「inter-lattice」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

By this, the degree of over-saturation of the carbon on the crystal growth surface is raised to generate excessive inter-lattice carbons on the surface in the middle of growth.例文帳に追加

このことで、結晶成長表面の炭素の過飽和度を上げ、成長途中の表面に過剰な格子間炭素を発生させる。 - 特許庁

Attribute parameters of respective graphics to be generated for each lattice point of the second grid coordinates are calculated from attribute parameters of the associated reference graphics through weighting computation based on the corresponding inter-lattice distance.例文帳に追加

第２グリッド座標の格子点毎に生成すべき各図形の属性パラメータを、関係する参照図形の属性パラメータから、対応する格子点間距離に基づく重み付け計算によって算出する。 - 特許庁

To provide a hetero super-lattice structure having a steep interface which suppresses the diffusion of alkaline metal from a barrier layer in an oxide semiconductor super-lattice structure, and a highly efficient inter-subband transition device employing the same.例文帳に追加

酸化物半導体超格子構造において障壁層からのアルカリ金属の拡散を抑制した急峻な界面を有するヘテロ超格子構造を提供し、これを用いた効率の高いサブバンド間遷移デバイスを提供する。 - 特許庁

On a 1st inter-layer insulating film 116 formed on the switching element, a buffer layer 117 for lattice matching between the 1st inter-layer insulating film 116 and the ferroelectric thin film is formed.例文帳に追加

スイッチング素子の上に形成された第１の層間絶縁膜１１６の上には、該第１の層間絶縁膜１１６と強誘電体薄膜との格子整合をとるバッファ層１１７が形成されている。 - 特許庁

A 1st muntin part 23 which covers a 1st inter-electrode gap among longitudinal and lateral muntin parts of a lattice-shaped shading film 6 becomes larger reversely to the rubbing direction DR1 of the 1st alignment layer 7 to cover a side edge part of the 1st electrode 5 on the opposite side from the 1st inter- electrode gap 25.例文帳に追加

格子状の遮光膜６の縦横の組子部分のうちの第１電極間間隙２５を覆う第１組子部分２３は、第１配向膜７のラビング方向ＤＲ１とは逆方向側に大きくなっており、第１電極間間隙２５の該逆方向側にある第１電極５の側縁部を覆う。 - 特許庁

The electrolyte film layer 110 is formed into a film by using a proton conductive compound of a perovskite structure, and exerts a proton conductive property in a state that an oxygen atom is introduced in an inter-lattice oxygen deficiency.例文帳に追加

電解質膜層１１０は、ペロブスカイト型プロトン伝導体化合物を用いて製膜され、格子間酸素の欠損への酸素原子導入が起きた状態でプロトン伝導の性質を呈する。 - 特許庁

Further, the oxygen electrode side film layer 125 prevents or restrains escape of the oxygen already introduced in the inter-lattice oxygen deficiency by being covered by the electrolyte film layer 110.例文帳に追加

その上で、酸素極側膜層１２５は、電解質膜層１１０を覆うことで格子間酸素欠損に導入済みの酸素の抜けを防止或いは抑制する。 - 特許庁

The paved-road trimming has a front wall integrally containing a plurality of vertical studs, a rear wall and a plurality of inter-horizontal walls forming an approximately rectangular lattice structure.例文帳に追加

舗装道路縁取りは、複数の垂直脚柱を一体的に含む前壁と、後壁と、略矩形格子構造を形成する複数の介在横壁とを有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method, capable of improving transistor performance by restraining carrier migration due to inter-lattice silicon from deteriorating.例文帳に追加

格子間のシリコンによるキャリア移動度の劣化を抑制し、トランジスタ性能を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, since a state that an oxygen atom is introduced in the inter-lattice oxygen deficiency can be secured at the start of the fuel cell, a proton conductive property can be kept exerted at the start of the fuel cell.例文帳に追加

よって、格子間酸素の欠損への酸素原子導入が起きた状態を燃料電池起動時に確保できることになるので、プロトン伝導の性質を燃料電池起動当初から発揮しておくことができる。 - 特許庁

