| 例文 |
bipolar processの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 111件
To provide an amplitude expanding circuit and an amplitude compressing circuit capable of composing MOS transistors with a CMOS block without the need for using a Bipolar-CMOS process in spite of a circuit configuration employing the MOS transistors and expanding and compressing an amplitude level with excellent linearity and distortion characteristics at a low cost.例文帳に追加
ＭＯＳトランジスタを用いた回路構成であるにも拘わらず、Ｂｉ−ＣＭＯＳプロセスを使用することなくＣＭＯＳブロックとの複合化が可能であり、低コストでリニアリティー及び歪特性が良く、振幅レベルの伸長及び圧縮が可能な振幅伸長回路及び振幅圧縮回路を提供する。 - 特許庁
To provide an image carrier which eliminates a charging step in which ozone, NOx, etc., are produced, can perform electrostatic latent image formation with high potential contrast, and further performs bipolar latent image formation by changing the polarity of an applied bias, and to provide an image forming apparatus, a process cartridge, and an image forming method.例文帳に追加
オゾン、窒素酸化物などの発生を引き起こす帯電行程をなくし、電位コントラストが大きい静電潜像形成を行なえ、さらに印加バイアス極性を変えることにより両極性の潜像形成を行なうことが可能となる像担持体、画像形成装置、プロセスカートリッジ及び画像形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a heterojunction bipolar transistor that can be selectively etched, can adopt an HBT layer structure containing a semiconductor material with improved adhesion with a mask pattern, forms a guard ring with improved reproducibility without losing the easiness of a guard ring formation process, and has the improved reproducibility of HBT element characteristics, and its manufacturing method.例文帳に追加
選択エッチング可能であり、マスクパターンとの密着性の良好な半導体材料を含むＨＢＴ層構造を採用し、ガードリング形成工程の容易さを損なうことなくガードリングを再現性よく形成し、ＨＢＴ素子特性の再現性が良好なヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその作製方法を提供すること。 - 特許庁
In the method of depositing the diamond-like carbon film on a substrate by the plasma CVD process, a bipolar DC pulse voltage is used as a voltage applied to the substrate, a toluene-containing gas is used as a gas supplied into the chamber and the diamond-like carbon film is deposited by setting the total pressure of gas in the chamber to be 4 Pa to 7 Pa.例文帳に追加
プラズマＣＶＤ法で基材上にダイヤモンドライクカーボン膜を形成する方法であって、基材に印加する電圧をバイポーラＤＣパルス電圧とすると共に、チャンバ内に供給するガスとしてトルエン含有ガスを用い、かつ、チャンバ内のガスの全圧を４Ｐａ以上７Ｐａ以下にしてダイヤモンドライクカーボン膜を形成する。 - 特許庁
To provide a simple inexpensive oscillator of an integrated circuit, and its method, which has frequency stability improved over a selected frequency range, by reducing an influence of process changes and temperature changes on a base current of a bipolar transistor of an oscillator of an integrated circuit.例文帳に追加
集積回路発振器のバイポーラ・トランジスタのベース電流に対するプロセス変化と温度変化の影響を低減させることによって、選択された周波数の範囲にわたって改善された周波数安定度を有する簡単で低コストの集積回路発振器を提供する方法と装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device, e.g. a heterojunction bipolar transistor, comprising a plurality of emitter layers formed on one base layer which is formed on a semiconductor substrate in which variation in heat dissipation can be suppressed significantly among emitters by dissipating heat efficiently, and to provide its fabricating process.例文帳に追加
半導体基板上の一つのベース層上に形成された複数のエミッタ層から構成されるヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、放熱を効率良く行ない、エミッタ間の放熱のばらつきを大幅に低減できるヘテロ接合バイポーラトランジスタなどの半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
In this TTL strobe light control device, a control part 6 includes at least either a logarithm compression part 4 including a parasitic bipolar transistor 7 due to the production process of a complementary MOS integrated circuit formed on a common semiconductor substrate or an index extension part 5 including an MOS transistor 8 actuated in a sub threshold area.例文帳に追加
本発明のＴＴＬストロボ調光装置では、制御部６が、共通の半導体基板上に形成された相補型ＭＯＳ集積回路の製造プロセスに起因する寄生バイポーラトランジスタ７を含む対数圧縮部４と、サブスレッショルド領域で作動するＭＯＳトランジスタ８を含む指数伸長部５の少なくともいずれか一方を含むことを特徴とする。 - 特許庁
The method, which is integrated with a Bi CMOS process and which forms the polysilicon-to-polysilicon capacitor, comprises a step in which the lower-part plate electrode of the capacitor is formed, while the gate electrode of a CMOS transistor is stuck and a step in which an upper-part SiGe plate electrode is formed, while the SiGe base region of a heterojunction bipolar transistor is grown.例文帳に追加
ＢｉＣＭＯＳプロセスと一体化されたポリシリコン−ポリシリコン間キャパシタを形成する方法が、ＣＭＯＳトランジスタのゲート電極の付着の間に、ポリシリコン−ポリシリコン間キャパシタの下部プレート電極を形成するステップと、ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタのＳｉＧｅベース領域の成長の間に、上部ＳｉＧｅプレート電極を形成するステップとを含む。 - 特許庁
A bipolar photo-electrochemical process is disclosed for electroless deposition (referred to as photo Bi-OCD) of a metallic compound onto the top surface of a semiconducting substrate whereby differential illumination of the front side of the substrate versus the back side of the substrate provides a driving force to separate the cathodic and anodic partial reactions leading to high yield deposition of the metallic compound.例文帳に追加
半導体基板の表面に金属化合物を無電解析出（光Ｂｉ−ＯＣＤとよばれる）させるバイポーラ光電気化学プロセスであって、基板の表側と基板の裏側の異なった照度が、カソード反応とアノード反応とを分離する駆動力を形成し、高歩留まりの金属化合物の析出が得られるプロセスが開示されている。 - 特許庁
A lithium sulfate aqueous solution is prepared by treating lithium carbonate, lithium-containing ore, used lithium ion secondary battery or the like with sulfuric acid, and the lithium sulfate aqueous solution is subjected to electrodialysis by using cation exchange membrane, bipolar membrane and anion exchange membrane disposed between a cathode and an anode, further, a refining process is added and, thereby, the lithium hydroxide aqueous solution in which the impurities are reduced is prepared.例文帳に追加
炭酸リチウム、リチウム含有鉱石、使用済みリチウムイオン二次電池などを硫酸処理して硫酸リチウム水溶液とし、この硫酸リチウム水溶液を、陽極と陰極の間に陽イオン交換膜、バイポーラ膜および陰イオン交換膜を使用した電気透析し、精製工程を加えて不純物を低減した水酸化リチウム水溶液を生成させる。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing conductive particulates which obviates the flocculation of particulates in a plating liquid, is simple in process steps and makes it possible to obtain conductive particulates having plating layers of an extremely uniform thickness, and to provide the method of manufacturing the conductive particulates capable of forming the uniform plating layers on all of the particulates without the occurrence of bipolar phenomena.例文帳に追加
めっき液中で微粒子が凝集するということがなく、工程が簡単で、かつ極めて均一な厚さのめっき層を有する導電性微粒子を得ることができる導電性微粒子の製造方法を提供すること、また、バイポーラ現象が生じることなく、全ての微粒子に対して均一なめっき層を形成することができる導電性微粒子の製造方法を提供する。 - 特許庁
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