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double quantumの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 21件
The structure of obtained nano structural body forms a quantum dot, a double bond quantum dot, a quadruple bond quantum dot, a single quantum ring and concentric double quantum rings, for examples.例文帳に追加
得られるナノ構造体の構造は、たとえば量子ドット、二重結合量子ドット、四重結合量子ドット、単一量子リング、同心二重量子リングとなる。 - 特許庁
FERROMAGNETIC DOUBLE QUANTUM WELL TUNNEL MAGNETORESISTANCE DEVICE例文帳に追加
強磁性2重量子井戸トンネル磁気抵抗デバイス - 特許庁
SINGLE ELECTRON MULTI-VALUED MEMORY APPLYING DOUBLE QUANTUM POINT AND ITS DRIVE METHOD例文帳に追加
二重量子点を応用した単一電子多値メモリ及びその駆動方法 - 特許庁
The semiconductor crystal may have a structure having a double hetero junction or a structure having a quantum well structure.例文帳に追加
半導体結晶がダブルへテロ接合を有する構成でもよいし、量子井戸構造を有する構成でもよい。 - 特許庁
Since the gate voltage varies depending on the state of the electrical discharge, the double quantum bits can be measured or read individually.例文帳に追加
ゲート電圧は電荷状態によって変化するため、二重量子ビットを個別に計測或いは読み出すことができる。 - 特許庁
In this sample preparation method for the double resonance absorption microscope, a sample is dyed by a quantum dot.例文帳に追加
二重共鳴吸収顕微鏡における試料を調整する方法であって、試料を量子ドットにより染色する。 - 特許庁
To solve the problem that necessity of separately measuring or reading the state of double quantum bits by once trial is not examined conventionally.例文帳に追加
二重量子ビットの状態を1回の試行により分離して計測、読み出すことの必要について、従来、検討されていない。 - 特許庁
Further, the active layer 22 has the plurality of quantum well layers having the double heterostructures, the light emission efficiency of the active layer 22 is enhanced.例文帳に追加
また、前記活性層22はダブルヘテロ構造の複数の量子井戸層を有するので、活性層22における発光効率が高められる。 - 特許庁
Further, the quantum dot 1 is contained in the layer and/or on the surface of the vesicle composed of a phospholipid double layer.例文帳に追加
さらに、リン脂質二重層で構成されるベシクルの層内及び表面の双方またはいずれかに量子ドット複合体1を含有することよりなる。 - 特許庁
To provide a ferromagnetic double quantum well tunnel magnetoresistance device which obtains an infinite tunnel magnetoresistance ratio by a desired bias voltage, utilizing a two-dimensional electron (hole) system.例文帳に追加
2次元電子(正孔)系を利用して無限大のトンネル磁気抵抗比を所望のバイアス電圧で得る強磁性2重量子井戸トンネル磁気抵抗デバイスを提供する。 - 特許庁
The quantum-bit control unit 107 has microwave generators 171, 172, a pulse generator 173, double-pulse balancing mixers 174, 175, and splitters SP1, SP2.例文帳に追加
量子ビット制御部107は、マイクロ波発生器171,マイクロ波発生器172,パルス発生器173,ダブルバランスミキサー174,ダブルバランスミキサー175,スプリッターSP1,及びスプリッターSP2を備えている。 - 特許庁
To provide a material for solid solution semiconductor light emitting element for manufacturing a light emitting element which emits light in an ultraviolet visible wavelength region, is variable in wavelength and operates near room temperature, especially the light emitting element having a lattice matching double hetero-junction structure, a quantum well structure, and a quantum dot structure; and to provide the light emitting element.例文帳に追加
本発明は、紫外可視波長領域で発光し、波長可変で室温付近で動作する発光素子、特に格子整合型ダブルヘテロ接合構造、量子井戸構造および量子ドット構造の発光素子を製作可能な固溶半導体発光素子用材料および発光素子を提供する。 - 特許庁
Due to a known quantum-mechanical effect, the light in the 1-photon state interferes as a pattern of a cycle 1/2 times that of incidence to form an image, thereby materializing the definition double an image formation limit in the prior art.例文帳に追加
そして、周知の量子力学的効果のため、1光子状態の光子が入射したときの1/2倍の周期のパターンとして干渉、結像され、従来の結像限界の2倍の精細さが実現できる。 - 特許庁
