「carrier concentration layer」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The carrier concentration near the pn junction of the low carrier concentration p type InP layer 26 is equal to or less than 5×10^17 cm^-3.例文帳に追加

低キャリア濃度ｐ型ＩｎＰ層２６のｐｎ接合近辺のキャリア濃度は５×１０^１７ｃｍ^−３以下である。 - 特許庁

The film 10 is formed on a high concentration carrier layer 3 (antireflection film 2) of the layer structure LS.例文帳に追加

膜１０は、層構造体ＬＳの高濃度キャリア層３（反射防止膜２）側に形成される。 - 特許庁

The metal layer forms an ohmic contact on a boundary 20 between the metal layer and the zone of increased carrier concentration.例文帳に追加

金属層は、漸増キャリヤー濃度帯との境界２０においてオーミックコンタクトを形成する。 - 特許庁

Base p type carrier concentration is increased by he AlGaN thin layer in the base layer (28).例文帳に追加

ベース層（２８）中のAlGaNの薄層がベースｐ型キャリア濃度を増加させる。 - 特許庁

To measure simply, quickly and at a low cost impurity concentration or resistivity (carrier concentration) of an SOI layer, which especially turns to a completed depleted layer.例文帳に追加

特に完全空乏化するようなＳＯＩ層の不純物濃度あるいは比抵抗（キャリア濃度）を簡便、迅速かつ低コストで測定する。 - 特許庁

To enable a δ-doped layer in a carrier feed layer to be made uniform in sheet carrier concentration, in a high electron mobility transistor wafer.例文帳に追加

高電子移動度トランジスタ用ウェハにおいて、そのキャリア供給層中のδドープ層のシートキャリア濃度のばらつきを小さくする。 - 特許庁

To provide a method of forming a high carrier concentration thin film semiconductor layer, forming a semiconductor layer extremely higher in carrier concentration than a semiconductor layer on a surface of the semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層の表面に、その半導体層よりも非常にキャリア濃度の大きい半導体層を形成する高キャリア濃度の薄膜半導体層の形成方法を提供する。 - 特許庁

The layer structure LS1 includes an n-type high concentration carrier layer 3, an n-type light absorbing layer 5, and an n-type cap layer 7.例文帳に追加

層構造体ＬＳ１は、ｎ型の高濃度キャリア層３、ｎ型の光吸収層５、及びｎ型のキャップ層７を含んでいる。 - 特許庁

this causes the amount of impurity atoms in the p-type clad layer 25 to be increased, making the carrier concentration high.例文帳に追加

こうして、ｐ型クラッド層２５の不純物原子のドープ量を多くしてキャリア濃度を高くする。 - 特許庁

A contact electrode 17 is arranged on the stepped part 4 of the high-concentration carrier layer 3a.例文帳に追加

高濃度キャリア層３ａの段差部分４には、コンタクト電極１７が配置される。 - 特許庁

The carrier-supplying layer 104 has a carbon concentration that exceeds 2×10^17 cm^-3.例文帳に追加

キャリア供給層１０４は、カーボン濃度が２×１０^１７ｃｍ^−３以上である。 - 特許庁

The layer 13 has a carrier concentration of not more than 1×10^17 cm^-3.例文帳に追加

ｎ型窒化ガリウム系半導体層１３は、１×１０^１７ｃｍ^−３以下のキャリア濃度を有する。 - 特許庁

The concentration of impurities in the semiconductor region 44 differs from that in the carrier accumulation layer 58.例文帳に追加

半導体領域４４の不純物濃度とキャリア蓄積層５８の不純物濃度が異なっている。 - 特許庁

This makes uniform the doping concentration of Zn or Mg in the layer thickness direction, and hence a satisfactory surface carrier concentration is obtained for forming an ohmic contact with a p-type electrode 10, without raising the carrier concentration at an initial growth stage.例文帳に追加

ＺｎまたはＭｇのドーピング濃度を層厚方向に均一にできるので、成長開始時のキャリア濃度を高くしなくても、ｐ型電極１０とオーミックコンタクトを取るために十分な表面キャリア濃度が得られる。 - 特許庁

