「cu-te」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

When the Al is added to the Te, and further the Cu and the Zr are added, it is desirable that a composition ratio of the high-resistance layer 4 is adjusted in a range of, excepting oxygen, 30≤Te≤100 atm%, 0≤Al≤70 atm% and 0≤Cu+Zr≤36 atm%.例文帳に追加

ＴｅにＡｌを添加し、更にＣｕおよびＺｒを加えたものとする場合、高抵抗層４の組成比は、酸素を除いて、３０≦Ｔｅ≦１００原子％、０≦Ａｌ≦７０原子％、および０≦Ｃｕ＋Ｚｒ≦３６原子％の範囲で調整することが望ましい。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion element using a Cu-In-Te thin film having a high carrier mobility in a light absorption layer, and to provide a solar cell.例文帳に追加

キャリア移動度の高いＣｕ−Ｉｎ−Ｔｅ薄膜を光吸収層に用いた光電変換素子および太陽電池を提供することを目的とする。 - 特許庁

As the multi-exciton generator, a compound semiconductor containing at least one or more kinds of elements selected from Cu, In, Ga, Se, S, Te, Zn and Cd is used.例文帳に追加

多励起子発生剤は、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｅ、Ｓ、Ｔｅ、Ｚｎ、及びＣｄから選ばれる１種以上の元素を含む化合物半導体が用いられる。 - 特許庁

The ionization layer 3 contains Cu (copper) and Zr (zirconium) as metal elements together with an ion conductive material such as S (sulfur), Se (selenium), and Te (tellurium) (a chalcogenide element).例文帳に追加

イオン化層３は、Ｓ（硫黄），Ｓｅ（セレン）およびＴｅ（テルル）（カルコゲナイド元素）などのイオン伝導材料と共に、金属元素としてＣｕ（銅）およびＺｒ（ジルコニウム）を含有している。 - 特許庁

The memory layer 17 is doped with an ion conduction material such as Te or the like, Cu, Ag, Ge or Zn as a metal element, and, further, any one from a group of Si, Zr, Al, Ti and Cr.例文帳に追加

記憶層１７は、Ｔｅなどのイオン伝導材料と共に、金属元素としてＣｕ，Ａｇ，ＧｅまたはＺｎ、更に、Ｓｉ，Ｚｒ，Ａｌ，ＴｉおよびＣｒのうちのいずれか１種が添加されている。 - 特許庁

The thermoelectric semiconductor is formed of a composition to which Cu: 0.001 to 0.1 wt.% and at least one of Te and Se: 0.005 to 1.0 wt.% are externally added as dopants to the thermoelectric semiconductor material whose base material is a material selected from among Bi-Te group, Bi-Se group and Bi-Te-Se group.例文帳に追加

熱電半導体は、Ｂｉ−Ｔｅ系、Ｂｉ−Ｓｅ系、Ｂｉ−Ｔｅ−Ｓｅ系から選択された材料を基材とする熱電半導体材料に対して、Ｃｕ：０．００１〜０．１重量％、ＴｅまたはＳｅのうちの少なくとも一方：０．００５〜１．０重量％をドーパントとして外付けで添加した組成で形成されている。 - 特許庁

The thermoelectric conversion elements 5 (5a, 5b) are formed by adding at least one of Ag and Cu to a thermoelectric conversion material which contains Bi and Te as main raw materials and at least one of Se and Sb is added thereto.例文帳に追加

熱電変換素子５（５ａ，５ｂ）は、ＢｉとＴｅを主原料とし、ＳｅとＳｂの少なくとも一方を添加して成る熱電変換材料に、ＡｇとＣｕの少なくとも一方を添加して形成する。 - 特許庁

This Pb-free solder having wettability close to that of an Sn-Pb eutectic alloy and also excellent mechanical property and oxidation resistance is obtained by adding Sb, Te or/and P to an Sn-Cu base alloy.例文帳に追加

Ｓｎ−Ｃｕ基合金に、Ｓｂと、Ｔｅ又は／及びＰを添加することによって、Ｓｎ−Ｐｂ共晶合金に近いぬれ性と優れた機械特性値とを有し、しかも耐酸化特性に優れたＰｂフリー半田とした。 - 特許庁

The light absorbing layer 3 is constituted of XYZ_2 (X is at least one element between Cu and Ag, Y is at least one element among B, In Ga and Al, and Z is at least one element among S, Se and Te).例文帳に追加

