「element component」に関連した英語例文の一覧と使い方(71ページ目) - Weblio英語例文検索

Disclosed is the EMI absorbing component having an electronic circuit composed of a first means of absorbing electromagnetic energy, a second means of transmitting the electromagnetic energy absorbed by the first means, and a third means of converting the electromagnetic energy absorbed by the first means into other energy, at least two or more of the first means, second means and third means being constituted in the same element.例文帳に追加

電磁エネルギーを吸収する第１の手段と、前記第１の手段で吸収した電磁エネルギーを伝送する第２の手段と、前記第１の手段で吸収した電磁エネルギーを他のエネルギーに変換する第３の手段とで構成される電子回路を有するＥＭＩ吸収部品であって、前記第１の手段、前記第２の手段、および前記第３の手段のうち、少なくとも２つ以上の手段が同一の構成要素内に構成されている。 - 特許庁

This electronic component with outer metal terminals is characterized in that the terminal electrodes 12 of a ceramic capacitor element 1 are electrically connected through a solder layer 5 to the outer metal terminals 3 and the conductive content in the terminal electrode 12 diffuses into the solder layers 4, 5 and forms a diffused layer 5 μm thick or thicker when the terminal electrodes 12 are connected to the outer metal terminals 3.例文帳に追加

本発明は、外部金属端子付き電子部品において、セラミックコンデンサ素子１の端部電極１２と、外部金属端子３とをはんだ層５を介して電気的に接合し、かつ、セラミックコンデンサ素子１の端部電極１２と外部金属端子３とを接合する際に、端部電極１２の導電成分がはんだ層４、５に拡散してはんだ接合部分に５μｍ以上の厚さの拡散層が形成されていることを特徴とするものである。 - 特許庁

In this sensor element having at least one auxiliary electrode and a measuring electrode making contact directly with a gas mixture, wherein a signal generated by the measuring electrode is used for the measurement of a concentration of the oxidizable component, a potential for reducing oxygen contained in the gas mixture and nitrogen oxides contained in the gas mixture is impressed to the auxiliary electrode at least temporarily.例文帳に追加

上記課題は、混合気と直接接する少なくとも１つの補助電極と測定電極とを有しており、測定電極により生成された信号が被酸化性成分の濃度の測定に使用される形式のセンサ素子において、補助電極に、混合気に含まれている酸素および混合気に含まれている窒素酸化物を還元する電位が少なくとも一時的に印加されるように構成することにより解決される。 - 特許庁

This organic EL element has a hole implantation electrode, an electron implantation electrode and one or more kinds of organic layers arranged between these electrodes, a hole implantation layer being provided between the hole implantation electrode and the organic layers, and containing carbide of Si and/or nitride of Si as a main component, as well as one or more kinds of either of Cu, Fe, Ni, Ru, Ge and Sn.例文帳に追加

本発明の有機ＥＬ素子は、ホール注入電極と、電子注入電極と、これらの電極間に設けられた１種以上の有機層とを有し、前記ホール注入電極と前記有機層との間にホール注入層を有し、前記ホール注入層は、Ｓｉの炭化物および／またはＳｉの窒化物を主成分として含有し、前記ホール注入層は、さらに、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｒｕ、ＧｅおよびＳｎのいずれか１種以上を含有する。 - 特許庁

To provide a process for manufacturing a semiconductor element with adhesive efficiently and surely in which disconnection of a wire can be suppressed when a semiconductor device is manufactured by chip-on-wire (COW) method, and a space for arranging an MEMS can be provided conveniently when a semiconductor device where a minute electrical and/or mechanical component (MEMS) is not arranged on a chip is manufactured.例文帳に追加

