「cod end」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor laser device having a high reliability by arranging a surface film which is simple-structured and hardly suffers from COD deterioration on an end face of a resonator.例文帳に追加

簡単な構成によるＣＯＤ劣化の起きにくい表面膜を共振器の端面に配設することにより信頼性の高い半導体レーザ装置を構成する。 - 特許庁

Since the occurrence of COD can be prevented by suppressing the light absorption at the end face, the wavelength of the semiconductor laser element 31 can be shortened and the output of the element 31 can be increased.例文帳に追加

そのため端面での光吸収を抑制してＣＯＤの発生を防止できるので、半導体レーザ素子３１の短波長化及び高出力化が図れる。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser apparatus and its manufacturing method, wherein lowering of a COD level is reduced, and the reliability of a laser device is high, and further an end surface protective film is formed thereon.例文帳に追加

ＣＯＤレベルの低下が少なく、レーザ素子の信頼性の高い、端面保護膜が形成された半導体レーザ装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, mutual diffusion and interaction of atoms between the resonator end face and the end face coat film can be suppressed; and high COD tolerance, high output, and long lifetime can be provided to the nitride semiconductor laser element 10.例文帳に追加

これにより、共振器端面と端面コート膜との間での原子の相互拡散、相互反応を抑制でき、窒化物半導体レーザ素子１０をＣＯＤ耐性が高く、高出力かつ長寿命とすることができる。 - 特許庁

Consequently, non-emission recombination is prevented effectively on the end faces 1a and 1b of the resonator and in the vicinity thereof, a temperature rise is suppressed on the end faces 1a and 1b of the resonator and in the vicinity thereof, and COD is prevented.例文帳に追加

従って、共振器端面１ａ，１ｂおよびその近傍領域における非発光再結合が効果的に防止され、共振器端面１ａ，１ｂおよびその近傍領域の温度の上昇が抑制され、ＣＯＤが防止される。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser capable of improving a COD value without causing a failure caused by diffusing impurities to an end face and the vicinity.例文帳に追加

端面およびその近傍に不純物拡散を行うことによって生じる不具合を生じさせることなく、ＣＯＤ値を向上させることの可能な半導体レーザを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser and a manufacturing method thereof, in which the semiconductor laser can have an end face film for preventing generation of COD simply by a general semiconductor laser element manufacturing process.例文帳に追加

通常の半導体レーザ素子の製造プロセスのみによりＣＯＤの発生が抑制される端面膜を有することが可能な半導体レーザおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device as well as a manufacturing method for stably supplying it by preventing laser beam from being absorbed into a reflection film of a resonator end surface without degradation in COD.例文帳に追加

共振器端面の反射膜へのレーザ光吸収を防止し、ＣＯＤ劣化を起こさない半導体レーザ装置、およびそれを安定に供給できる製造方法を提供する。 - 特許庁

This nitride semiconductor laser device forms a window layer 27 on the end face of a nitride semiconductor laser device 10 not only to prevent heat generation caused by laser beam absorption but also to improve the COD level.例文帳に追加

窒化物半導体レーザ素子１０の端面に、レーザ光の光を吸収することによる発熱を防ぎ、ＣＯＤレベルを向上させるための窓層２７を形成する。 - 特許庁

To prevent the sticking of a conductive film for absorbing laser beams and to improve a COD level and surge breakdown voltage at the time of plasma-cleaning an end face as the preprocessing of a process of coating the resonator end face of a semiconductor laser with a dielectric film.例文帳に追加

半導体レーザの共振器端面を誘電体膜でコーティングする工程の前処理として前記端面をプラズマクリーニングする際に、レーザ光を吸収する導電性膜の付着を防止し、ＣＯＤレベルやサージ耐圧の向上を図る。 - 特許庁

Therefore, non-light emission re-combination can be effectively prevented on the end faces 1a and 1b of the resonator and in their adjacent areas, thereby suppressing an increase in temperature on the end faces 1a and 1b thereof and in their adjacent areas and preventing COD.例文帳に追加

従って、共振器端面１ａ，１ｂおよびその近傍領域における非発光再結合が効果的に防止されるので、共振器端面１ａ，１ｂおよびその近傍領域の温度の上昇が抑制され、ＣＯＤが防止される。 - 特許庁

To provide a window structure which is effective in COD prevention without diffusing an impurity or irradiating a resonator end surface with laser light so as to expand a band gap nearby the resonator end surface in a process of manufacturing a semiconductor laser device.例文帳に追加

