「cu 3」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

[3] Application of compassionate use system (CU system)例文帳に追加

③ コンパッショネートユース制度（ＣＵ制度）の活用 - 厚生労働省

The atomic ratio of Cu to Mo is preferably 1<Cu/Mo<3.例文帳に追加

Cu_ｘ(MoO_4)_ｙ(OH)_ｚ（式中、ｘ、ｙおよびｚは1＜ｘ/ｙ＜３、１＜ｘ/Z＜３の関係にある。）CuとMoの原子比は、1＜Cu/Mo＜３であることが好ましい。 - 特許庁

A Cu foil 5 is etched so as to be left partially on a Cu plating layer 3.例文帳に追加

Ｃｕメッキ層３上に残存するように、Ｃｕ箔５をエッチングする。 - 特許庁

In the Sn-Cu based lead-free soldering alloy containing 0.1-3 mass% Cu, 0.001-0.1 mass% P is added either alone or together with 0.001-0.1 mass% Ge.例文帳に追加

Sn-0.1〜3 質量％Cuの鉛フリーはんだ合金に、 0.001〜0.1 質量％のＰを単独で、または 0.001〜0.1 質量％のGeと一緒に添加する。 - 特許庁

The metal paste is e.g. Cu paste containing a Cu powder as an electrically conductive material, and the metal ball 3 is e.g. a Cu ball consisting predominantly of Cu.例文帳に追加

金属ペーストは例えばＣｕ粉末を導電材料として含有するＣｕペーストであり、金属ボール３は例えばＣｕを主体とするＣｕボールである。 - 特許庁

The wire more preferably contains ≤3% Mo, ≤2% Cu and one or more kinds selected from Zr, V, Nb, Ti and Ta by ≤2% in total.例文帳に追加

より好ましくは、Moを3%以下、Cuを2%以下、Zr、V、Nb、Ti、Taのうち一種又は二種以上を合計で２%以下含有する。 - 特許庁

A Cu electrode 3 is obtained by removing the A1 pattern 2.例文帳に追加

Ａｌパターン２を除去してＣｕ電極３を得る。 - 特許庁

In the catalyst component 3, finally Cu is supported.例文帳に追加

また，触媒成分３は，Ｃｕが最後に担持されている。 - 特許庁

In the semiconductor device having a plurality of Cu wirings, a Cu wiring 1 and Cu wiring made of a seed Cu film 11 and a plating Cu film 12 are isolated by a hydrogen silsesquioxane (HSQ) film 3, and the HSQ film 3 is provided with a Cu plug to electrically connect the Cu wiring 1 and the seed and platin Cu films 11 and 12.例文帳に追加

複数のＣｕ配線を有する半導体装置において、Ｃｕ配線１とシードＣｕ膜１１，メッキＣｕ膜１２からなるＣｕ配線とがＨＳＱ（Ｈｙｄｒｏｇｅｎ Ｓｉｌｓｅｓｑｕｉｏｘａｎｅ）膜３によって分離され、ＨＳＱ膜３にはＣｕ配線１とシードＣｕ膜１１，メッキＣｕ膜１２とを電気的に接続するＣｕプラグを形成されている。 - 特許庁

This high carbon steel sheet excellent in surface properties is the one contg., by weight, 0.3 to 1.3% C, ≥0.1% Si, 0.02 to 0.1% Ni, 0.02 to 0.1% Sn and 0.02 to 0.3$ Cu and also satisfying the relational inequality of Cu+3×Sn<4×Ni.例文帳に追加

重量％で、 C:0.3〜1.3%,Si:0.1%以上,Ni:0.02〜0.1%,Sn:0.02〜0.1%,Cu:0.02〜0.3%を含有し、かつ、Cu＋ 3×Sn＜ 4×Niの関係式を満足することを特徴とする表面性状に優れた高炭素鋼板。 - 特許庁

Then the Cu in the Cu film 5 is diffused in the Al film 3 and, in addition, a Cu-Al eutectic state is formed in the Al film 3 through heat treatment.例文帳に追加

次に熱処理によってＣｕ膜５中のＣｕをＡｌ膜３中に拡散させ、かつＡｌ膜３中にＣｕとＡｌとの共晶状態を形成する。 - 特許庁

The composite alloy is formed of a Cu pooling phase 3 and a Mo-Cu alloy phase 2.例文帳に追加

前記複合合金は、Ｃｕプール相３とＭｏ−Ｃｕ合金相２で形成されてなる。 - 特許庁

The lining layer 3 is composed of one kind selected from Cu, Al, a Cu alloy and an Al alloy.例文帳に追加