To sufficiently assure a carrier confinement effect to high carrier concentration n+ layer side with only a simple manufacturing process.例文帳に追加

簡単な製造工程の変更だけで、高キャリア濃度ｎ^+ 層側へのキャリアの閉じ込め効果を十分に確保する。 - 特許庁

To obtain a large output at high temperatures by increasing the carrier concentration of a clad layer and preventing diffusion of impurities of the cladding layer into an active layer.例文帳に追加

クラッド層のキャリア濃度を高めると共に、クラッド層中の不純物の活性層への拡散を防止して、高温で大きな出力を得る。 - 特許庁

The pixel includes a semiconductor layer constituted of an oxide semiconductor layer, and the oxide semiconductor layer has a carrier concentration of less than 1×10^14/cm^3.例文帳に追加

画素は、酸化物半導体層でなる半導体層を具備し、酸化物半導体層は、キャリア濃度が１×１０^１４／ｃｍ^３未満である。 - 特許庁

The carrier concentration of the n-type Al_yGa_(1-y)As second clad layer 14 is lower than the carrier concentration of the n-type Al_yGa_(1-y)As first clad layer 13.例文帳に追加

ｎ型Ａｌ_ｙＧａ_（１−ｙ）Ａｓ第２クラッド層１４のキャリア濃度は、ｎ型Ａｌ_ｙＧａ_（１−ｙ）Ａｓ第１クラッド層１３のキャリア濃度に比べて低くなっている。 - 特許庁

In the semiconductor laser in which light generated in an active layer is emitted through a window, the window formed on a substrate is formed with a first semiconductor layer formed with a first carrier concentration and a second semiconductor layer formed on the first semiconductor layer so as to comprise the extended surface of the active layer with a second carrier concentration lower than the first carrier concentration.例文帳に追加

活性層で発生した光が、窓部を経て出射される半導体レーザにおいて、基板上に形成された窓部は、第１のキャリア濃度で形成された、第１の半導体層と、第１の半導体層上に、活性層の延長面を含むように形成され、かつ、第１のキャリア濃度より低い第２のキャリア濃度で形成された、第２の半導体層とを有している。 - 特許庁

A carrier storage preventive layer 8 having a striped opening section in the top face of a ridge section, a low carrier concentration layer 9 and an N-current block layer 10 are formed successively on a P-clad layer 6 with a ridge section.例文帳に追加

リッジ部を有するｐ−クラッド層６上に、リッジ部の上面にストライプ状開口部を有するキャリア蓄積防止層８、低キャリア濃度層９およびｎ−電流ブロック層１０が順に形成されている。 - 特許庁

The window is formed with a third semiconductor layer formed on the second semiconductor layer with a third carrier concentration.例文帳に追加

窓部にはさらに、第２の半導体層の上方に、第３のキャリア濃度で形成された第３の半導体層が設けられている。 - 特許庁

To improve carrier concentration of a p-type semiconductor layer much more than a conventional case and to promote p-type activation of the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型半導体層のキャリヤー濃度を従来よりも高めて、ｐ型半導体層のｐ型活性化を促進させること。 - 特許庁

An inner diffusion layer 118 and a low carrier concentration semiconductor layer 119 are also formed on the light receiving surface side.例文帳に追加

また、受光面側にも、内部拡散層１１８及び低キャリア濃度半導体層１１９が形成される。 - 特許庁

The carrier concentration of the first window layer 4a is set lower than that of the second window layer 4b.例文帳に追加

第１の窓層４ａのキャリア濃度は、第２の窓層４ｂのキャリア濃度より低く設定されている。 - 特許庁

The life time of a carrier injected from the p-type diffusion layer 12 to the n-type low-concentration layer 11 is 1 to 20 μs.例文帳に追加

Ｐ型拡散層１２からＮ型低濃度層１１に注入されるキャリアのライフタイムは１〜２０μｓである。 - 特許庁

The semiconductor light-receiving element is manufactured by forming a recess 1a in the upper surface of the high carrier concentration layer 1 and growing the i layer 2 to make the recess 1a filled.例文帳に追加

