「gating current」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A switching TFT201 formed in a pixel has a multi-gating structure, which is a structure focusing on reduction of an OFF state current value.例文帳に追加

画素内に形成されるスイッチング用ＴＦＴ２０１はマルチゲート構造になっており、オフ電流値の低減に重点をおいた構造となっている。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device in which a voltage level of a block gating signal is stable and a required time for data program and/or current consumption are reduced, and a program driving method for the same.例文帳に追加

ブロックゲーティング信号の電圧レベルが安定的であり且つデータプログラムの所要時間及び／又は電流消耗が減少する不揮発性半導体メモリ装置及びこれに対するプログラム方法の提供。 - 特許庁

A gating current measurement pulse sequence including a plurality of load cycles for continuous excitation and relaxation can attain a short analysis time and/or improve accuracy and/or precision of analysis.例文帳に追加

連続的な励起および緩和の複数の負荷サイクルを含むゲート化電流測定パルスシークエンスは短時間の分析時間をもたらしおよび／または分析の正確性および／または精度を改善することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit having a communication interface and characterized in that power consumption is reducible by eliminating a leak current by actualizing power gating by an easy method without following a special procedure.例文帳に追加

通信インタフェースを有する半導体集積回路において、特別な手順を踏むことなく極めて簡素な方法でパワーゲーティングを実現することによりリーク電流を排除し、消費電力を低減することができる半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

The gating current measurement sequence can reduce analysis errors caused by haematocrit effect, variance in cap-gap capacity, an unsteady state condition, a mediator background, deficiency in charging amount, temperature variation of the sample, and a set of calibration constant.例文帳に追加

ゲート化電流測定パルスシークエンスは、ヘマトクリット効果、キャップ−ギャップ容積のばらつき、非定常状態条件、メディエータバックグラウンド、充填量不足、サンプルの温度変化および一組の較正定数によって生じる分析誤差を減少させることができる。 - 特許庁

The design method for semiconductor integrated circuit comprises steps of (A) providing an operation model of the power gating circuit; (B) setting a restriction for rush current; (C) executing a circuit simulation using the operation model; and (D) generating timing data showing the ON timing for turning on each of the plurality of power supply switches based on the result of the circuit simulation.例文帳に追加

本発明に係る半導体集積回路の設計方法は、（Ａ）パワーゲーティング回路の動作モデルを提供するステップと、（Ｂ）突入電流に関する制約を設定するステップと、（Ｃ）動作モデルを用いた回路シミュレーションを実行するステップと、（Ｄ）回路シミュレーションの結果に基づいて、複数の電源スイッチのそれぞれをＯＮさせるＯＮタイミングを示すタイミングデータを生成するステップとを有する。 - 特許庁