「eximer」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A CVD silicon film 150 is annealed by eximer lasers in a state that the insulating film 170 exists on the surface, so that a crystalline silicon film 151 can be formed.例文帳に追加

絶縁膜１７０が表面に存在した状態でＣＶＤシリコン膜１５０をエキシマレーザによりアニールして結晶性シリコン膜１５１を形成する。 - 特許庁

Electrostatic charges can be prevented from remaining in the polysilicon film, which is caused by eximer-laser-annealing applied to the amorphous silicon film with the active fluorine adhered to the surface of the amorphous silicon film.例文帳に追加

アモルファスシリコン膜の表面に活性フッ素が付着した状態でエキシマレーザアニールすることで生じるポリシリコン膜中の電荷の残留を防止できる。 - 特許庁

A portion of an organic polymer film 6 is removed by locally irradiating the organic polymer film 6 with a laser beam by the use of an eximer laser excitation device 1, and then, a plasma treatment with a gas containing a nitrogen atom is carried out.例文帳に追加

有機高分子膜６に対してエキシマレーザ励起装置１を用いてレーザ光を局所的に照射することにより有機高分子膜６の一部を除去した後、窒素原子を含むガスによるプラズマ処理を行う。 - 特許庁

A pattern surface is irradiated with light using an eximer UV lamp having ≤240 nm wavelength in an atmosphere having oxygen for removing a resist residue remaining after pattern transfer.例文帳に追加

パターン転写後に残存するレジスト残渣を除去するために酸素含有雰囲気中において、波長２４０ｎｍ以下の波長を有するエキシマＵＶランプを用いてパターン面を光照射する。 - 特許庁

A substrate B which is the array substrate of a liquid crystal panel is inserted into a processing chamber 37a of an excimer laser anneal chamber 37 by a robot 35, and the substrate B is annealed by the eximer laser so that a polycrystalline film can be formed.例文帳に追加

液晶表示パネルのアレイ基板である基板Ｂを、ロボット35により、エキシマ・レーザ・アニール室37の処理チャンバー37a へ挿入し、エキシマ・レーザにより基板Ｂをアニールして多結晶膜を形成する。 - 特許庁

To optimize a wave front of a narrow band eximer laser by selecting a combination of optical components for obtaining high optical quality and controlling the characteristics of the optical components.例文帳に追加

狭帯域化エキシマレーザにおいて、良質な光品位を得ることのできる光学部品の組み合わせを選定し、この光学部品の特性を調整して波面の最適化を行なう。 - 特許庁

Thereby, by the eximer light wherein a single peak wavelength is provided and an energy of the photon is much, adhesion between the mold surface and a material stuck thereto is lowered, and the material of which the adhesion is lowered is vaporized by oxidizing decomposition.例文帳に追加

これにより、単一ピーク波長を有し光子のエネルギーが大きいエキシマ光により、型面とこれに付着した物質との間の密着性を低下させ、密着性が低下した物質を酸化分解し揮発させる。 - 特許庁

The eximer laser beam B is irradiated on the whole of amorphous silicon thin film 12 on the glass substrate 11 by only moving a substrate stage 28, installed on the glass substrate 11, along a direction orthogonal to the long picture direction of the excimer laser beam B.例文帳に追加

ガラス基板11を設置した基板ステージ28を、エキシマレーザビームＢの長尺方向に直交する方向に沿って移動させるだけで、ガラス基板11上のアモルファスシリコン薄膜12全体にエキシマレーザビームＢを照射できる。 - 特許庁

To obtain a method for manufacturing an ultraviolet light resistant optical material such as a lens or a prism, which has ultraviolet light resistance to light having wavelengths in the ultraviolet light region such as eximer laser and which is suitable for an optical device using high power laser of an ultraviolet light region.例文帳に追加

エキシマレーザなどの紫外線領域波長光に対する耐紫外線性を有し、紫外光線領域の高出力レーザを利用する光学装置に好適なレンズ、プリズム等の耐紫外線光学材料の製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a positive resist composition suitable for far ultraviolet rays, particularly KrF eximer laser light, having improved line edge roughness, excellent sensitivity, resolution and focal depth and capable of reducing foreign substance on a resist pattern and decreasing standing wave.例文帳に追加

遠紫外光、特にＫｒＦエキシマレーザー光に好適で、ラインエッジラフネスが改善され、感度、解像力、焦点深度が優れ、レジストパターン表面上の異物が減少し、更に定在波も低減したポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

An optical element is obtained by using the artificial quartz member characterized in that lowering of the refractive index of a normal light ray 32 or abnormal light ray 33, generated at an irradiated part, is ≤50 ppm when the member is irradiated with 5.0×10^7 pulses of ArF eximer laser beam having a fluence of 500 mJ/cm^2.例文帳に追加

５００ｍＪ／ｃｍ^２のフルエンスを持ったＡｒＦエキシマレーザー光を５．０×１０^７パルス照射したときに、照射部に発生する常光線３２もしくは異常光線３３の屈折率の低下が５０ｐｐｍ以下の人工水晶部材を用いた光学素子を提供する。 - 特許庁

To obtain a base polymer for a resist capable of improving resistance to dryetching without deteriorating transparency and resolution, or the like, as advantages of acrylic resist materials, and suitably useful as the base polymer for the resist using an exposing light source with a short wave length light such as an ArF eximer laser.例文帳に追加

（ａ）アクリル酸誘導体及びメタクリル酸誘導体から選択されたモノマー単位と、（ｂ）下記一般式（１）で表される繰り返し単位を有する共重合体、並びにこれを含有することを特徴とするレジスト用ベースポリマー。 - 特許庁

To thin a light-shielding layer (i.e., to thin a light-shielding film and a transfer pattern) necessary for generations of DRAM half-pitch (hp) 45 nm and after in a semiconductor design rule, especially for a generation of hp 32-22 nm, as to a photomask blank to be used for manufacturing a photomask for ArF eximer laser exposure.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザー露光用フォトマスクを作製するために用いられるフォトマスクブランクに関し、半導体デザインルールにおけるＤＲＡＭハーフピッチ（ｈｐ）４５ｎｍ以降の世代、特にｈｐ３２−２２ｎｍ世代に必要な遮光層の薄膜化（ひいては遮光膜、転写パターンの薄膜化）を目的とする。 - 特許庁