「bipolar process」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an image pickup device which is miniaturized, has a high performance and is reduced in power consumption by making a sample-and-hold (S/H) circuit composed of a bipolar process, an AGC circuit and an A/D converter composed of a CMOS analog process into one chip.例文帳に追加

バイポーラプロセスで構成されていたサンプルアンドホールド回路、ＡＧＣ回路と、ＣＭＯＳアナログプロセスで構成されていたＡＤコンバータとをワンチップ化し、小型、高性能、低消費電力の撮像装置を実現する。 - 特許庁

In a power source device 1, a control IC 3 manufactured by a bipolar process and a power supply element 4 manufactured by an MOS process are die-bonded on a lead frame 2 so that their chip ends are close to each other.例文帳に追加

電源用デバイス１は、バイポーラプロセスにより製造された制御用ＩＣ３とＭＯＳプロセスにより製造された電力供給用素子４のチップ端同士を密着させてリードフレーム２上にダイボンディングしている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device where a high breakdown voltage IGBT which does not generate a leakage current by a parasitic NPN transistor is formed basically through a bipolar high breakdown voltage vertical PNP process.例文帳に追加

バイポーラの高耐圧縦型ＰＮＰプロセスをベースにして、寄生ＰＮＰトランジスタに起因する漏洩電流の発生しない高耐圧ＩＧＢＴを形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, along with its manufacturing method, wherein the total heat treatment time in manufacturing process is shortened for accelerated bipolar transistor (especially a Bi-CMOS).例文帳に追加

製造過程の総熱処理時間が短縮され、バイポーラトランジスタが高速化された半導体装置（特にＢｉ−ＣＭＯＳ）およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To form a lateral bipolar transistor on a substrate of SOI structure using MOS process while ensuring a sufficient amplification factor.例文帳に追加

この発明はSOI構造の基板上に形成される横型バイポーラトランジスタに関し、MOSプロセスの流用により形成することができ、かつ、十分な増幅率を確保することを目的とする。 - 特許庁

To provide a novel method for forming a bipolar charge transport layer, and to provide an organic semiconductor structure having a charge transport layer and its fabrication process.例文帳に追加

両極性を有する電荷輸送層の新たな形成方法並びに電荷輸送層を備えた有機半導体構造物及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon photodetection module in which a silicon photodiode detection unit and a parasitic perpendicular bipolar junction transistor amplification unit are formed simultaneously by CMOS process.例文帳に追加

シリコンフォトダイオード検出ユニットおよび寄生垂直バイポーラ接合トランジスタ増幅ユニットがＣＭＯＳプロセスによって同時に形成され得るシリコン光検出モジュールを提供する。 - 特許庁

In one case of implementation, by using an appropriate process such as PVD or CVD, titanium as pure metal or an oxide is deposited on the surface of the stainless steel bipolar plate.例文帳に追加

一実施形態では、ＰＶＤやＣＶＤなど適切なプロセスを使用して、純金属または酸化物としてチタンがステンレス鋼バイポーラプレートの表面に堆積される。 - 特許庁

To simplify process in a method for manufacturing a monolithic microwave integrated circuit, in which a heterojunction bipolar transistor(HBT) and a resistor and a capacity are set on the same substrate.例文帳に追加

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）と抵抗体、キャパシタを同一基板上に設置したモノリシックマイクロ波集積回路の製造方法において、プロセスの簡略化を図る。 - 特許庁

To provide, at low costs, a bipolar transistor having the excellent high frequency characteristic by forming a SIC layer having the predetermined retro-grade profile with the simplified process and by reducing a junction capacitance between the base and collector in the method of manufacturing the bipolar transistor including the SIC layer.例文帳に追加

ＳＩＣ層を有するバイポーラトランジスタの製造方法において、簡便な工程により所望のレトログレードプロファイルを有するＳＩＣ層を形成すると共にベース・コレクタ間の接合容量を低減して、高周波特性に優れたバイポーラトランジスタを低コストで提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing semiconductor devices that enables small, inexpensive, high performance, and high value-added bipolar transistors to be easily manufactured in the CMOS process.例文帳に追加