The double quantum bits expressed by the state of electrical discharging of two Cooper's pair box are combined with a single electron transistor to detect the shift of gate voltage due to current flowing through the transistor according to the state of the electrical discharge.例文帳に追加
2つのクーパー対箱の電荷状態によってあらわされる二重量子ビットを単電子トランジスタに結合して、当該単電子トランジスタに、電荷状態に応じて流れる電流によるゲート電圧のシフトを検出する。 - 特許庁
To provide a method for fabricating a semiconductor laser in which the quality of a double heterostructure part including an n-type Multiple Quantum Well is enhanced by accelerating surface migration of group III material species thereby flattening the cross-sectional shape of a DH structure part.例文帳に追加
III族原料種の表面マイグレーションを促進することにより、DH構造部の断面形状を平坦化することで、n型多重量子井戸構造を含むダブルへテロ構造部の品質を向上させた半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a laser element and a material for solid-solution semiconductor laser element, with which a laser element which oscillates in an infrared region of wavelength 0.4-8 μm and operates near room temperature with variable wavelength, especially a laser element of a lattice matched double heterojunction structure and a quantum well structure is manufactured.例文帳に追加
本発明は、波長0.4〜8μmの赤外領域で発振し、波長可変で室温付近で動作するレーザ素子、特に格子整合型ダブルヘテロ接合構造および量子井戸構造のレーザ素子を製作可能な固溶半導体レーザ素子用材料およびレーザ素子を提供する。 - 特許庁
In this device for distributing/transmitting a quantum key, phase modulation is individually applied to two double light pulses 7, 8 appearing in two output ports 5, 6 of an asymmetrical Mach-Zehnder interferometer 2 having a transmission side, and thereafter they are integrated with each other by a polarization beam splitter 12.例文帳に追加
本発明の量子鍵配付送信装置は、送信側の持つ非対称マッハツェンダー干渉計2の2つの出力ポート5,6に現れた2つの2連光パルス7,8に対し個別に位相変調を施した後にそれらを偏光ビームスプリッター12で統合させる。 - 特許庁
A first n-type layer, second n-type layer, third n-type layer, active layer having a multiple quantum well structure, a first p-type layer, second p-type layer, third p-type layer and p-type contact layer are laminated in the order on an n-type contact layer and this light-emitting element has a double heterostructure.例文帳に追加
n型コンタクト層の上に、第一のn型層と、第二のn型層と、第三のn型層と、多重量子井戸構造を有する活性層と、第一のp型層と、第二のp型層と、第三のp型層と、p型コンタクト層とが順に積層され、ダブルへテロ構造を有する。 - 特許庁
In the luminous diode made of a compound semiconductor, light is emitted from an active region of multiple quantum well structure and the active region is coated in the state of sandwich by upper and lower double layers of InGAlP and an upper clad layer whereby the improvement of the luminous efficiency increases the light beams in the light emitting diode thereby reinforcing an electronic reflection layer.例文帳に追加
化合物半導体で製造された発光ダイオードにおいて、多重量子井戸構造の活性領域より光を発射し、活性領域が上下二層のInGaAlPと上層のクラッド層でサンドイッチ式に被覆され、活性領域の発光効率が発光ダイオード中で光線を増加し電子反射層を強化する。 - 特許庁
By giving the phase modulation of {θ, θ+90°} and {θ-90°, θ}, using phase modulators 106 connected in parallel with respect to double optical pulses 105 generated by an optical circuit 104 inside a transmitter 101, four states 108 necessary for quantum key distribution using the phase-time base are generated (θ is optical).例文帳に追加
送信機101内部の光回路104によって生成された2連光パルス105に対し、並列接続された位相変調器106を用いて、{θ、θ+90°}及び{θ−90°、θ}の位相変調を与えることにより、位相‐時間基底を用いた量子鍵配付に必要な4状態108を生成する(θは任意)。 - 特許庁
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