チップオンワイヤ（ＣＯＷ）工法により半導体装置を製造する場合には、ワイヤの断線を抑制することができ、また、チップ上に微小な電気及び／又は機械部品（ＭＥＭＳ）が配置されているような半導体装置を製造する場合には、ＭＥＭＳを配置するための空間部を簡便に設けることができる接着剤付半導体素子を効率よく且つ確実に得ることが可能な接着剤付半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The covering layer is composed of composite material containing (A) thermoplastic resin, (B) particulates containing silicone modified by an organic compound containing at least a kind of element selected from a group comprising oxygen, nitrogen and sulfur, and (C) a conductivity imparting agent as an indispensable component.例文帳に追加

導電性支持部材１と、前記支持部材外周面上に形成された弾性層２と、前記弾性層の外周面上に形成され最表面に露出する被覆層３とを含む導電性ローラであって、前記被覆層が必須成分として（Ａ）熱可塑性樹脂、（Ｂ）酸素、窒素、及び硫黄からなる群より選ばれた少なくとも一種類の元素を含有する有機化合物で変性されたシリコーンを含む微粒子、及び（Ｃ）導電性付与剤を含む複合材料からなる導電性ローラである。 - 特許庁

A method for producing dimethyl terephthalate and alkylene glycol from a polyester product including polyalkylene terephthalate with which a phosphorus-based flame retardant is copolymerized controls the concentration of phosphorus element in a depolymerization liquid obtained in a depolymerization process, after experiencing the depolymerization process, a transesterification reaction process, and a useful component recovery process, to be 370 ppm or less.例文帳に追加

リン系難燃剤が共重合されたポリアルキレンテレフタレートを含むポリエステル製品よりテレフタル酸ジメチルおよびアルキレングリコールを製造する方法であって、解重合工程、エステル交換反応工程、有用成分回収工程を経て、解重合工程において得られる解重合液中のリン原子濃度を３７０ｐｐｍ以下となるように制御することを特徴とするポリエステル製品からテレフタル酸ジメチルおよびアルキレングリコールを製造する方法によって上記課題を解決することができる。 - 特許庁

This element 10 comprises a first electrode 1 containing silicon as a main component, an aluminum compound film 3 covering the first electrode 1, an oxide dielectric film 4 having a higher dielectric constant than the aluminum compound film 3 and covering this film 3, a second conductor-made electrode 5 covering the oxide dielectric film 4, etc.例文帳に追加

容量素子（１０）は、シリコンを主成分として形成された第１電極（１）と、アルミニウム化合物により、第１電極（１）を被覆するように形成されたアルミニウム化合物膜（３）と、酸化物であり、且つ、アルミニウム化合物膜（３）よりも誘電率が大きい絶縁体により、前記アルミニウム化合物膜（３）を被覆するように形成された酸化物誘電体膜（４）と、導電体により、前記酸化物誘電体膜（４）を被覆するように形成された第２電極（５）とを含む。 - 特許庁

The electronic component has an element body including the internal electrode layer and a dielectric layer, and the internal electrode layer contains at least Ni and nobel metal and has a line coverage of ≥75%, an electrode average thickness of ≤0.5 μm, and an electrode average length of ≥3.0 μm, the internal electrode layer containing >0 to ≤10 mol% of nobel metal.例文帳に追加

内部電極層と誘電体層とを含む素子本体を有する電子部品であって、前記内部電極層が、少なくともＮｉおよび貴金属を有し、前記内部電極層の線被覆率が７５％以上、前記内部電極層の電極平均厚みが０．５μｍ以下、前記内部電極層の電極平均長さが３．０μｍ以上であり、前記貴金属が、前記内部電極層中に、０モル％より多く、１０モル％以下含有されることを特徴とする。 - 特許庁

In the case of a substance permeable composite material based on at least one substance permeable porous carrier containing at least an inorganic component having at least one compound, substantially comprising a metal, a semimetal or at least one group III or VII element, in its single side and inside, a polyelectrolyte layer is provided on the inside surface and/or outside surface of the composite material.例文帳に追加

