「bipolar process」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A process for forming an emitter for a bipolar junction transistor and a bipolar junction transistor formed by the process are included.例文帳に追加

バイポーラ接合型トランジスタ用のエミッタを形成する工程、およびこの工程に従って形成されるバイポーラ接合型トランジスタである。 - 特許庁

PROCESS FOR SELECTIVE EPITAXIAL GROWTH AND BIPOLAR TRANSISTOR PREPARED BY USING SUCH PROCESS例文帳に追加

選択的エピタキシャル成長のためのプロセスとそのプロセスを使用することによって作成されるバイポーラトランジスタ - 特許庁

SELF-ALIGNMENT PROCESS FOR PRODUCING REENTRY FORM HETERO-JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加

ヘテロ接合バイポーラトランジスタにリエントリ形状を形成するためのセルフアライメント・プロセス - 特許庁

To provide a method for manufacturing a bipolar transistor without a high-temperature heat treatment process.例文帳に追加

高温熱処理行程を有しないバイポーラトランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

LATERAL BIPOLAR TRANSISTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING IT AND THEIR FABRICATING PROCESS例文帳に追加

横型バイポーラトランジスタ及び同トランジスタを有する半導体装置、並びにこれらの製造方法 - 特許庁

PROCESS FOR DOPING TWO LEVELS OF DOUBLE POLY BIPOLAR TRANSISTOR AFTER FORMATION OF SECOND POLY LAYER例文帳に追加

第二のポリ層の形成後に二重ポリバイポーラトランジスタの２つのレベルをドーピングするプロセス - 特許庁

To improve process efficiency in forming the emitter and collector of a horizontal bipolar transistor and the base of a vertical bipolar transistor, in a process of manufacturing a semiconductor device which has the horizontal and vertical bipolar transistors on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に、横型バイポーラトランジスタと縦型バイポーラトランジスタとが形成された半導体装置の製造方法において、横型バイポーラのエミッタ、コレクタ、および、縦型バイポーラトランジスタのベースの形成に際し、プロセス効率の向上を図ること。 - 特許庁

Next, the solution is deposited on a bipolar substrate by an arbitrary suitable low-cost process.例文帳に追加

この溶液を次いで任意の適切な低コストプロセスにより双極板基板上に堆積させる。 - 特許庁

Also, by not employing chemical mechanical planarization process during the fabrication of the bipolar structures, the complexity of process integration is reduced.例文帳に追加

また、バイポーラ構造の製作の間に、化学機械研磨プロセスを使用しないことにより、プロセス統合の複雑さが軽減される。 - 特許庁

To provide a vertical PNP-type bipolar transistor, having none of each problem related to the conventional vertical PNP-type bipolar transistor and is capable of easily incorporating in process flow of a typical standard bipolar transistor.例文帳に追加

従来の縦形ＰＮＰ型バイポーラトランジスタに関係した各問題を含まず、しかも「典型的な」標準バイポーラトランジスタのプロセスフローに容易に組み入れることのできる縦形ＰＮＰ型バイポーラトランジスタを提供すること。 - 特許庁

To stably provide a low on-resistance bipolar transistor having sufficient performance with simple manufacturing process.例文帳に追加

製造プロセスが簡単でしかも性能の良い低オン抵抗バイポーラトランジスタを安定的に供給する。 - 特許庁

To provide a bipolar transistor with a protruberant extrinsic self-aligned base that uses a selective epitaxial growth for BICMOS integration, and to provide a high-performance BiCMOS structure with minimum process complexity, without having to sacrifice the performances of either the bipolar transistors or CMOS devices.例文帳に追加

ＢＩＣＭＯＳ統合のために選択的エピタキシャル成長を用いる、隆起した外因性自己整合型ベースを有するバイポーラ・トランジスタを提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor device comprises a process for preparing a double SOI substrate, a process for forming a deep trench, a process for embedding the deep trench, a process for forming an opening 54, a process for forming a hole 56, a process for depositing polycrystalline silicon layer 80, and a process for forming a bipolar transistor.例文帳に追加

２重ＳＯＩ基板を用意する工程と、ディープトレンチを形成する工程と、ディープトレンチを埋め込む工程と、開口部54を設ける工程と、空孔部56を設ける工程と、多結晶シリコン層80を堆積する工程と、バイポーラトランジスタを形成する工程とを有している。 - 特許庁

To provide a lateral bipolar transistor in which current amplification factor can be enhanced, and to provide its fabricating process.例文帳に追加

電流増幅率を向上させることができる横型バイポーラトランジスタ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR WITH HIGH GAIN THAT CAN BE INTEGRATED WITH CMOS PROCESS, AND ITS FORMING METHOD例文帳に追加

ＣＭＯＳ工程と統合されることができる高い利得を有するバイポーラ接合トランジスタ及びその形成方法 - 特許庁

The forming method of the bipolar junction transistor capable of being integrated with a CMOS process of this invention forms a base region by adding a mask process and ion implantation process to the CMOS process.例文帳に追加