高性能かつ小面積でコスト高とならない、付加価値の高いバイポーラトランジスタをＣＭＯＳ工程に容易に付加して形成することが可能となる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a heterojunction bipolar transistor which is capable of reducing base extraction resistance and achieving higher speed while simplifying a manufacturing process.例文帳に追加

製造プロセスの簡略化を行いつつ、ベース引き出し抵抗を低減し、より一層の高速化を図ることができるヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a variable resistance element having a simple structure, requiring no forming process and exhibiting bipolar type I-V characteristics by using a titanium oxide, and a resistance variable non-volatile memory element.例文帳に追加

チタン酸化物を用い、構造が単純でフォーミング過程を必要とせず、バイポーラ型のＩ−Ｖ特性を示す可変抵抗素子および抵抗変化型の不揮発性メモリ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a heterojunction bipolar transistor in which parasitic base-collector capacity is reduced significantly in a base electrode lead-out region 12 without requiring any special process.例文帳に追加

特殊なプロセスを必要とせずに、ベース電極引き出し領域１２の寄生のベース・コレクタ容量が大幅に低減されたヘテロ接合バイポーラトランジスタを製造する方法を提供すること。 - 特許庁

To achieve a method of manufacturing semiconductor device for forming a fuse element having small variation in resistance value without dividing a silicidation process between an MOS transistor and an HBT (heterojunction bipolar transistor).例文帳に追加

シリサイド化の工程をＭＯＳトランジスタ及びＨＢＴと別けることなく、抵抗値のばらつきが小さいヒューズ素子を形成する半導体装置の製造方法を実現できるようにする。 - 特許庁

To obtain a hetero junction bipolar transistor of high current gain, by avoiding crystalline degradation of a carbon-added InGaAs layer by thermal history in an organometallic chemical vapor deposition process, in a preparation method of a hetero junction bipolar transistor with a carbon-added InGaAs layer as a base layer.例文帳に追加

炭素添加ＩｎＧａＡｓ層をベース層として有するヘテロ接合バイポーラトランジスタの作製方法において、有機金属化学気相成長工程中の熱履歴による炭素添加ＩｎＧａＡｓ層の結晶性劣化を回避することにより、電流利得の高いヘテロ接合バイポーラトランジスタを得ること。 - 特許庁

To provide a bipolar plate for solid high polymer electrolyte type fuel cell which is light weight/high function, with a manufacturing process and handling which can be simplified and reducing gas permeability.例文帳に追加

軽量・高性能化、製造コストの低減、製造工程や取り扱いの簡略化が可能で、ガス透過率を低減することもできる、固体高分子電解質型燃料電池用バイポーラプレートを提供する。 - 特許庁

To cope with both the cost reduction and the high frequency response characteristics of a longitudinal NPN bipolar transistor having a polysilicon emitter electrode structure, by controlling the current amplification factor of the transistor without adding any process.例文帳に追加

ポリシリコンエミッタ電極構造の縦型ＮＰＮバイポーラトランジスタの電流増幅率を、何らの工程を付加することなく制御し、低コスト化とバイポーラトランジスタの高周波数応答特性とを両立させる。 - 特許庁

Using that capacitance as at least a part of a balance capacitance constituting an oscillation circuit, a bipolar transistor having a small operating region 2 and functioning as an oscillation amplifier is fabricated in a semiconductor manufacturing process.例文帳に追加

この容量を、発振回路を構成するバランス容量の少なくとも一部として、半導体製造工程で、トランジスタ動作領域２の小さい、発振アンプとして機能するバイポーラトランジスタに取り込む。 - 特許庁

To manufacture a BiCMOS where a CMOS transistor and a bipolar transistor are mixedly mounted on the same substrate by a simple process and at the same time to improve the reliability in the gate insulating film of the BiCMOS.例文帳に追加

ＣＭＯＳトランジスタと、バイポーラトランジスタとを同一基板に混載してなるＢｉＣＭＯＳを、簡便なプロセスで製造するとともに、当該ＢｉＣＭＯＳのゲート絶縁膜の信頼性を高める。 - 特許庁

