「clean interface」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a Schottky diode which is improved in electrical properties by forming a clean Schottky interface where irregularities at atomic level are not present and no crystal defect and no contaminant reside.例文帳に追加

ショットキーダイオードにおいて、原子レベルで凹凸がなく、結晶欠陥や汚染物を挟まない清浄なショットキー界面を形成することによって、電気特性を向上させること。 - 特許庁

To obtain a clean interface by removing contaminants containing the single bond of carbon that especially cannot be removed by a conventional method in the contamination of interfaces, in the manufacturing process of a semiconductor device, which includes a forming of a lamination layer.例文帳に追加

積層形成を行う半導体装置の製造において、界面の汚染のうち特に従来の方法では除去できない炭素の一重結合を含む汚染物を除去し、清浄な界面を得る。 - 特許庁

A film can be formed without exposing an interval between a cleaning step and a film forming step to air by connecting a cleaning chamber to a film forming chamber, and to hold clean an interface between respective films constituting TFT.例文帳に追加

洗浄室と成膜室をつなげることにより、洗浄工程と成膜工程の間を大気に曝すことなく成膜を行うことができ、ＴＦＴを構成する各被膜界面を清浄に保つことが可能となる。 - 特許庁

Thereby, the adhesion between the diffusion barrier layer and the copper film is accelerated and a clean interface layer can be formed.例文帳に追加

その供与分子は正に荷電した銅を金属銅に還元し、バリア層表面でフッ素と反応して揮発性フッ化ケイ素を生成し、それにより拡散バリア層と銅膜間の付着力を促進する、きれいな界面層を形成する。 - 特許庁

To suppress degradation of an air cleaning means for purifying air when performing environmental control of an interface which is a space for transferring an object to a processor installed in a clean room.例文帳に追加

クリーンルーム内に設置された処理装置へ処理対象物を移載するための空間であるインターフェースの環境制御を行なうにあたり、空気を浄化するための空気浄化手段の性能低下を抑える。 - 特許庁

To provide a method for keeping each coating interface, constituting a TFT in a clean state which will not be contaminated with contaminating impurities during fabrication process and for adding impurities to a crystalline semiconductor film without causing destruction of crystal.例文帳に追加

製造工程中ＴＦＴを構成する各被膜界面を汚染不純物に汚染されることなく清浄な状態に保ち、また、結晶質半導体膜に結晶破壊を起さずに不純物を添加する方法を提供する。 - 特許庁

Since the heat treatment is performed after the major surface of the operating region 18 in the epitaxial layer 12 is covered with the Schottky electrode 14, the major surface of the epitaxial layer can be kept in a clean state, resulting in a Schottky interface having high characteristics.例文帳に追加

本発明では、エピタキシャル層１２のうち動作領域１８の主面上がショットキー電極１４により覆われた後に熱処理を行なうので、エピタキシャル層の主面上を清浄な状態で保つことができ、特性の高いショットキー界面を得ることができる。 - 特許庁

To provide a method by which a highly reliable TFT (thin film transistor) can be manufactured in a high yield by forming a clean semiconductor film/gate insulating film interface and, at the same time, upgrading a semiconductor film or both the semiconductor film and a gate insulating film.例文帳に追加

清浄な半導体膜／ゲート絶縁膜界面を形成すると共に、半導体膜の高品質化、或いは半導体膜及びゲート絶縁膜の双方の高品質化を図り、歩留り及び信頼性の高いＴＦＴの製造方法を実現する事。 - 特許庁

To provide a sputtering device and a thin film forming method, wherein a multilayer film having a clean interface can be formed at a substrate temperature optimal for each film quality, and a predetermined surface treatment can be continuously carried out on a deposited film surface.例文帳に追加

本発明は、清浄な界面を有する多層膜をぞれぞれの膜質に最適な基板温度で形成することができ、また、堆積した膜表面に所定の表面処理を連続的に施すことができるスパッタリング装置及び薄膜形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The environment of a wafer treatment device is kept clean by local cleaning, the wafer stuck with contaminants is cleaned by washing, cleanness thereof is kept and the surface of the wafer is protected for preventing recontamination so that cleanness on the interface of a device configuration can be provided.例文帳に追加

基板処理装置の環境を局所的クリーン化によって清浄に保ち、汚染物付着基板を洗浄にて清浄化し、その清浄性を保持し、再汚染防止のために基板表面の保護を行うことで、デバイス構成の界面の清浄性を得るものである。 - 特許庁

In this clean hot cell for synthesizing radioactive medicine, and a group of the hot cells for radioactive medicine, the shielded chamber 3 in the hot cell 1 is controlled to have a positive pressure or a negative pressure inside to keep cleanness, or the hot cells 1 are disposed in the U-shape to provide the interface area 30 to keep cleanness in each hot cell 1 during work.例文帳に追加

本発明による放射性薬剤合成用クリーンホットセル及び放射性薬剤用ホットセル群は、ホットセル(1)の遮蔽室(3)内を陽圧及び陰圧に制御してクリーン度を保つ、各ホットセル(1)をコの字型に配置して得たインターフェースエリア(30)により、作業時の各ホットセル(1)内のクリーン度を保つ構成である。 - 特許庁

When a semiconductor manufacturing system, having a loader chamber 101, an unloader chamber 102, and a plurality of processing chambers 103-106 for depositing a film, and the like, disposed around a carrying chamber 107 is used, a TFT can be processed without being exposing to the atmosphere between each processing step, and each coating interface constituting the TFT can be kept in clean state.例文帳に追加

搬送室１０７を中心にローダ室１０１、アンローダ室１０２、成膜等の複数の処理室１０３〜１０６を有する半導体作製装置を用いることにより各処理工程の間をクリーンルーム大気に曝すことなく処理することができ、ＴＦＴを構成する各被膜界面を清浄に保つことが可能となる。 - 特許庁

The surface of the micro-phase isolated structure is capable of restraining the interface from adsorbing not only gaseous molecules 3 and 5 but also small suspended smuts 4, so that the precision apparatus can be protected against contamination by removing comparatively large suspended smuts 4 through a simple air cleaning device, and the clean room set up through a complete decontamination technique can be dispensed with.例文帳に追加

このようなミクロ相分離表面は界面上への気体分子３，５の吸着を抑制出来るだけで無く、小さな浮遊煤煙４の吸着も抑制出来るため、簡易的な空気清浄装置により比較的大きな浮遊煤煙を除去するだけで、精密機器の汚染を防止する事が出来るため、徹底した汚染対策技術を講じたクリーンルームが不要となる。 - 特許庁

To provide a method by which a surface oxide film formed on a semiconductor layer made of InGaAs or InGaAsP is effectively removed to form a clean flat surface and at the same time to form a semiconductor layer for relieving lattice distortion to relieve accumulated distortion at a growing interface and then a III-V group compound semiconductor layer having less defects and good crystallinity is regrown.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓもしくはＩｎＧａＡｓＰよりなる半導体層上に形成されている表面酸化膜を効果的に除去し、清浄で平坦な表面を形成すると同時に、格子歪みを緩和する半導体層を形成させて、成長界面に歪みの蓄積がなく、再成長膜に欠陥の発生の少ない結晶性の良好なIII−Ｖ族化合物半導体膜を再成長する方法を提供する。 - 特許庁