製造方法としては、該高キャリア濃度層１の上面に凹部１ａを形成し、該凹部内にｉ層２を成長させ充填する。 - 特許庁

Each active layer 2A-2F has a carrier concentration (impurity concentration) that differs from the others, respectively and is separated by inactive layers 3, whose carrier concentrations are low and the electrical resistivities are high.例文帳に追加

各活性層２Ａ〜２Ｆはそれぞれ異なるキャリア濃度（不純物濃度）を有しており、キャリア濃度が少なく電気抵抗率の大きな不活性層３で分離されている。 - 特許庁

In this epitaxial wafer having the double heterostructure, the ratio of the carrier concentration C2 of the p-type GaAs substrate 4 to the carrier concentration C1 of the p-type GaAlAs clad layer 3 is so determined as to have the relation 25≤ C2/C1≤ 70.例文帳に追加

このダブルヘテロ構造をしたエピタキシャルウェハにおいて、ｐ型ＧａＡｓ基板４のキャリア濃度Ｃ２とｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３のキャリア濃度Ｃ１との比が２５≦Ｃ２／Ｃ１≦７０の関係にあるように定める。 - 特許庁

The carrier storing layer 4 has a high concentration impurity layer 4a and a low concentration impurity layer 4b.例文帳に追加

キャリア蓄積層４は、高濃度不純物層４ａと低濃度不純物層４ｂとを有し、高濃度不純物層４ａは１．５μｍ以上の厚さであり、この層の不純物濃度が層全体にわたり１．０×１０^１６ｃｍ^−３以上であるようにした。 - 特許庁

Subsequently, a phosphorus is introduced into the I-layer 2 to form a phosphorus processing layer 4 having a relatively high impurity concentration to the exposed I-layer 2, which surrounds the I-layer 2 with the layer 4 and the substrate 1, increasing a carrier concentration per unit volume in the I-layer 2 by decreasing the volume of the I-layer 2.例文帳に追加

続いてＩ層２にリンを導入して、露出したＩ層２に相対的に不純物濃度が高いリン処理層４を形成することにより、Ｉ層２をリン処理層４およびｎ型高濃度基板１で囲み、Ｉ層２の体積を小さくしてＩ層２における単位体積あたりのキャリア濃度を上げる。 - 特許庁

The band gap of the carrier storage preventive layer 8 is set between that of the p-clad layer 6 and that of the low carrier concentration layer 9.例文帳に追加

キャリア蓄積防止層８のバンドギャップは、ｐ−クラッド層６のバンドギャップと低キャリア濃度層９のバンドギャップとの中間に設定される。 - 特許庁

In the method for measuring the carrier concentration, where the carrier concentration of the silicon epitaxial layer grown on a silicon wafer is measured by means of the surface photovoltage technique, a depletion layer of maximum width is formed by applying an electric field on the surface of the silicon epitaxial wafer and the carrier concentration is obtained by measuring the maximum depletion layer width.例文帳に追加

シリコンウエーハ上に成長させたシリコンエピタキシャル層のキャリア濃度を表面光電圧法によって測定するキャリア濃度測定方法であって、シリコンエピタキシャルウエーハの表面に電界を印加して最大空乏層幅の空乏層を形成し、該最大空乏層幅を測定することによってキャリア濃度を求めることを特徴とするキャリア濃度測定方法。 - 特許庁

A p-type InP buffer layer 2 containing low concentration Zn, and an undoped InP buffer layer 3 with a carrier concentration of 3×10^17 cm^-3 or less, are stacked on a p-type InP substrate 1 containing Zn.例文帳に追加

Znを含むｐ型InP基板１の上に、低濃度のZnを含むｐ型InPバッファ層２、キャリア濃度が３×１０^１７ｃｍ^−３以下となるアンドープInPバッファ層３を積層する。 - 特許庁

To provide a high breakdown voltage and high output power field- effect transistor in which the carrier concentration in a channel layer can be increased without increasing the n-type impurity concentration in the channel layer, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