ライニング層３はＣｕ，Ａｌ，Ｃｕ合金およびＡｌ合金から選択される一種よりなる。 - 特許庁

The plating treatment material comprises a substrate 3 made of Cu or a Cu alloy, and a metal plating layer 6 formed on the surface of the substrate 3.例文帳に追加

ＣｕまたはＣｕ合金製の基体３と、基体３の表面に形成された金属めっき層６とを有する。 - 特許庁

The apparatus substrate 2 is made of Cu and includes an element attaching part 3.例文帳に追加

装置基板２はＣｕ製で素子取付け部３を有する。 - 特許庁

Next, the trenches 3 for interconnections are filled with an electrolytic plating Cu film 6 by electrolytic plating with the sputter Cu film 5 as a seed layer to form a film 7 for a Cu interconnection which is formed of the sputter Cu film 5 and the electrolytic plating Cu film 6.例文帳に追加

次に、スパッタＣｕ膜５をシード層として電解メッキ法により電解メッキＣｕ膜６を埋め込み、スパッタＣｕ膜５と電解メッキＣｕ膜６からなるＣｕ配線用膜７を形成する。 - 特許庁

The Cu alloy thermal sprayed film 3 has the hardness of ≤Hv 200 in Vickers hardness.例文帳に追加

Ｃｕ合金溶射膜３ビッカース硬さでHv200以下の硬度を有する。 - 特許庁

A most typical composition thereof contains Si: 0.5-11%, Mn: 1-8%, Cu: 3% or less, Mg: 0.5% or less, Zn: 1.5% or less, and Fe: 2.0% or less, by a mass ratio, and the remainder of Al except impurities.例文帳に追加

その最も代表的な組成は、質量比で、、Si：0.5〜11%、Mn：1〜8%、Cu：3%以下、Mg:0.5%以下、Zn:1.5%以下、Fe:2.0%以下、残部不純物を除きAlからなる。 - 特許庁

A Cu film 4 is laminated on the alloy film 3 (insulating film 1) so that the Cu film 4 fills the wiring groove 2 after covering of the alloy film 3.例文帳に追加

この合金膜３の被着後、合金膜３（絶縁膜１）上に、Ｃｕ膜４が配線溝２を埋め尽くすように積層される。 - 特許庁

The intermediate layer 3 is an Al layer 3a made of Al or Al alloy, or a Cu layer 3c made of Cu or Cu alloy.例文帳に追加

中間層３は、Ａｌ若しくはＡｌ合金で形成されたＡｌ層３ａであるか、又は、Ｃｕ若しくはＣｕ合金で形成されたＣｕ層３ｃである。 - 特許庁

At this point, the remaining part of the Cu foil 5 is set smaller in area than that of the Cu plating layer 3.例文帳に追加

このとき、残存するＣｕ箔５の面積がＣｕメッキ層３の面積よりも小さくなるようにする。 - 特許庁

The Au alloy has a chemical composition composed mainly of Au and containing, by mass, 0 to 7% Ag, 2 to 12% Cu, 10 to 18% Pd and 0.05 to 3% Ge.例文帳に追加

Auを主成分として、Agを0〜7mass%、Cuを2〜12mass%、Pdを10〜18mass%、およびGeを0.05〜3mass%含有することを特徴とするAu合金。 - 特許庁

A via hole 3 connecting a Cu wiring 1 is formed in an interlayer insulation film 2 covering the Cu wiring 1.例文帳に追加

Ｃｕ配線１を覆う層間絶縁膜２内に、Ｃｕ配線１に接続するビアホール３を形成する。 - 特許庁

In the process for forming the Cu film 3 or the Ag film 4, the Cu film 3 or the Ag film 4 is formed by electroplating.例文帳に追加

そして、Ｃｕ膜３またはＡｇ膜４を形成する工程では、Ｃｕ膜３またはＡｇ膜４を電解めっきによって形成している。 - 特許庁

In the soldering method, P of 0.001-0.1 percent by mass is added independently or together with Ge of 0.001-0.1 percent by mass to Sn-Cu of 0.1-3 percent by mass base lead-free solder alloy.例文帳に追加

Sn-0.1〜3 質量％Cuの鉛フリーはんだ合金に、 0.001〜0.1 質量％のＰを単独で、または 0.001〜0.1 質量％のGeと一緒に添加する。 - 特許庁

The electrolyte layer 3 is formed of Li_2S-P_2S_5 based solid electrolyte, the electrode extraction part 20 is formed of a Cu foil, and the insulating film 25 is formed of Li_2CO_3.例文帳に追加