To provide a process for manufacturing a semiconductor device which is used in a power converter, such as an inverter employing an IGBT (insulated gate bipolar transistor), and to provide a semiconductor device that exhibits high durability and reliability.例文帳に追加

ＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）等を用いたインバータ装置等の電力変換装置に使用される半導体装置の製造方法と耐久性と信頼性の高い半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a heterojunction bipolar transistor in which an emitter electrode having a T-shaped cross-section can be micromachined while being ensured in high precision manufacturing, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

本発明は、上述の点に鑑み、断面Ｔ字型エミッタ電極の微細化を可能にし、且つ高精度の製造を可能にしたヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a heterojunction bipolar transistor having a structure showing a good property without requiring any special wiring formation process such as an air bridge or the like in an HBT in which a mesa formation is performed by a dry etching.例文帳に追加

ドライエッチングによりメサ形成を行ったＨＢＴにおいて、エアブリッジなどの特別な配線形成工程を必要とせず、良好な特性を示す構造のヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。 - 特許庁

To make a circuit element for only inspecting bipolar devices for wiring delay time mountable on the same semiconductor substrate together with a bipolar device to be inspected, so that the management of a wiring process becomes easier and the productivity of the circuit element may be improved by reducing as much as possible the occupying area of the element by reducing the number of stages of inverters and enabling the element to measure with accuracy.例文帳に追加

インバータの段数を最小限に抑えて専有面積を極力小さくし、なおかつ精度良く測定できるようにすることで、配線遅延時間のみを対象として検査するための回路素子を同じ半導体基板上に搭載可能とし、これにより配線工程管理を容易にして生産性向上を図ることを課題とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, wherein a plurality of IIL devices and a bipolar transistor are formed on the same semiconductor substrate, by which ion implantation process into bases of the IIL devices and the bipolar transistor is made common to manufacture at low cost, the device is compact, and the flexibility of the design of a logic circuit will not deteriorate, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

複数のＩＩＬ素子とバイポーラトランジスタとが同じ半導体基板に形成されてなる半導体装置であって、ＩＩＬ素子とバイポーラトランジスタのベースのイオン注入工程を共通化して安価に製造することができ、小型で、論理回路設計の自由度が低下することのない半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

An analogue charge amplifier 58 is constituted by integrated bipolar technique and the reader circuit 48 of the amplifier is embodied by a BICMOS process being a system of digital technique, preferably, current mode logic(CML) technique.例文帳に追加

本発明では、アナログ電荷増幅器５８が、集積バイポーラ技術で構成され、増幅器の読出し回路４８はデジタル技術、好適には電流モード論理（ＣＭＬ）技術の形式であるＢＩＣＭＯＳプロセスで具現化される。 - 特許庁

To permit formation through the appropriation of an MOS process and secure a sufficient collector current, in reference to a horizontal bipolar transistor having a structure optimum for forming the same on an SOI substrate.例文帳に追加

この発明は、ＳＯＩ基板上に形成するうえで好適な構造を有する横型バイポーラトランジスタに関し、ＭＯＳプロセスの流用による形成を可能とし、かつ、十分なコレクタ電流を確保することを目的とする。 - 特許庁

To provide a sterilization apparatus capable of applying a bipolar pulsed electric field to a liquid in a sterilizing process part, while allowing extension of the life of a pulsed power supply component element and simplification of the arrangement of the apparatus.例文帳に追加

殺菌処理部の液状物に両極性パルス電界を印加することができ、しかもパルス電源構成素子の長寿命化および装置構成の簡素化を図ることのできる殺菌装置を提供する。 - 特許庁

Further, unlike GaInNAs and GaAsSb, which have been used in a conventional heterojunction bipolar transistor, the base layer is a single element crystal, so that composition control is not required and a crystal manufacturing process is easy.例文帳に追加

また、従来のヘテロ接合バイポーラトランジスタに用いられていたＧａＩｎＮＡｓやＧａＡｓＳｂと異なり、ベース層１が単元素の結晶であるため、組成制御の必要がなく結晶製造プロセスが容易である。 - 特許庁

