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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > feedthroughの意味・解説 > feedthroughに関連した英語例文

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feedthroughを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 168



例文

The steel sleeve 1 has a non-compressed section 1a, steel core wire insertion holes 1b from both ends to the ends of the non-compressed section 1a, and a feedthrough hole 1c in the center of the steel sleeve 1 fabricated perpendicularly to the steel core wire insertion holes 1b.例文帳に追加

鋼スリーブ1は、中央に所定長さの非圧縮部1aと、両端からそれぞれ非圧縮部端までの鋼心線挿入孔1bと鋼スリーブ1中心に鋼心線挿入孔1bと垂直に加工された貫通孔1cを有する。 - 特許庁

Thanks to such a constitution, even if an external electric wave noise superimposed on the wiring connection substrate 34 occurs, this is absorbed by the feedthrough capacitor 35 and hence the influence of the noise to the sensor control circuit board 33 can be eliminated.例文帳に追加

このような構成により、たとえ配線接続基板34に重畳した外部の電波ノイズが発生したとしても、この貫通コンデンサ35により吸収されるため、センサ制御回路基板33に対して与えるノイズの影響を排除することができる。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device 1 that compensates the difference in the degree of feedthrough depending on the difference in a pixel arrangement with respect to scan wiring to prevent the reduction in a display quality in a liquid crystal panel 10 with the number of data wires being half a horizontal resolution.例文帳に追加

データ配線本数を水平解像度の半分にした液晶表示パネル10において走査配線に対する画素配置の違いによるフィードスルーのかかり方の違いを相殺し、表示品位の低下を防止した液晶表示装置1を提供する。 - 特許庁

To provide a field effect transistor where a distortion Si layer or a distortion SiGe layer is formed on the grid relax SiGe layer and a method for manufacturing this field effect transistor and an integrated circuit device capable of reducing the feedthrough displacement density of the grid relax SiGe layer.例文帳に追加

格子緩和SiGe層の貫通転位密度を低減でき、この格子緩和SiGe層上に歪Si層或いは歪SiGe層を形成した電界効果トランジスタ及びその製造方法及び集積回路装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

例文

In the feedthrough capacitor 1, in addition to first internal electrodes 21 for signals in a plurality of first disposed electrode layers 11, second internal electrodes 22 for signals in second electrode layers 12 are disposed to form a current carrying part V in a capacitor element assembly 2.例文帳に追加

貫通コンデンサ1では、コンデンサ素体2内において、複数配置された第1の電極層11の第1の信号用内部電極21に加え、第2の電極層12の第2の信号用内部電極22が配置されて通電部Vが構成されている。 - 特許庁


例文

To make low the feedthrough dislocation density in an SiGe buffer layer and to lessen the surface roughness also of the buffer layer in a semiconductor substrate, a field-effect transistor, the forming method of an SiGe layer, the forming method of a distorted Si layer using this forming method, and the manufacturing method of the field-effect transistor.例文帳に追加

半導体基板と電界効果型トランジスタ並びにSiGe層の形成方法及びこれを用いた歪みSi層の形成方法と電界効果型トランジスタの製造方法において、貫通転位密度を低くかつ表面ラフネスも小さくすること。 - 特許庁

To provide an image display device which does not affect variation in a display property for every pixel by using a thin film transistor of which the feedthrough voltage ΔV is constant over the whole surface of a TFT substrate and an active matrix circuit which includes the thin film transistor.例文帳に追加

フィードスルー電圧ΔVがTFT基板全面において一定である薄膜トランジスタ、該薄膜トランジスタから構成されるアクティブマトリックス回路を用いることにより画素ごとの表示特性のバラツキに影響を及ぼすことの無い画像表示装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a nitride semiconductor substrate having sufficient crystallinity owing to no protective film in the nitride semiconductor and lowered feedthrough dislocation by epitaxial growth of a nitride semiconductor without using a protective film on a substrate in growing the nitride semiconductor.例文帳に追加

窒化物半導体の成長において、基板上に保護膜を用いること無く窒化物半導体をエピタキシャル成長させ、窒化物半導体内に保護膜を有さないため結晶性がよく、かつ貫通転位を低減させた窒化物半導体基板を得ることを目的とする。 - 特許庁

This feedthrough fixed to an image display device (a vacuum vessel) and used to electrically connect the inside and the outside of the vacuum vessel has a ceramic printed circuit board on which a plurality of circuits are formed, and a plurality of electric signals can be introduced into the vacuum vessel with the ceramic printed circuit board 9.例文帳に追加

画像表示装置(真空容器)に装着され当該真空容器の内外を電気的に接続するためのフィードスルーであって、複数の配線が形成されたセラミックプリント基板9を備え、セラミックプリント基板9によって複数の電気信号を真空容器内に導入可能とした。 - 特許庁

例文

The level ΔV of a feedthrough voltage as a variation component of a driving voltage generated at a drain terminal 1004 of an active element 1001 in switching of an operation state for alternating a select voltage and a non-select voltage to be applied to a gate terminal 1002 is controlled to be within a predetermined range.例文帳に追加

アクティブ素子1001のゲート端子1002に印加する選択電圧と非選択電圧とをを切り換える動作状態切り換え時にドレイン端子1004に生じる駆動電圧の変動成分であるフィードスルー電圧の大きさΔVを、所定範囲内にする。 - 特許庁