電解質層3はLi_2S‐P_2S_5系固体電解質で形成され、また、電極取り出し部20はCu箔で形成され、絶縁膜25はLi_2CO_3で形成されている。 - 特許庁

A Cu film 5 is formed on an Al film 3 which is formed as Al wiring.例文帳に追加

Ａｌ配線としてのＡｌ膜３上にＣｕ膜５を形成する。 - 特許庁

The weather resistance of the welding material is improved by satisfying [Ni]+[Cu]+3[Mo]≥1.2% and the selective corrosion in the welded part is prevented by satisfying ([Ni]+[Cu]+3[Mo])/([Ni]p+[Cu]p+3[Mo]p)≥1.05.例文帳に追加

溶接材料の耐候性を〔Ｎｉ〕＋〔Ｃｕ〕＋３〔Ｍｏ〕≧１．２％となるようにし向上させ、溶接部の選択腐食を(〔Ｎｉ〕＋〔Ｃｕ〕＋３〔Ｍｏ〕)／(〔Ｎｉ〕_p＋〔Ｃｕ〕_p＋３〔Ｍｏ〕_p)≧１．０５となるようにし、防止する。 - 特許庁

The heatsink 3 has a joining structure in which a Cu-Mo composite body 30 is interposed between a pair of Cu plates 32 and 34.例文帳に追加

ヒートシンク３は、Ｃｕ−Ｍｏ複合体３０を一対のＣｕ板３２，３４で挟んだ接合構造を有する。 - 特許庁

Then, a metal layer 6 is formed, by which the Cu foil 5 is electrically connected to the Cu plating layer 3.例文帳に追加

次に、全面に金属層６を形成することにより、Ｃｕ箔５とＣｕメッキ層３との間の導通を確保する。 - 特許庁

In the soldering method, P of 0.001 to 0.1 percent by mass is added independently or together with Ge of 0.001 to 0.1 percent by mass to Sn-Cu of 0.1 to 3 percent by mass base lead-free solder alloy.例文帳に追加

Sn-0.1〜3 質量％Cuの鉛フリーはんだ合金に、 0.001〜0.1 質量％のＰを単独で、または 0.001〜0.1 質量％のGeと一緒に添加する。 - 特許庁

The conversion circuit 4 comprises a 3-phase bridge circuit of first - sixth main switches S_1-S_6 and first - sixth capacitors Cu-Cz connected in parallel to the first - sixth switches S_1-S_6.例文帳に追加

変換回路4を第1〜第6の主スイッチS1〜S6の3相ブリッジ回路と、第1〜第6のスイッチS1〜S6に並列接続した第1〜第6のコンデンサCu〜Czとで構成する。 - 特許庁

It is preferable that the above intermediate layer 3 is formed on the (111) face of the metal substrate 2 made of Cu or Cu alloy.例文帳に追加

望ましくは、ＣｕまたはＣｕ合金から成る金属基板２の（１１１）面上に上記中間層３が形成される。 - 特許庁

As a result, during wire bonding of the Al wires 4, it becomes possible to absorb shocks by the wire bonding with the Cu chip 3, or disperse pressure by the wire bonding with the Cu chip 3, or diffuse heat by the wire bonding with the Cu chip 3.例文帳に追加

これにより、Ａｌワイヤ４をワイヤボンドする際、ワイヤボンドによる衝撃をＣｕチップ３で吸収したり、ワイヤボンドによる圧力をＣｕチップ３で分散させたり、ワイヤボンドによる熱をＣｕチップ３で拡散させたりすることができる。 - 特許庁

When layers 3, 4 comprising Cu or Cu alloy are dry etched, use is made of gas containing a halogen compound and oxygen as etching gases.例文帳に追加

Ｃｕ又はＣｕ合金から成る層３，４をドライエッチングする際に、ハロゲン化合物を含むガスと酸素とをエッチングガスとして使用する。 - 特許庁

The Pt-Cu base alloy is a Pt-Cu alloy having Pt:Cu=3:7 in the ratio of the number of atoms as the composition ratio.例文帳に追加

また、Ｐｔ−Ｃｕ系合金は、組成比としては原子数比でＰｔ：Ｃｕ＝３：７のＰｔ−Ｃｕ合金であることを特徴とする。 - 特許庁

A Cu-plated film 3 is patterned on an lumina substrate 1 with a base layer in between, and a first Ni-plated film 4 is stacked on the Cu-plated film 3.例文帳に追加