チャネル層のｎ型不純物濃度を高くすることなく、チャネル層内のキャリア濃度を高めることができる高耐圧・高出力電界効果トランジスタおよびその製造方法の提供。 - 特許庁

The buffer layer which has carrier concentration higher than that of the semiconductor layer is formed intentionally among the source electrode layer, the drain electrode layer, and the semiconductor layer, thereby an ohmic contact is formed.例文帳に追加

ソース電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、半導体層よりもキャリア濃度の高いバッファ層を意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 - 特許庁

The embedding layer 20 includes a low carrier concentration p type InP layer 26 (p type semiconductor layer) and an n type InP layer 24 (n type semiconductor layer) constituting pn junction 30.例文帳に追加

埋込層２０は、ｐｎ接合３０を構成する低キャリア濃度ｐ型ＩｎＰ層２６（ｐ型半導体層）とｎ型ＩｎＰ層２４（ｎ型半導体層）を有する。 - 特許庁

The method for vapor growth of growing the epitaxial layer on a semiconductor substrate comprises growing the epitaxial layer by measuring previously the concentration of a carrier of the semiconductor substrate at a room temperature and then by controlling a set temperature of the substrate responding to the carrier concentration at the room temperature so that a real surface temperature of the substrate may become a desired temperature regardless of the carrier concentration of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上にエピタキシャル層を成長させる気相成長方法において、予め半導体基板の室温におけるキャリア濃度を測定し、該半導体基板のキャリア濃度に関わらず実際の基板の表面温度が所望の温度となるように、前記室温におけるキャリア濃度に応じて基板の設定温度を制御し、エピタキシャル層を成長させるようにした。 - 特許庁

The electron-carrier concentration can be changed by a donor dopant added to the gallium nitride epitaxial layer 45.例文帳に追加

電子キャリア濃度は、窒化ガリウム系エピタキシャル層４５に添加されるドナードーパントによって変更可能である。 - 特許庁

The gallium nitride epitaxial layer 45 has an electron-carrier concentration less than 5×10^16 cm^-3.例文帳に追加

窒化ガリウム系エピタキシャル層４５は、５×１０^１６ｃｍ^−３未満の電子キャリア濃度を有する。 - 特許庁

In addition, the carrier concentration of the gallium nitride epitaxial layer 15 is 1×10^14 cm^-3 or more and 1×10^17 cm^-3 or less.例文帳に追加

また、窒化ガリウムエピタキシャル層１５のキャリア濃度は、１×１０^１４ｃｍ^−３以上１×１０^１７ｃｍ^−３以下である。 - 特許庁

The n^- GaAs layer 4 has a low carrier concentration of 1.2×10^17 cm^-3, and comes into Schottky contact with the anode electrode 5.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ層４は、キャリア濃度が１．２×１０^17ｃｍ^-3と低く、アノード電極５とショットキー接触する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device comprising a p-type ZnO-based oxide semiconductor layer having a stabilized high carrier concentration and its fabricating method.例文帳に追加

安定した高いキャリア濃度のｐ形ＺｎＯ系酸化物半導体層を有する半導体装置およびその製法を提供する。 - 特許庁

Also, the carrier concentration of the gallium-nitride epitaxial layer 15 is not smaller than 1×10^14 cm^-3 and not larger than 1×10^17 cm^-3.例文帳に追加

また、窒化ガリウムエピタキシャル層１５のキャリア濃度は１×１０^１４ｃｍ^−３以上１×１０^１７ｃｍ^−３以下である。 - 特許庁

The low resistive layer 14, for example, is formed by doping impurities into the metal oxide film and by increasing a carrier concentration.例文帳に追加

低抵抗層１４は、例えば、金属酸化膜に不純物をドーピングし、キャリア濃度を増加させることにより形成される。 - 特許庁

The n^+ GaAs layer 3 has a high carrier concentration of 5×10^18 cm^-3, and comes into ohmic contact with the cathode electrode 6.例文帳に追加

ｎ＋ＧａＡｓ層３は、キャリア濃度が５×１０^18ｃｍ^-3と高く、カソード電極４とオーミック接触する。 - 特許庁