To reduce the time required for the design by eliminating failures without generating new failure spots when failure spots are detected between a lattice-like power supply wiring and an inter-cell signal wiring.例文帳に追加

格子状電源配線とセル間信号配線との間の不良箇所が検出された場合に、新たな不良箇所を発生させることなく不良を解消することにより設計期間を短縮する。 - 特許庁

By the above, since a negative voltage is imposed on the electrode film layer 110 at the oxygen electrode 20 side while the electrode film layer is exposed to the oxygen in oxygen gas, an oxygen atom as a negative ion is introduced in the inter-lattice oxygen deficiency.例文帳に追加

これにより、酸素極２０の側の電解質膜層１１０は、酸素ガス中の酸素に触れた上で負の電圧印可を受けることから、電解質膜層１１０表面では、酸素原子が負の電荷のイオンとして格子間酸素欠損に導入される。 - 特許庁

Acetylene black, and at least either one of low graphitized graphite, in which a spacing d_002 of the 002 inter-planar distance of carbon lattice is 0.337 nm or larger, and its length in the direction of the C axis is 12 nm or smaller, or amorphous carbon crushed to a prescribed particle size and classified are used for the conductive material.例文帳に追加

導電材には、アセチレンブラックと、炭素結晶格子の００２面間距離ｄ_００２が０．３３７ｎｍ以上、Ｃ軸方向の長さＬｃが１２ｎｍ以下の黒鉛化の低い黒鉛及び所定の粒径に粉砕、分級した非晶質炭素のすくなくともいずれか一方とを用いた。 - 特許庁

This sensor for surface shape recognition is equipped with an earth 106 having an exposure part formed in a lattice shape on a passivation film surface on an inter-layer insulating film 104 formed on a lower-layer insulating film 102 on a semiconductor substrate 101, and a sensor electrode 105 of, for example, 80 μm square are arranged at the center parts of a square.例文帳に追加

半導体基板１０１上の下層絶縁膜１０２上に形成された層間絶縁膜１０４上に、パシベーション膜表面において露出部が格子状に形成されたアース１０６を備え、マスの中央部にたとえば８０μｍ角のセンサ電極１０５が配置される。 - 特許庁

In forming a pixel electrode 9a on an element substrate of a liquid crystal device, a first insulating film 47 including a lattice-shaped convex part 47f extending along an inter-pixel region 10f is formed, then, a contact hole 47a is formed in the first insulating film 47, and thereafter, a conductive film 9 and a second insulating film 49 are sequentially stacked.例文帳に追加

液晶装置の素子基板に画素電極９ａを形成する際、画素間領域１０ｆに沿って延在する格子状の凸部４７ｆを備えた第１絶縁膜４７を形成した後、第１絶縁膜４７にコンタクトホール４７ａを形成し、その後、導電膜９および第２絶縁膜４９を順次積層する。 - 特許庁

The silicon wafer manufacturing method is characterized in that a silicon single-crystal bar, whose resistivity is 100 Ω.cm or more and initial inter-lattice-oxygen concentration is 5 to 10 ppma, is grown by a Chokralski method, the single-crystal silicon bar is worked as a wafer, and the wafer is treated by quick heating and quick cooling.例文帳に追加

シリコンウエーハの製造方法において、チョクラルスキー法により、抵抗率が１００Ω・ｃｍ以上で初期格子間酸素濃度が５〜１０ｐｐｍａのシリコン単結晶棒を育成し、該シリコン単結晶棒をウエーハに加工し、該ウエーハに急速加熱・急速冷却熱処理を行なうことを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。 - 特許庁

In a semiconductor device where contact with the source diffusion layer and the drain diffusion layer of a transistor is made by a polysilicon contact plug, a film for preventing diffusion of inter-lattice silicon or cavity is formed between the source diffusion layer or the drain diffusion layer and the polysilicon contact plug.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、トランジスタのソース拡散層及び又はドレイン拡散層へのコンタクトが多結晶シリコンのコンタクトプラグである半導体装置において、前記ソース拡散層及び又はドレイン拡散層と多結晶シリコンのコンタクトプラグの間に格子間シリコンまたは空孔の拡散を防止する拡散防止膜を形成した。 - 特許庁