To provide a recovery process of a high purity inorganic aqueous solution reducing the concentration of metal ions by electrodialysis using an electrodialyser constructed of using a bipolar membrane.例文帳に追加

バイポーラ膜を用いて構成された電気透析装置を使用し、このような電気透析装置を用いての電気透析によって、金属イオン濃度が低減された高純度の無機酸水溶液を回収する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a bipolar battery capable of simplifying a manufacturing process and a structure of the battery by omitting an insulating member, and capable of reducing the weight thereof; to provide a battery pack; and to provide a vehicle with them mounted thereon.例文帳に追加

絶縁部材を省略して、電池の製造工程および構造を簡略化でき、さらに、軽量化できるバイポーラ電池、組電池およびこれらを搭載した車両を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an input buffer and a semiconductor integrated circuit that can convert a signal according to an LVDS interface into a signal corresponding to an ECL interface with a configuration realized by a bipolar process so as to attain an input by the LVDS level interface.例文帳に追加

バイポーラプロセスにより実現し得る構成により、ＬＶＤＳインタフェースに従った信号をＥＣＬインタフェースに対応する信号に変換し、バイポーラプロセスにおいても、ＬＶＤＳレベルインタフェースによる入力を可能とする。 - 特許庁

In a process of fabricating BiCMOS, a bipolar base layer 10 is formed, a polycrystal silicon layer 15 and an insulating layer 16 are formed by lamination, then the layer is patterned to form an emitter electrode 17 and a gate electrode 18.例文帳に追加

ＢｉＣＭＯＳ製造工程において、バイポーラのベース層１０を形成し、多結晶シリコン膜１５と絶縁膜１６を積層して形成した後、その積層をパターニングしてエミッタ電極１７とゲート電極１８を形成する。 - 特許庁

The water treatment method for the cooling water system has a process for passing supply water or circulating water through a electrolytic apparatus 2 having a bipolar electrode changed in polarity to precipitate a scale component contained therein.例文帳に追加

極性が変わるバイポーラ電極を有する電解装置２に補給水または循環水を通水して、補給水または循環水に含まれるスケール成分を析出させる工程を有する冷却水系の水処理方法である。 - 特許庁

To improve lowering of hFE and degradation in reliability with a low current caused by the increase of a surface recoupling current by preventing the exposure of a silicon part in a bipolar transistor forming area when forming the sidewall of an MOS transistor in a Bi-CMOS process.例文帳に追加

Ｂｉ−ＣＭＯＳプロセスにおいて、ＭＯＳトランジスタのサイドウォール形成時にバイポーラトランジスタ形成領域のシリコン部分の露出を防いで、表面再結合電流の増加による低電流でのｈ_FEの低下、信頼性の悪化を改善する。 - 特許庁

To provide an electrophotographic method, electrophotographic device, and electrophotographic process cartridge for providing photoreceptors capable of responding to bipolar charge and stably providing a high-quality image even by repeated use by using these photoreceptors.例文帳に追加

両極性帯電に対応できうる感光体が得られ、それらの感光体を用いることにより，繰り返し使用においても高画質画像が安定に得られる電子写真方法、電子写真装置、ならびに電子写真用プロセスカートリッジを提供する。 - 特許庁

Since the reference voltage generating section 16 generates reference voltage VREF from the voltage between a base and an emitter in a bipolar type transistor in which dispersion caused by temperature and a manufacturing process is small, dispersion of a detection level in power source voltage VCC can be made small.例文帳に追加

基準電圧発生部１６は、温度、製造プロセスのばらつきが少ないバイポーラ形トランジスタにおけるベース−エミッタ間電圧から基準電圧Ｖ_REF を生成しており、電源電圧Ｖ_CCにおける検出レベルのばらつきを小さくすることができる。 - 特許庁

A conductive film 50 formed by filling a conductive film in trenches reaching a buried oxide film 101 in an SOI substrate 100 is utilized for the emitter and/or collector to thereby constitute a bipolar transistor in a simple process.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１００中の埋め込み酸化膜１０１に到達するトレンチ溝に導電性の膜を充填して形成した導電性の膜５０をエミッタおよび／またはコレクタに利用することにより簡単なプロセスでバイポーラトランジスタを構成する。 - 特許庁