例文

In the method of manufacturing the laminated feedthrough capacitor 1, a precursor of a step absorption layer 13 for signal is formed on a precursor of a first inner electrode 11 for signal, and each precursor of step absorption layers 43 and 44 is formed on a precursor of a second inner electrode 41 for ground, respectively.例文帳に追加

積層貫通コンデンサ1の製造方法では、第1の信号用内部電極11の前駆体上に信号用段差吸収層13の前駆体を、第2の接地用内部電極41の前駆体上に段差吸収層43,44の各前駆体をそれぞれ形成する。 - 特許庁

This connector with the capacitor includes a shell 2, an insulator 15 fixed in the shell 2, a contact 21 supported by the insulator 15, the panel 25 provided in the shell 2, and the feedthrough capacitor 30 fixed to the panel 25, penetrated its central part by the contact 21 and joined with the contact 21 and the panel 25 by soldering.例文帳に追加

シェル2と、シェル2の内部に固定されるインシュレータ15と、インシュレータ15に支持されるコンタクト21と、シェル2の内部に設けられるパネル25と、パネル25に固定されるとともに、中心部をコンタクト21が貫通し、かつコンタクト21との間及びパネル25との間が半田付けによって接合される貫通コンデンサ30とを備える。 - 特許庁

In a formation process of an absorption layer pattern of the method of manufacturing the laminated feedthrough capacitor 1, precursors of a step absorption layer 22 for grounding and a step absorption layer 24 for grounding are formed on an electrode pattern 43 for grounding, and a precursor of a step absorption layer 32 for grounding is formed on an electrode pattern 44 for grounding.例文帳に追加

積層貫通コンデンサ1の製造方法では、吸収層パターンの形成工程において、接地用電極パターン43上に接地用段差吸収層22及び接地用段差吸収層24の前駆体を形成し、また、接地用電極パターン44上に接地用段差吸収層32の前駆体を形成する。 - 特許庁

The hard disk drive HDD1 comprises: an HDD main unit 10; a case 11 for housing the HDD main unit 10; a cover 12 with a feedthrough function for closing an opening 111 of the case 11; and an FPC connector 13 for interconnecting the HDD main unit 10 and a plurality of pins 122 fixed to the cover 12.例文帳に追加

本発明の一実施形態のHDD1は、HDD本体10、HDD本体10を収容するケース11、ケース11の開口111を塞ぐフィード・スルー機能付蓋12、HDD本体10と蓋12に固定されている複数のピン122とを相互接続するFPCコネクタ13とを有している。 - 特許庁

To provide an image display device, capable of suppressing cost increase of the image display device, and suppressing image quality deterioration caused by a feedthrough voltage generated, when the operation state of an active element is switched from a state, capable of outputting a driving voltage to a state wherein the output of the driving voltage is restrained.例文帳に追加

画像表示装置のコストアップを抑えて、アクティブ素子の動作状態が、駆動電圧が出力可能な状態から駆動電圧の出力が規制される状態に切り換わるときに発生するフィードスルー電圧による画像品質の低下を抑制することができる画像表示装置を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the laminated feedthrough capacitor 1, an absorption layer pattern 44 including a precursor of a step absorption layer 22 is formed along one edge on an electrode pattern 43 for grounding, and an absorption layer pattern 45 including a precursor of a step absorption layer 32 is formed along the other edge on the electrode pattern 43 for grounding.例文帳に追加

積層貫通コンデンサ1の製造方法では、接地用電極パターン43上の一方の外縁に沿って段差吸収層22の前駆体を含む吸収層パターン44を形成するとともに、接地用電極パターン43上の他方の外縁に沿って段差吸収層32の前駆体を含む吸収層パターン45を形成している。 - 特許庁

As a result, the high voltage insulator ring 211 as an insulating stand-off is located at the distant end of the support tube system coaxially arranged near an ion source to mechanically support the inside support tube and serve as a high voltage vacuum feedthrough, thus reducing the possibility that vapor reaches the insulating surface of the insulator ring 211 to contaminate and cover it.例文帳に追加

この結果、絶縁スタンドオフとしての高電圧インシュレータリング211が、イオン源の近くから同軸配置された支持管システムの遠方端に位置するので、内側支持管を機械的に支持するとともに、高電圧フィードスルーとして作用し、インシュレータリング211の絶縁表面に蒸気が到達して汚染しかつ被覆する可能性を減少させることができる。 - 特許庁

例文

The extraction electrode manipulator system includes a suppression electrode 210 supported by an inside support tube 248 of a support tube system coaxially arranged, a ground electrode 212 supported by an outside support tube 246 of the support tube system coaxially arranged, and a high voltage insulator ring 211 located at the distant end of the support tube system coaxially arranged to mechanically support the support tube system and serve as a high voltage vacuum feedthrough.例文帳に追加

本発明の引出電極用マニピュレーター・システムは、同軸配置された支持管システムの内側支持管248によって支持される抑制電極210と、前記同軸配置された支持管システムの外側支持管246によって支持されている接地電極212と、前記同軸配置された支持管システムの遠方端に位置して、前記支持管システムを機械的に支持し、かつ高電圧真空フィードスルーとして作用する高電圧インシュレータリング211とを含む。 - 特許庁




  
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