光吸収層３は、ＸＹＺ_２（Ｘ＝Ｃｕ、Ａｇのうち少なくとも１元素、Ｙ＝Ｂ、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｌのうち少なくとも１元素、Ｚ＝Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅのうち少なくとも１元素）により構成される。 - 特許庁

When the wt.% of Cu externally added as the dopant is defined as M1, the wt.% of Te and/or Se externally added as the dopant is defined as M2 and M2/M1 is defined as M, it is preferable to be M=3 to 100.例文帳に追加

ドーパントとして外付けで添加されたＣｕの重量％をＭ１とし、ドーパントとして外付けで添加されたＴｅ及び／またはＳｅの重量％をＭ２とし、Ｍ２／Ｍ１をＭとすると、Ｍ=３〜１００とすることが好ましい。 - 特許庁

The high-resistance layer is formed out of the oxide film of Gd (gadolinium), and the ion-source layer contains such metal elements as Cu (copper), Zr (zirconium), Al (aluminum), and so forth together with such chalcogenide elements as S (sulfur), Se (selenium), Te (tellurium), and so forth.例文帳に追加

高抵抗層はＧｄ（ガドリニウム）の酸化膜により形成され、イオン源層は、Ｓ（硫黄），Ｓｅ（セレン）およびＴｅ（テルル）などのカルコゲナイド元素と共に、Ｃｕ（銅），Ｚｒ（ジルコニウム），Ａｌ（アルミニウム）などの金属元素を含有する。 - 特許庁

On the surface of the insulating layer 12 and the second vertical connection layer 15B, a storage layer 16 containing an ionizable metallic element such as Cu along with a chalcogenide element such as Te and an upper electrode 17 are laminated in this order, thus constituting a memory element 1.例文帳に追加

絶縁層１２および第２縦接続層１５Ｂの表面上に、Ｔｅなどのカルコゲナイド元素と共にＣｕなどイオン化可能な金属元素を含む記憶層１６および上部電極１７がこの順に積層され、記憶素子１を構成する。 - 特許庁

This silver-oxide-based electric contact material is formed by internally oxidizing an Ag alloy having a composition containing, by wt.%, 5-15% Sn, 0.05-1.5% Te, and Cu of ≥0.05% and <1% as added metals, and the balance Ag with unavoidable impurities, and thereafter performing high-temperature heat treatment.例文帳に追加

添加金属として重量％で、Ｓｎ：５〜１５％、Ｔｅ：０．０５〜１．５％、Ｃｕ：０．０５〜１％未満を含有し、残りがＡｇと不可避不純物とからなる組成を有するＡｇ合金を、内部酸化処理した後に７５０〜９６０℃で高温熱処理してなる。 - 特許庁

A roughened surface is formed by bringing etching solution into contact with aluminum or an aluminum alloy having a surface coating containing (1) at least one metal selected from metals in the first group comprising Sn, Cu, Fe, Ni, Co, Bi, Sb, Ag and Te, and (2) zinc.例文帳に追加

（１）Ｓｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ａｇ及びＴｅからなる第一群の金属より選択される少なくとも１種の金属と（２）亜鉛とを含む表面皮膜を有するアルミニウム又はアルミニウム合金をエッチング溶液と接触させることにより粗化表面を形成する。 - 特許庁

1,1,2,2,3,3,4-Heptafluorocyclopentane is produced by the hydrogenation of 1-chloroheptafluorocyclopentene in the presence of a hydrogenation catalyst where a group VIII metal is mixed with at least one kind selected from the group consisting of Ag, Cu, Au, Te, Zn, Cr, Mo, Tl, Sn, Bi and Pb.例文帳に追加

１−クロロヘプタフルオロシクロペンテンを周期律表第ＶＩＩＩ族金属に銀、銅、金、テルル、亜鉛、クロム、モリブデン、タリウム、錫、ビスマス、鉛から成る群から選ばれる少なくとも１種の金属を添加してなる水素化触媒の存在下に水素化して１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタンを製造する。 - 特許庁

This mica composite is obtained by ion exchange of 10-95 eq.% of exchangeable cations among the interlayer ions of a swellable synthetic mica with at least one kind of ions selected from the group consisting of K, Ba, Cu, Ag, Te, Bi, Pb, Ce, Fe, Mo, Nb, W, Sb, Sn, V, Mn, Ni, Co, Zn, Zr and Ti ions.例文帳に追加

