a SICとは 意味・読み方・使い方

To prevent the crystallization of gaseous SiC by removing gaseous SiC in a surrounded furnace.例文帳に追加

包囲炉内のＳｉＣガスを除去し、ＳｉＣガスの結晶化を防ぐこと。 - 特許庁

The GaN layer 16 to the upper surface of the SiC substrate 11 or a part of the substrate is removed.例文帳に追加

GaＮ層16をSiC基板11の上面まであるいは基板の一部を除去する。 - 特許庁

To provide a high quality SiC single crystal substrate useful for enhancing the yield and stability of a device, a seed crystal for producing the high quality SiC single crystal substrate, and a method for producing the high quality SiC single crystal substrate.例文帳に追加

デバイスの歩留まり、安定性を高めるための、高品質SiC単結晶基板、高品質SiC単結晶基板製造用種結晶並びに高品質のSiC単結晶基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

As the C atom-supplying substrate 17, at least one substrate chosen from the group consisting of a carbon substrate, a porous SiC substrate, a sintered SiC substrate and an amorphous SiC substrate is used.例文帳に追加

前記C原子供給基板17として、カーボン基板、ポーラスSiC基板、焼結SiC基板、非晶質SiC基板からなる群から選ばれた少なくとも一種の基板を用いる。 - 特許庁

A spacer 19 with a thickness of about ≤50 μm is installed between the single crystal SiC substrate 5 and the C atom-supplying substrate 17 to control the thickness of the single crystal SiC grown between the single crystal SiC substrate 5 and the C atom-supplying substrate 17.例文帳に追加

前記単結晶SiC基板5と前記C原子供給基板17との間に約５０μｍ以下の厚さのスペーサ19を設け、前記単結晶SiC基板5と前記C原子供給基板17との間に成長される単結晶SiCの厚みを制御する。 - 特許庁

The SiC ceramic comprises SiC having a crystal phase defined as 049-1428 in the number of the JCPDS card and has SiC powder comprising SiC particles each having different particle diameter and a binder binding the SiC particles constituting SiC powder to each other and comprising SiC having different crystal phase from that of the SiC constituting the SiC particles.例文帳に追加

本発明のＳｉＣセラミックスは、ＪＣＰＤＳカード番号で０４９−１４２８と規定された結晶相をもつＳｉＣよりなり、異なる粒径をもつＳｉＣ粒子よりなるＳｉＣ粉末と、ＳｉＣ粉末を構成するＳｉＣ粒子同士を結合し、ＳｉＣ粒子を構成するＳｉＣとは結晶相が異なるＳｉＣよりなる結合材と、を有することを特徴とする。 - 特許庁

This SiC-based abrasion resistant material can be obtained by controlling the SiC purity in SiC powder used as a raw material, the crystal phase of SiC and the primary particle diameter of SiC.例文帳に追加

このＳｉＣ系耐摩耗材料は、原料となるＳｉＣ粉末におけるＳｉＣ純度、ＳｉＣの結晶相およびＳｉＣの一次粒子径を制御することにより、得ることができる。 - 特許庁

The silicon carbide (SiC) wafer 32 has a four-layer structure consisting of a first SiC film 34 to a fourth SiC film 40.例文帳に追加

炭化ケイ素ウエハ３２は、第１ＳｉＣ膜３４〜第４ＳｉＣ膜４０を有する４層構造となっている。 - 特許庁