ＣＭＯＳ工程に統合されることができる本発明のバイポーラ接合トランジスタ形成方法は、ＣＭＯＳ工程でマスク工程及びイオン注入工程を追加することによってベース領域を形成する。 - 特許庁

In the process, a parasitic bipolar transistor turns on, and impact ionization is produced on the drain side, thus increasing the injection charged amount.例文帳に追加

また、このとき寄生バイポーラトランジスタがオンし、これによりドレイン側でインパクトイオン化が生じ注入電荷量が増える。 - 特許庁

In a manufacturing method of a semiconductor device having a bipolar transistor, a process for embedding the trench isolation into the trench is performed after a main heat process for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

バイポーラトランジスタを有する半導体装置の製造方法において、トレンチアイソレーションのトレンチへの埋込み工程を、半導体装置を製造する主要熱処理の後に行う。 - 特許庁

To effectively use a bipolar transistor such as a vertical PNP transistor which can be produced as a by-product in a process of a CMOS device.例文帳に追加

ＣＭＯＳデバイスのプロセスで、副産物的に作成できる縦型ＰＮＰトランジスタ等のバイポーラトランジスタに有効利用する。 - 特許庁

To make an effective use of a bipolar transistor such as a vertical PNP transistor produced as a by-product in a process of manufacturing a CMOS device.例文帳に追加

ＣＭＯＳデバイスのプロセスで、副産物的に作成できる縦型ＰＮＰトランジスタ等のバイポーラトランジスタに有効利用する。 - 特許庁

To provide a high-gain bipolar junction transistor that can be integrated with a CMOS process, and its forming method.例文帳に追加

ＣＭＯＳ工程に統合されることができる高利得を有するバイポーラ接合トランジスタ及びその形成方法を提供する。 - 特許庁

This method is provided with a process that signals having bipolar pulse waveforms are applied to ferroelectric elements for a prescribed time and a process that amplitudes of the signals having bipolar pulse waveforms are gradually reduced in predetermined intervals of time and with a prescribed amplitude change width.例文帳に追加

強誘電体素子に、所定の時間だけ、双極性パルス波形を有する信号を印加する過程と、所定の時間間隔及び所定の振幅変化幅で徐々に双極性パルス波形を有する信号の振幅を減少させる過程と、を設ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor device comprising performing a process subsequent to a bipolar base after covering an MOS passive element with an insulating film in a method for manufacturing an integrated circuit containing the bipolar and the MOS passive elements.例文帳に追加

バイポーラおよびＭＯＳ、受動素子を含む集積回路の製造方法において、ＭＯＳ、受動素子を絶縁膜で覆った後に、バイポーラのベース以降の工程を行うことを特徴とする半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a bipolar semiconductor device, adapted to reduce propagation of a basal plane dislocation to an epitaxial layer from an SiC single crystal substrate, thereby holding back temporal voltage deterioration in a forward direction, and also to provide a process for producing the bipolar semiconductor device.例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶基板からエピタキシャル層へのベーサルプレーン転位の伝播を低減し、これにより経時での順方向電圧劣化を抑制したバイポーラ型半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide the structure of a bipolar junction transistor (BJT) compatible with a process of a vertical MOSFET and to provide a method for processing the same.例文帳に追加

縦型ＭＯＳＦＥＴの加工と両立性があるバイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）の構造および加工方法を提供する。 - 特許庁

In the process for forming the opening, dry etching is performed so as to expose a second embedding oxide film 40 at an area 55 wherein a bipolar transistor is formed.例文帳に追加

開口部を設ける工程では、ドライエッチングを行って、バイポーラトランジスタ被形成領域55の、第２埋め込み酸化膜40を露出させる。 - 特許庁

To provide a bipolar semiconductor device with a high current amplification factor, which is manufactured with the high yield using an easy manufacturing process.例文帳に追加

容易な製造プロセスを用いて高い歩留まりで製造でき高い電流増幅率を備えたバイポーラ型半導体装置を提供する。 - 特許庁

To separate a collector layer from a board potential, without going through a complicated process in a semiconductor device, provided with a vertical PNP bipolar transistor.例文帳に追加

縦型ＰＮＰバイポーラトランジスタを備えた半導体装置において、煩雑な工程を経ることなく基板電位からコレクタ層を分離する。 - 特許庁

In this manner, gate and base regions of static induction transistors and bipolar junction transistors can be formed in a self-aligned process.例文帳に追加

このように、静電誘導トランジスタおよびバイポーラ接合トランジスタのゲート領域およびベース領域が、セルフアラインプロセスで形成可能である。 - 特許庁

In the process for forming the hole, wet etching is performed so as to remove the second embedding oxide film at the area wherein a bipolar transistor is formed.例文帳に追加