アルミナ基板１上に下地層２を介してＣｕメッキ膜３がパターン形成されており、Ｃｕメッキ膜３上に第１のＮｉメッキ膜４が積層されている。 - 特許庁

The cupper-based alloy having dezincfication resistive property, is composed of, by weight, 57-69% Cu, 0.3-3% Sn and 0.02-1.5% Si, wherein Si/Sn is in the range of 0.05-1, and the balance Zn with inevitable impurities.例文帳に追加

重量%で、Cu:57〜69%、Sn:0.3〜3%、Si:0.02〜1.5%を含み、Si/Snの値が0.05〜1の範囲であり、残部がZnと不可避的不純物からなることを特徴とする耐脱亜鉛性銅基合金。 - 特許庁

The bearing material has a composition containing 3 to 15% Al, 1 to 8% Mn, 0.05 to 5% Si, 0.5 to 5% Ni, and 1 to 10% Fe, and the balance Cu with inevitable impurities, and in which Fe-Mn-Si hard substance is dispersed.例文帳に追加

3 〜15 ％Al, 1〜 8％ Mn, 0.05 〜 5％ Si, 0.5〜 5％ Ni, 1〜10％ Feを含有し、残部不可避的不純物及びCuからなり、Fe-Mn-Si系硬質物が分散した銅系軸受材料。 - 特許庁

The heavy metal ion preferable to this method to be purified is, for example, Fe^3+, Al^3+, Mn^2+, Ni^2+, Cu^2+, Zn^2+, Cd^2+, Pb^2+, and so forth.例文帳に追加

なお、その浄化の際に好適に除去できる重金属イオンとしては、Ｆｅ^3+、Ａｌ^3+、Ｍｎ^2+、Ｎｉ^2+、Ｃｕ^2+、Ｚｎ^2+、Ｃｄ^2+、Ｐｂ^2+等が例示できる。 - 特許庁

Preprocessing is performed under such conditions as the oxygen concentration on the interface of a Cu wire 3 and a silicon nitride film 4 is not higher than 1×10^21/cm^3.例文帳に追加

Ｃｕ配線３とシリコン窒化膜４との界面の酸素濃度が１×１０^21／ｃｍ^3 以下となる条件の前処理を行う。 - 特許庁

The metal layer 3 contains elements such as Cu, Ni, Au, Pd, etc., and is formed by plating and sticking.例文帳に追加

メタル層３は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｄ等であり、メッキ及び貼付けにより形成する。 - 特許庁

However, when the invention described in Claim 2, the reagent for the analysis not only releases the iron from the serum, enhances the current-voltage curves of Fe+2→Fe+3+e, Fe+3+e→Fe+2, and shifts the current-voltage curves of Cu+2+e→Cu+1 and separates it from that of Fe+2→Fe+3+e, eliminating the confounding effect of the copper ions in the solution and allows an accurate estimate of the iron. 例文帳に追加

しかしながら、請求項２の発明の試薬組成物を用いると血清と結合している鉄を解放するとともに、Fe＋2→Fe＋3＋e 、Fe＋3＋e→Fe＋2の電流－電圧曲線が明確になり、さらに、Cu＋2＋e→Cu＋1の電流－電圧曲線がシフトしてFe＋2→Fe＋3＋eの電流－電圧曲線と分離するので、試料中の銅イオンによる影響を排除して正確に鉄の量を測定することができる。 - 特許庁

(2) Ceq=C+Mn/6+Si/24+Ni/40+Cr/5+Mo/4+V/14≥0.34; and (3) P_CM=C+Si/30+Mn/20+Cu/20+Ni/60+Cr/20+Mo/15+V/10+5B≥0.17.例文帳に追加

−{119.6Mn＋18.4Ni＋278.3Mo}＋{292.1Si＋142.6Cu＋2615.1Ｖ｝≦−80 …（１）Ｃeq=Ｃ＋Mn/６＋Si/24＋Ni/40＋Cr/５＋Mo/４＋Ｖ/14≧0.34 …（２）Ｐ_CM＝Ｃ＋Si/30＋Mn/20＋Cu/20＋Ni/60＋Cr/20＋Mo/15＋Ｖ/10＋５Ｂ≧0.17 …（３） - 特許庁

A driven disc 9, a rotary member 3, and a fan insert 8 are made of Al or Cu and Al group alloy or Cu group alloy.例文帳に追加

従動ディスク９と回転部材３およびファンインサート８ををＡｌまたはＣｕおよびＡｌ基合金製またはＣｕ基合金製とする。 - 特許庁