している。 - 特許庁

A proton conductive layer 110A may be formed by crystallizing the entire amorphous layer by the energy intensity, or a laminated structure comprising the base material 120, the amorphous layer 115 and a proton conductive layer 110 may be formed by crystallizing a part in the vicinity of the surface of the amorphous layer 115.例文帳に追加

エネルギ強度によってアモルファス層を全て結晶化し、プロトン伝導層１１０Ａを形成してもよいし、アモルファス層１１５の表面近傍を結晶化させ、基材１２０、アモルファス層１１５、プロトン伝導層１１０という積層構造を実現してもよい。 - 特許庁

The diffusion barrier layer 348 consists of an amorphous material having high GMR.例文帳に追加

拡散障壁（３４８）は、ＧＭＲが高い非晶質材料である。 - 特許庁