A method of manufacturing high purity alkali from the salt includes, (a) a process for preparing an alkali solution containing salt impurity by treating the supply flow of the salt solution in an electrodialysis cell including a bipolar membrane and (b) a process for recovering a purified alkali solution and a 2nd solution containing the salt by passing the solution in the process (a) through a chromatographic column containing an amphoteric ion exchange resin.例文帳に追加

塩から高純度アルカリを製造する方法であって、(a) バイポーラ膜を含んでなる電気透析セル内で塩溶液の供給流れを処理して、塩不純物を含有するアルカリ溶液を製造する工程；および(b) 工程(a)の溶液を、両性イオン交換樹脂を含有するクロマトグラフカラムに通して、精製アルカリ溶液および塩を含有する第２の溶液を回収する工程を含んでなる上記方法。 - 特許庁

The bipolar electrode 10 has a positive electrode layer 12 and a negative electrode layer 13 formed on a front and rear face of a collector 11, and the positive electrode layer 12 is formed through a process of coating an electrode material twice (first layers 121, 141 and second layers 122, 142).例文帳に追加

集電体１１の表裏面に正極層１２および負極層１３を形成した双極型電極１０であり、正極層１２を電極材料を２回塗布する工程（第１層１２１、１４１と第２層１２２、１４２）によって形成する。 - 特許庁

To provide an insulated gate bipolar transistor having switching characteristics improved by avoiding cracking failures, since the total thickness of a substrate is thin, and the cracking failures are thereby frequently caused and a yield is deteriorated during a manufacturing process, in a conventional NPT-IGBT.例文帳に追加

従来のＮＰＴ−ＩＧＢＴは、基板トータル厚みが薄いため、製造工程中の割れ不良の発生が多く、歩留まりが悪く、割れ不良を回避してスイッチング特性を向上させた絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a low breakdown voltage MOS, a high breakdown voltage MOS, and a bipolar transistor formed on the same semiconductor substrate in which a high reliability npn transistor having a low leak current with no variation is fabricated, and to provide its fabricating process.例文帳に追加

同一半導体基板に低耐圧ＭＯＳ、高耐圧ＭＯＳ、バイポーラトランジスタが形成された半導体装置において、リーク電流が小さい、リーク電流の変動がない高信頼性のｎｐｎトランジスタを有する半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To increases inductor characteristics and reliability by eliminating residue and defect of shape of wiring made of Al or the like, and further to shorten processing time by avoiding problems to become the bottleneck in a process, in a semiconductor device having an inductor of a multiplayer interconnection structure in an on-chip state formed on a double poly-silicon type bipolar transistor.例文帳に追加

ダブルポリシリコン型バイポーラトランジスタ上にオンチップで形成される多層配線構造のインダクタを有する半導体装置において、Ａｌ等の配線の残さや形状不良をなくしてインダクタ特性及び信頼性を高め、プロセスネックとなるような問題を回避して加工時間も短縮する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal semiconductor which exhibits a smectic phase of higher order around room temperature and can form a smectic liquid crystalline thin film, which is stable at room temperature by a solution process, and also exhibits excellent bipolar charge-transporting properties; and a thin film transistor or the like using such a liquid crystalline semiconductor.例文帳に追加

室温付近で高次のスメクティック相を示し、溶液プロセスにより室温で安定なスメクティック液晶性薄膜を形成できることに加え、優れた両極性の電荷輸送性を示す液晶性半導体並びにこれを用いた薄膜トランジスター等を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, which prevents reduction in hFE in low current due to an increase of the surface recombination current in a bipolar transistor and can microscopically form the device by forming an external base region in a self alignment manner to an emitter polycrystalline silicon film in a BiCMOS process.例文帳に追加

ＢｉＣＭＯＳプロセスにおいて、バイポーラトランジスタの表面再結合電流の増大による低電流でのｈ_FEの低下を防止し、外部ベース領域をエミッタ多結晶シリコンに対して自己整合的に形成することで微細化が可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