「ea P」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

On an n type InP semiconductor substrate 101 whose surface azimuth is a (311) A plane, n type InP 102 and p type InP 105 are formed sandwiching MQW 103 for EA-MD between them, and a reverse electrode 108 for voltage application and an electrode 109 for EA-MD are provided.例文帳に追加

面方位が｛３１１｝Ａ面のｎ型ＩｎＰ半導体基板１０１の上にＥＡ−ＭＤ用ＭＱＷ１０３を挟み込んでｎ型ＩｎＰ１０２及びｐ型ＩｎＰ１０５を形成すると共に、電圧印加用の裏面電極１０８及びＥＡ−ＭＤ用電極１０９を設ける。 - 特許庁

The non-doped InP layer 24 depletes this region, and moderates the electric field between the n-InP hole block layer 23 and the p-InP upper clad layer 25 in the EA optical modulator region 10B.例文帳に追加

ノンドープＩｎＰ層２４は、この領域を空乏化させ、ＥＡ光変調器領域１０Ｂにおける、ｎ−ＩｎＰホールブロック層２３とｐ−ＩｎＰ上部クラッド層２５との間の電界を緩和する。 - 特許庁

This EA modulator 10 includes an optical waveguide layer 32, of which the optical absorption amount varies in response to applied electric field, and a p-side electrode 40 for applying the electric field to the optical waveguide layer 32.例文帳に追加

ＥＡ変調器１０は、印加される電界に応じて光の吸収量が変化する光導波層３２と、光導波層３２に電界を印加するｐ側電極４０と、を含む。 - 特許庁

In a shaft hole 32 of the pilot type selector valve, a spool 34 is stored which changes over first and second output ports A, B between a supply port P and each of first and second exhaust ports EA, EB and communicates them therewith.例文帳に追加

パイロット式切換弁の軸孔３２内には、第１及び第２出力ポートＡ，Ｂを供給ポートＰと第１及び第２排出ポートＥＡ，ＥＢとに切換えて連通させるスプール３４が収容されている。 - 特許庁

In the partial area of the first main surface EA, a notched section JK is formed in the semiconductor laminate 50, by notching the laminate 50 to its halfway in the thickness direction rather positioned on the second main surface side of the laminate 50 than the boundary of the p-n junction of the light-emitting layer 24.例文帳に追加

該第一主表面ＥＡの一部領域において半導体積層体５０は、発光層部２４のｐ−ｎ接合境界よりも第二主表面側に位置する厚さ方向途中位置まで切り欠かれることにより切欠部ＪＫが形成される。 - 特許庁

The EA modulator device 37b has an n-type III-V compound semiconductor clad layer 17b, a III-V compound semiconductor SCH layer 19b, a III-V compound semiconductor active layer 21b, a III-V compound semiconductor SCH layer 23b, and a p-type III-V compound semiconductor clad layer 25b.例文帳に追加

ＥＡ型変調器デバイス部４７ｂは、ｎ型III-Ｖ族化合物半導体クラッド層１７ｂ、III-Ｖ族化合物半導体ＳＣＨ層１９ｂ、III-Ｖ族化合物半導体活性層層２１ｂ、III-Ｖ族化合物半導体ＳＣＨ層２３ｂ、ｐ型III-Ｖ族化合物半導体クラッド層２５ｂを有する。 - 特許庁

An average value Ea[k] of deviations to the target weight value of combination weight values of the optimum combination and a selection probability P[k] that is what is the probability of selecting the optimum combination are obtained by each of preset two or more virtual upper limit weight values Wu[k].例文帳に追加

予め設定された複数の仮想上限重量値Ｗｕ［ｋ］別に、最適組合せの組合せ重量値の目標重量値に対する偏差の平均値Ｅａ［ｋ］と、当該最適組合せがどれくらいの確率で選択されるのかの選択確率Ｐ［ｋ］とが、求められる。 - 特許庁