貫通された物質透過性の担体の少なくとも片側およびこの担体の内側に、本質的に金属、半金属または第３主族ないし第７主族の少なくとも１つの元素を有する混合金属からなる少なくとも１つの化合物を有する少なくとも１つの無機成分を含有する、少なくとも１つの貫通された物質透過性の担体を基礎とする物質透過性複合材料の場合に、この複合材料が内側表面上および／または外側表面上にポリ電解質層を有する。 - 特許庁

In the wiring, a first titanium film 401, aluminum or a film 402 with aluminum as a main component, and a second titanium film 404 are laminated, and aluminum or the film with aluminum as a main constituent has an element for giving fluidity to aluminum or the film with aluminum as a main constituent, thus reducing a contact fail.例文帳に追加

薄膜トランジスタの層間絶縁膜に設けられたソース領域又はドレイン領域に達する第一のコンタクトホールと、層間絶縁膜に設けられたゲート電極に達する第二のコンタクトホールと、第一のコンタクトホール及び第二のコンタクトホールにそれぞれ形成された配線とを有し、該配線に第一のチタン膜と、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする膜と、第二のチタン膜とが積層した構造を用い、且つアルミニウム又はアルミニウムを主成分とする膜がアルミニウム又はアルミニウムを主成分とする膜に流動性を付与する元素を有することにより、コンタクト不良を低減することができる。 - 特許庁

The transparent electrode and the opposing electrode, and a layer pinched in between are provided on the translucent base material by the plural number, and that an organic EL element with a second alignment mark on is transferred and laminated through the metal foil and the adhesive layer of the sealing component on the translucent base material.例文帳に追加

透明電極と対向電極及びその間に挟持された層が透光性基材上に複数個設けられ、かつ、透光性基材に第二のアライメントマークが設けられている有機ＥＬ発光素子を、前記封止部材の金属箔を接着層を介して転写・積層すると、薄い金属箔をしわ等にならずに封止に用いることが可能になり、かつ、一定張力をかけながら封止するために、同一基材上の個々の素子の封止端面が均一となり、従って各素子の耐湿性能の揃った有機ＥＬ素子を提供することができる。 - 特許庁

To provide such a conversion module that an improved integration density of a component element is attained by improving a conversion module 1 for transmitting and/or receiving light by at least one optical semiconductor 9.例文帳に追加

モジュール１は接触部に電気的に接続されていて、該接触部がベースプレート３の下面側２に形成されていて、少なくとも１つの光半導体９が、光を送信方向Ｂでベースプレート３の上面側１０から離れる方向に送信することができるように、かつ／または光を受信方向Ｂでベースプレート３の上面側で受信することができるように配置されている形式の、光を少なくとも１つの光半導体９によって送信かつ／または受信するための変換モジュール１を改良して、構成素子の改良された集積密度が達成されるような変換モジュールを提供することである。 - 特許庁

The photoelectric conversion element comprises a photoelectric conversion layer 11, a negative electrode 12 containing, as a component, a single layer graphene and/or a multilayer graphene where some of carbon atoms arranged on one surface of the photoelectric conversion layer 11 are replaced by at least nitrogen atoms, and a positive electrode 13 arranged on the other surface of the photoelectric conversion layer 11.例文帳に追加

本発明の実施形態の光電変換素子は、光電変換層１１と、前記光電変換層１１の一方の面に配置された炭素原子の一部が少なくとも窒素原子に置換された単層グラフェン及び／又は多層グラフェンを構成要素とする陰電極１２と、前記光電変換層１１の他方の面に配置された陽電極１３とを、具備することを特徴とし、また、本発明の実施形態の光電変換素子の製造方法は、炭素原子の一部が少なくとも窒素原子に置換された単層グラフェン及び／又は多層グラフェンを構成要素とする陰電極１２を基板上に形成する工程と、前記陰電極１２上に光電変換層１１を形成する工程と、前記光電変換層１１の上に陽電極１３を作製する工程を、具備することを特徴とする。 - 特許庁