膨潤性合成雲母の層間イオンのうち、交換性陽イオンの１０〜９５当量％を、Ｋ，Ｂａ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｔｅ，Ｂｉ，Ｐｂ，Ｃｅ，Ｆｅ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｗ，Ｓｂ，Ｓｎ，Ｖ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｚｎ，ＺｒおよびＴｉからなる群から選ばれる１種または２種以上のイオンとイオン交換させて得られる合成雲母複合体により課題を解決できる。 - 特許庁

At least one kind of element selected among Bi and Sb, at least one kind of element selected among Te and Se, and at least one kind of element selected among I, Cl, Gh, Br, Ag, and Cu, are comprised.例文帳に追加

Ｂｉ及びＳｂからなる群から選択された少なくとも１種の元素と、Ｔｅ及びＳｅからなる群から選択された少なくとも１種の元素とを有し、必要に応じて、Ｉ、Ｃｌ、Ｈｇ、Ｂｒ、Ａｇ及びＣｕからなる群から選択された少なくとも１種の元素を含む組成を有する。 - 特許庁

The light-emitting layer 103 includes a three-dimensional compound ABC_2 (wherein A=Cu or Ag, B=Al, Ga or In, and C=S, Se or Te) which is called the chalcopyrite.例文帳に追加

基板１００上に、第１の電極１０１、第１の絶縁層１０２、発光層１０３、第２の絶縁層１０４、第２の電極１０５を有し、発光層１０３は、カルコパイライトと呼ばれる三元化合物ＡＢＣ_２（但し、Ａ＝Ｃｕ、またはＡｇ、Ｂ＝Ａｌ、Ｇａ、またはＩｎ、Ｃ＝Ｓ、Ｓｅ、またはＴｅ）を含む発光素子を提供する。 - 特許庁

The memory device 10 has an arrangement in which a memory thin film 4 is sandwiched between a first electrode 2 and a second electrodes 6, wherein the memory thin film 4 comprises an insulating material or semiconductor material, and a thin film 3 containing Cu and Te is formed between the memory thin film 4 and the first electrode 2 or the second electrode 6.例文帳に追加

第１の電極２と第２の電極６との間に記憶用薄膜４が挟まれて構成され、記憶用薄膜４が絶縁材料又は半導体材料から成り、記憶用薄膜４と第１の電極２或いは第２の電極６との間に、Ｃｕ及びＴｅが含まれている薄膜３が形成されている記憶素子１０を構成する。 - 特許庁

In the storage element 10, a memory layer 4 and an ion source layer 3 are sandwiched between a first electrode 2 and a second electrode 6 wherein the ion source layer 3 contains an element selected from Cu, Ag and Zn, an element selected from Te, S and Se, and boron (or rare earth element and silicon).例文帳に追加

第１の電極２と第２の電極６との間に、記憶層４及びイオン源層３が挟まれて構成され、イオン源層３に、Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎから選ばれるいずれかの元素と、Ｔｅ，Ｓ，Ｓｅから選ばれるいずれかの元素とが含まれ、さらに、ホウ素（又は、希土類元素及びシリコン）が含有されている記憶素子１０を構成する。 - 特許庁

The storage element 10 is configured, such that a storage layer 5 is sandwiched between a first electrode 1 and a second electrode 4, the storage layer 5 comprises an oxide layer 2 and an ionized layer 3 containing Cu which are laminated, the oxide layer 2 consists of a rare earth element oxide, and the ionized layer 3 contains one or more kinds of elements selected from among S, Se and Te.例文帳に追加

第１の電極１及び第２の電極４の間に記憶層５が挟まれて構成され、この記憶層５が酸化物層２とＣｕを含有するイオン化層３とを積層して成り、酸化物層２が希土類元素酸化物から成り、イオン化層３がＳ，Ｓｅ，Ｔｅから選ばれる１種以上の元素を含有する記憶素子１０を構成する。 - 特許庁

An electrode for a vacuum breaker using an electrical contact in which refractory-metal particles are dispersed in an alloy of a highly conductive metal and a low melting-point metal, more specifically, Cr particles are dispersed in an alloy containing Cu and at least one kind out of Sn, Te, Bi is provided.例文帳に追加

本発明の特徴は、高導電性金属と低融点金属の合金中に、耐火性金属の粒子が分散した電気接点、特に、Ｓｎ，Ｔｅ，Ｂｉのうちの少なくとも１種とＣｕとを含む合金中に、Ｃｒ粒子が分散していることを特徴とする電気接点を用いた真空遮断器用電極と、それを用いた真空バルブ、又は真空遮断器にある。 - 特許庁