半導体レーザ装置の製造工程の中で、共振器端面近傍のバンドギャップを拡大するために、不純物の拡散を行なったり、共振器端面にレーザ光を照射したりしなくても、ＣＯＤ防止に有効な窓構造を実現する。 - 特許庁

As an effective band gap of the active layer 105 of the window region 115 becomes greater than the effective band gap of the other active layers than that, it functions as an end window structure for suppressing the COD.例文帳に追加

窓領域１１５の活性層１０５の実効バンドギャップは、それ以外の活性層の実効バンドギャップよりも大きくなるので、ＣＯＤを抑止するための端面窓構造として機能する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser having high COD level and high light emission efficiency, by preventing impurities from being accumulated in an active layer, when a window structure is formed by impurity diffusion near an end surface of a laser resonator.例文帳に追加

レーザ共振器端面近傍に不純物拡散により窓構造を形成する際に、活性層に不純物が蓄積されることを抑制し、ＣＯＤレベルが高く、発光効率が高い半導体レーザを提供する。 - 特許庁

The COD generated from the DIP production process is reduced by adopting the defibration of waste paper in neutral region and reduction bleaching in the bleaching step and adjusting the pH to 6.0-8.0 at the end of bleaching.例文帳に追加

中性領域での古紙離解 及び 漂白工程にて還元性漂白を採用し、漂白終了時のｐＨが６．０〜８．０になるよう調整することでＤＩＰ製造工程から発生するＣＯＤ量を減少する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor laser device by which an initial COD level can be made high, even if a resonator end face is exposed in a plasma atmosphere in order to eliminate a contamination or the like before forming a coating film.例文帳に追加

コーティング膜を形成する前に、汚染物などを除去するために共振器端面をプラズマ雰囲気に暴露しても、初期ＣＯＤレベルを高いものとすることができる窒化物半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor laser device which is capable of improving an initial COD level, even if contaminants etc. are removed by exposing the end face of a resonator to a plasma atmosphere, before forming a coating film.例文帳に追加

コーティング膜を形成する前に、共振器端面をプラズマ雰囲気に曝露することによって汚染物などを除去しても、初期ＣＯＤレベルを向上させることができる窒化物半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To make a Zn diffusion position deep from a ZnO/SiO2 film, to the extent in which the COD tolerance of a laser end surface window structure can be made larger than conventional, as to a manufacturing method for a compound semiconductor device which includes the process of diffusing zinc into a compound semiconductor layer.例文帳に追加

化合物半導体層への亜鉛拡散工程を含む化合物半導体装置の製造方法に関し、レーザ端面窓構造のＣＯＤ耐量を従来よりも大きくすることができる程度にZnO/SiO_2膜からのZn拡散位置を深くすること。 - 特許庁

To protect adhesion of conductive film that absorbs laser beam, and to improve the COD level and surge resistance, when cleaning end faces by plasma as a preprocessing step of coating the side faces of a resonator, in a semiconductor laser that uses a dielectric film.例文帳に追加

半導体レーザの共振器端面を誘電体膜でコーティングする工程の前処理として前記端面をプラズマクリーニングする際に、レーザ光を吸収する導電性膜の付着を防止し、ＣＯＤレベルやサージ耐圧の向上を図る。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element which has a multiple quantum well layer formed of an AlGaAs-based material and is improved in COD level using an end surface window structure to improve an output of emitted infrared light, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

多重量子井戸層がＡｌＧａＡｓ系材料によって構成され、赤外光を出射する半導体レーザ素子において、端面窓構造を用いてＣＯＤレベルを向上させることができ、出力の向上された半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element which suppresses heat generated on a resonator end surface to a minimum, improves the COD level, has a superior FFP, high reliability and a long service life, even for a semiconductor laser element of high power.例文帳に追加

高出力の半導体レーザ素子においても、共振器端面での発熱を最小限にとどめて、ＣＯＤレベルを向上させることができるとともに、良好なＦＦＰを得ることができ、信頼性が高く、長寿命の半導体レーザ素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

The COD is suppressed by turning the vicinity of the end face into a current uninjected region and the mode scattering loss is suppressed by making equal the refractive index of an external clad layer 110 and that of the first current block layer 107 and making equal the refractive index distributions between the current injected region and the current uninjected region.例文帳に追加

端面の近傍を電流非注入領域とすることでＣＯＤを抑制し、且つ、外部クラッド層１１０の屈折率と第１電流ブロック層１０７の屈折率とを等しくすることにより、電流注入部と電流非注入部との間の屈折率分布を同じにしてモード散乱損失を抑制する。 - 特許庁