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electron reflectionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 112件
The field emission light has an anode comprising a phosphor capable of emitting light by electrons, and a cathode comprising an electron emission source for emitting the electrons to the phosphor and a reflection layer for reflecting the light generated by the phosphor.例文帳に追加
電子により発光可能な蛍光体を備えたアノードと、前記蛍光体に電子を放出する電子放出源及び前記蛍光体において発生する光を反射する反射層を備えたカソードとを有してなることを特徴とする電界放出型ライト。 - 特許庁
The electric power to be applied to the electron gun 3 is controlled so that the value of the quantity of light of transmission or reflection momentarily measured by an optical type film thickness gauge 10 is made close or equal to the standard light quantity value stored in a standard light quantity value data storing means.例文帳に追加
光学式膜厚計10によって時々刻々測定される透過又は反射の光量値が規準光量値データ格納手段に格納されている規準光量値に近似又は等しくなるように、電子銃3に印加する電力を制御する。 - 特許庁
The EL display panel 100 has a pixel electrode 130 having a light transmission property, a hole injection layer 150, a luminous layer 152, an electron injection cathode layer 154, a transparent electrode 160 and a dispersion reflection layer 170 laminated in that order as seen from an observer.例文帳に追加
EL表示パネル100においては、光透過性を有する画素電極130、正孔注入層150、発光層152、電子注入陰極層154、透明電極160および散乱反射層170が、観察者側からこの順で積層されている。 - 特許庁
To provide a shadow mask for a cathode-ray tube, in which a bridge having a new cross sectional shape that can prevent diffused reflection of the electron beams in the bridge, without having to use an inclined face in the direction of Y axis is formed in the slot tension type shadow mask.例文帳に追加
スロットテンションタイプのシャドウマスクにおいて、Y軸方向の寄り目を用いずにブリッジにおける電子ビームの乱反射を防止することができる新たな断面形状を具備するブリッジが形成されたブラウン管用シャドウマスクを提供することを目的とする。 - 特許庁
This reflection-type charged particle beam lithography system is equipped with an electron optics system, where electrons reflected from a mask 217 are bent by an angle of 180° with a projection optics system 216 to be projected onto the surface of a example 219 as reduced in size, a mask stage 218 and an example table stage 220 are kept horizontal in position and prevented from deteriorating in traveling accuracy.例文帳に追加
マスク217から反射して得られた電子を投影光学系216で180度曲げて試料219面に縮小投影させる電子光学系を実現し、マスクステージ218と試料台ステージ220を水平にして双方の走行精度を劣化させないようにする。 - 特許庁
To provide the structure for a magnetization sticking layer which is easily formed by a conventional deposition method to provide a sufficient electron reflection effect on the side of magnetization sticking layer, and to provide a magneto-resistance effect element which uses a spin valve film comprising the structure.例文帳に追加
従来の成膜方法によって容易に形成でき、しかも、磁化固着層の側で十分な電子反射効果を得ることができる磁化固着層の構造、および、これらの構造を含むスピンバルブ膜を用いた磁気抵抗効果素子を提供することを目的とする。 - 特許庁
The secondary electron emission rate measuring instrument is manufactured so that it includes an electrostatic lens 104 for narrowing charged particle rays and a reflection electrode 105 for reflecting unneeded incident electrons, and is installed in a vacuum container, thus providing an inexpensive and compact measuring instrument as compared with the conventional measuring instrument and measuring secondary electron emission rate easily regardless of the type of a charged particle generator.例文帳に追加
二次電子放出率測定器は、荷電粒子線を絞る静電レンズ104及び不必要な入射電子を反射させるための反射電極105を含むように作製し、且つ、この装置を真空容器内に設置することで、従来の測定装置とは異なり、安価で小型の測定装置が供給できるとともに荷電粒子生成装置の種類に関わらず容易に二次電子放出率を測定することができる。 - 特許庁
The electric power supplied to the electron gun 3 is so controlled that light quantity values of transmission or reflection momentarily measured by an optical film-thickness meter 10 are close or equal to a reference light quantity value stored in a reference light quantity value data storage means storing a theoretically obtained reference light quantity value.例文帳に追加
光学式膜厚計10によって時々刻々測定される透過又は反射の光量値が理論的に求めた基準光量値を格納する基準光量値データ格納手段に格納されている基準光量値に近似又は等しくなるように、電子銃3に印加する電力を制御する。 - 特許庁
To provide a method for producing a vapor-deposited thin film by which the arrival of secondary electrons or reflection electrons occurring in the heating of a vapor depositing raw material in a crucible by an electron beam at a plastic film base material can be suppressed as possible, so that an adverse effect caused by the electrification of the film can be prevented beforehand.例文帳に追加
ルツボ内の蒸着原材料を電子ビームにより加熱するときに発生する二次電子もしくは反射電子が、プラスチックフィルム基材に到達するのを極力抑えることで、フィルム帯電による悪影響を未然に防ぐことができる蒸着薄膜の製造方法を提供することにある。 - 特許庁
A high-coverage electron layer reflection film can be formed even in a small coating amount by applying a coating material in which the bismuth oxide particles has a particle size distribution in which the mean particle diameter D50 is 0.6 μm or below, the volume of particles with a particle size distribution shape of from D40 to D60 is at least 20% of the entire volume.例文帳に追加
酸化ビスマス粒子の平均粒径D50が0.6μm以下で、且つ粒度分布形状のD40からD60の間にある粒子の体積分布が全体の20%以上である塗料を塗布することで、少ない塗布重量でも被覆率の高い電子線反射膜が形成できる。 - 特許庁
The RF amplifying unit is equipped with a cathode electrode formed on the substrate, a gate electrode formed at one side of and in isolation from the cathode electrode, an anode electrode formed at one side of the gate electrode, an electron emission source formed on the cathode electrode, and a reflection electrode formed on the upper portion of and parallel with the substrate.例文帳に追加
前記RF増幅部は、前記基板上に形成されたカソード電極と、前記カソード電極の一側に離隔して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の一側に形成されたアノード電極と、前記カソード電極上で形成された電子放出源と、前記基板の上方に前記基板と平行に形成された反射電極を備える。 - 特許庁
The liquid crystal composition includes liquid crystal and chiral agent including a compound with three electron withdrawing groups as a terminal group of a structure in which a plurality of rings including at least one aromatic ring are connected directly or through a connection group, wherein a peak of a diffraction wavelength on a longest wavelength side in a reflection spectrum is 450 nm or less, and is preferably 420 nm or less.例文帳に追加
少なくとも1つの芳香環を含む複数の環が直接又は連結基を介して連結した構造の末端基として、3つの電子吸引基を有する化合物を含む液晶及びカイラル剤を有し、反射スペクトルにおける最も長波長側の回折波長のピークが450nm以下、より好ましくは420nm以下である液晶組成物である。 - 特許庁
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