空孔部を設ける工程では、ウェットエッチングにより、バイポーラトランジスタ被形成領域内の第２埋め込み酸化膜を除去する。 - 特許庁

To provide a method of depositing layers with a hydrophilic property and electric conductivity in one process on a bipolar substrate for a fuel cell.例文帳に追加

燃料電池用双極板基板上に１工程プロセスで、親水性かつ電気伝導性の層を堆積させる方法を提供する。 - 特許庁

To provide the method for economically manufacturing the bipolar transistor, wherein the hydrogen concentration of a base layer is low with excellent characteristics, by the simple manufacturing process.例文帳に追加

ベース層の水素濃度が低く良好な特性を示すバイポーラトランジスタを簡易な製造工程で経済的に製造する方法を提供する。 - 特許庁

To form a pnp bipolar transistor without deteriorating characteristics in the manufacturing process of a CMOSFE having a strained channel MOSFET.例文帳に追加

歪みチャネルＭＯＳＦＥＴを有するＣＭＯＳＦＥの製造工程内で、特性の劣化をきたすことなくＰＮＰバイポーラトランジスタを形成する。 - 特許庁

The pseudomorphic high-electron-mobility transistors and the hetero-junction bipolar transistors are manufactured using a GaAs BiFET technology process.例文帳に追加

擬似構成整合型高電子移動度トランジスタおよびヘテロ接合バイポーラトランジスタは、ＧａＡｓ ＢｉＦＥＴ技術プロセスを用いて製造される。 - 特許庁

The bipolar pulsed electric field EP2 having both positive and negative polarities can thus be applied to the liquid 2 in the sterilization process part 10.例文帳に追加

これによって、殺菌処理部１０の液状物２に、正負両方の極性を持つ両極性パルス電界Ｅ_P2を印加することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device ensuring appropriate drivability and temperature characteristics of a bipolar transistor even by a CMOS manufacturing process.例文帳に追加

ＣＭＯＳ製造プロセスを使用しても、バイポーラトランジスタの適切な駆動能力や温度特性を得ることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide the amplifying apparatus which enables a relatively low processing cost because it does not need a Bi-CMOS process and is realized using only bipolar transistors.例文帳に追加

Ｂｉ−ＣＭＯＳプロセスを必要とせず、バイポーラトランジスタのみで実現できるのでプロセスコストを比較的安くできる増幅装置を提供する。 - 特許庁

To manufacture a bipolar transistor without performing an epitaxial growth process while avoiding a harmful effect caused by a multiple ion implantation method.例文帳に追加

多重イオン注入法により生じる弊害を回避しつつ、エピタキシャル成長工程を行なわずにバイポーラトランジスタを製造できるようにする。 - 特許庁

To provide a poly-emitter type bipolar transistor using a BCD device process, a manufacturing method therefor, a BCD device, and a manufacturing method therefor.例文帳に追加

複合高電圧素子工程を用いたポリエミッタ型バイポーラトランジスタ及びその製造方法、ＢＣＤ（複合高圧）素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, in the manufacturing process of the bipolar transistor associated with the present embodiment there is no need of forming a protective film, such as an SiN film separately as an etching stopper.例文帳に追加

したがって、本実施形態に係るバイポーラトランジスタの製造工程においては、エッチストッパーとして別途ＳｉＮ膜などの保護膜を成膜する必要がない。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an integrated circuit in which a bipolar circuit technology and a CMOS circuit technology are combined at the cost of a CMOS processing process, and to provide the integrated circuit.例文帳に追加

高特性の合併したバイポーラ回路とＣＭＯＳ回路とをＣＭＯＳ処理工程だけのコストで製造する方法および回路を提供する。 - 特許庁

At the same time, in other words, in the same process as the channel stopper 42, a base region 43 which constitutes a bipolar transistor is formed in a P type well 32-2.例文帳に追加

チャネルストッパー４２と同時に、すなわち同じ工程で、ｐ型ウェル３２−２にはバイポーラトランジスタを形成するベース領域４３が形成される。 - 特許庁

This can be manufactured using the same manufacturing process as that of the usual bipolar transistor and performance improvement and the cost reduction can be realized with a simple constitution.例文帳に追加

そして、通常のバイポーラトランジスターと同一の製造工程で製造できるので、簡易な構成で性能向上と低価格化が実現できる。 - 特許庁

To obtain a heterojunction bipolar transistor which is satisfactory in operating characteristics and operation stability by a method, wherein a collector resistance is lessened by the use of a current process technique.例文帳に追加

現状のプロセス技術を用いてコレクタ抵抗を低減することにより、動作特性がよく安定に動作するヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a highly reliable heterojunction bipolar transistor (HBT) without severely changing an existing facility for manufacturing an HBT and a manufacturing process.例文帳に追加

ＨＢＴを製造するための既存の設備および製造工程を大幅に変更することなく、高信頼性のへテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）を提供する。 - 特許庁