「depth-charge」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

In the manufacturing process of bricks which is more than 20 mm in thickness and is used for the melting metal bath in manufacturing float glass, the bricks in the depth of 20 mm from the surface in contact with the melted metal are controlled to contain iron with a 3 ionic charge at 0.7 mol % or less on a Fe2O3 conversion basis.例文帳に追加

フロートガラス製造用溶融金属槽であるメタルバスに用いられる厚さが２０ｍｍ超である煉瓦であって、溶融金属と接する表面から深さ２０ｍｍの部分における３価の鉄のＦｅ_2Ｏ_3換算含有量が質量百分率表示で０．７％以下であるメタルバス用煉瓦。 - 特許庁

This method of generating an uneven pattern is provided as a method of forming patterns in which uneven patterns in a template are filled with resist materials, and the depth of the uneven pattern formed in the template is adjusted or the uneven pattern is divided based on the relation between the size or shape of the uneven pattern and the charge time of the resist material.例文帳に追加

テンプレートの凹凸パターンにレジスト材料を充填するパターン形成方法に用いられる凹凸パターンの生成方法であって、凹凸パターンの寸法又は形状とレジスト材料の充填時間の関係に基づいて、テンプレートに形成する凹凸パターンの深さを調整する、又は、凹凸パターンを分割する。 - 特許庁

To correctly measure the depth of discharging indicating a discharging state of a battery with respect to the amount of the dischargeable charge of the battery when the battery is used for power storage or the like, and the residual capacity to the limit of discharging, for controlling charging and discharging on the basis of the obtained information.例文帳に追加

電力貯蔵用等の目的で使用する際には、電池の放電可能電荷量に対して現時点がどれだけ電荷を放電した状態であるかを示す放電深度や、放電限界までの残存容量を正確に測定し、その情報を用いて充放電制御を行うことが効率的かつ安全な運転を行うのに有効な方法である。 - 特許庁

In order to optimize the impurity profile of a photodetection pixel of a solid-state image pickup element by colors that respective pixels take charge of, a sensor structure has a profile of multi-stage constitution increased in photoelectric conversion efficiency along the depth of a silicon substrate, by performing ion implantation of n+ impurities of a sensor divisionally a plurality of times while the energy and mask pattern are changed.例文帳に追加

固体撮像素子における受光画素部の不純物プロファイルを各画素が受け持つ色毎に最適化させるために、センサ部のｎ＋不純物を複数回に分けてエネルギやマスクパターンを変えてイオン注入を行い、シリコン基板の深さ方向への光電変換効率を上げた多段構成のプロファイルを持つセンサ構造とする。 - 特許庁

In order to suppress especially transfer characteristics degradation caused by potential barrier wall of a surface shield layer 205 prominent in p/n/n^-/p^+/n structure, a part of a charge accumulation part 204 is formed in such depth as away from a silicon-gate oxide film interface 209 under a transfer gate electrode, directly below the transfer gate electrode 208.例文帳に追加

特に、ｐ／ｎ／ｎ^−／ｐ^＋／ｎ構造において顕著となる表面シールド層２０５によるポテンシャル障壁に起因する転送特性劣化を抑えるために電荷蓄積部２０４の一部を転送ゲート電極２０８の直下であって、且つ、転送ゲート電極下のシリコン−ゲート酸化膜界２０９面から離れた深さに形成する。 - 特許庁