「layer 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

By the uneven structure of the foundation layer 3, shape anisotropy is provided to the foundation layer 3 and the magnetic layer 5.例文帳に追加

下地層３の凹凸構造により、下地層３と磁性層５とに形状異方性を与える。 - 特許庁

A front plate 1 has a glass plate 3 coated with a dielectric layer 4, a UV-reflecting layer 8 and a protective layer 5.例文帳に追加

前面プレート(1)は、誘電体層(4)と、UV反射層(8)と、保護層(5)とが被着されたガラスプレート(3)を有する。 - 特許庁

Then, this has an interfacial layer 4 having electronic conductivity between the negative electrode layer 2 and the solid electrolyte layer 3.例文帳に追加

そして、負極層2と固体電解質層3との間に電子伝導性を持つ界面層4を有する。 - 特許庁

A glass layer 9 for protecting the resistance heater layer 3 is formed on the resistance heater layer 3.例文帳に追加

抵抗発熱体層３上には、抵抗発熱体層３を保護するガラス層９が形成されている。 - 特許庁

The collection layer (2) has a band gap smaller than the band gaps of the interaction layer (1) and the confinement layer (3).例文帳に追加

コレクション層(2)は前記相互作用層(1)および閉じ込め層(3)のバンドギャップより小さいバンドギャップを有する。 - 特許庁

The circuit board comprises the insulating resin layer 3, and the interconnection layer 9 formed on the insulating resin layer 3.例文帳に追加

回路基板は、絶縁樹脂層３と絶縁樹脂層３上に形成された配線層９とを有する。 - 特許庁

An SiGe layer 3 is formed on an Si substrate 1, and an Si layer 5 is formed on the SiGe layer 3.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にＳｉＧｅ層３を形成し、ＳｉＧｅ層３上にＳｉ層５を形成する。 - 特許庁

A decorative panel is produced by forming a zinc plating layer 2, a primer layer 3 and a resin layer 4 on a steel panel 1 (drawing 1).例文帳に追加

装飾用パネルは、鋼板1に、亜鉛メッキ層2、プライマ層3、樹脂層4が形成されている（図１）。 - 特許庁

The HBT 3 is composed of a collector layer 11, a base layer 12, and an emitter layer 13.例文帳に追加

ＨＢＴ３は、コレクタ層１１、ベース層１２、およびエミッタ層１３からなる。 - 特許庁

In the case of a transfer type, the second layer 2 and the third layer 3 become a transfer layer 5.例文帳に追加

転写タイプの場合は第二層及び第三層が転写層５となる。 - 特許庁

An InGaP layer 3 is inserted between a sub-collector layer 2 and a collector layer 4.例文帳に追加

サブコレクタ層２とコレクタ層４の間にＩｎＧａＰ層３を介在させる。 - 特許庁

The wiring formation layer 2 is located between the element layer 1 and the electronic parts layer 3.例文帳に追加

配線形成層２は、素子層１と電子部品層３との間に位置する。 - 特許庁

The barrier layer 3 is pinched between the insulator layer 1 and the insulator layer 2.例文帳に追加

バリア層３は、絶縁体層１と絶縁体層２間に挟持されている。 - 特許庁

A contact layer 3 and a barrier layer 4 are formed on a buffer layer 2.例文帳に追加

バッファ層２上に、コンタクト層３及び障壁層４が形成されている。 - 特許庁

A bias layer 3 is formed adjacently to the free layer 5 via an intermediate layer 4.例文帳に追加

バイアス層３を、中間層４を介してフリー層５と隣接して形成する。 - 特許庁

A low layer conductive film layer 3 extending in a Y direction is formed on a foundational insulation layer 1 and an insulation layer 7 is formed on the film layer 3.例文帳に追加

下地絶縁層１上にＹ方向に延びる下層導電膜３が形成され、さらにその上に絶縁層７が形成されている。 - 特許庁

The transposition inhibiting layer 104 is an AlGaN layer containing carbon with the density of 1014 cm3-1020 cm-3.例文帳に追加

転位阻止層１０４は、炭素を１０^14ｃｍ^-3〜１０^20ｃｍ^-3の濃度で含むＡｌＧａＮ層である。 - 特許庁

This substrate is equipped with a ceramic substrate 2, glaze layer 3 formed on at least one surface of the substrate, and circuit pattern 21 arranged inside the layer 3 with the part of the pattern exposed over the surface of the layer 3.例文帳に追加

本基板は、セラミック基板2とその少なくとも一面側に形成されたグレーズ層3と、層3の内部に配設され且つ層3の表面に一部が露出された配線パターン21とを備える。 - 特許庁

The nonmagnetic layer 4 is provided to adjoin the magnetizing free layer 3.例文帳に追加

非磁性層４は磁化自由層３に隣接して設けられる。 - 特許庁

The layer 5 is provided on the layer 3.例文帳に追加

活性層５は、第１の半導体層３上に設けられている。 - 特許庁

Further, since a constraint layer 3 is stacked on the damping layer 2, the deformation of the damping layer 2 is retrained by the restraint layer 3.例文帳に追加

また、制振層２に拘束層３が積層されているため、拘束層３によって制振層２の変形が拘束される。 - 特許庁

The metallic particle 1 has a central layer 2 and an outermost layer 3.例文帳に追加

金属粒子１は、中心層２と最外層３とをする。 - 特許庁

Each cable core 2 includes, in order from the center, a former 3, the superconductive conductor layer 4, an insulating layer 5, the external superconductive layer 6, and a protective layer 7.例文帳に追加

各ケーブルコア2は、中心から順にフォーマ3、超電導導体層4、絶縁層5、外部超電導層6、保護層7を具える。 - 特許庁

The magnetic layer 4 follows the honeycomb structure of the base layer 3.例文帳に追加

磁性層４は下地層３のハニカム構造が反映される。 - 特許庁

A reworkable adhesive agent layer is formed on the intermediate layer 3.例文帳に追加

中間層３の上にリワーク性粘着剤層を形成する。 - 特許庁

The magnetization direction of the memory layer 3 can be varied by current penetrating the memory layer 3, the first nonmagnetic layer 4, and the reference layer 2.例文帳に追加

記憶層３の磁化方向は、記憶層３、第１非磁性層４、及び参照層２を貫く電流により可変とされる。 - 特許庁

A conductor layer 3 is formed on one of surfaces of the base insulation layer 2.例文帳に追加

ベース絶縁層２の一面に、導体層３が形成される。 - 特許庁

A flame-retardant layer 4 of non-halogen group is provided on the insulating layer 3.例文帳に追加

絶縁層３上にノンハロゲン系の難燃層４を設ける。 - 特許庁

The negative electrode tab 3 includes a metal layer 31 and a coating layer 32.例文帳に追加

負極タブ３は、金属層３１と被覆層３２とを含む。 - 特許庁

The orange light emitting layer 4 is provided on the hole implantation layer 3.例文帳に追加

橙色発光層４はホール注入層３上に設ける。 - 特許庁

The first sheet layer 2 is temporarily affixed to the second sheet layer 3.例文帳に追加

第１シート層２は、第２シート層３に仮貼着されている。 - 特許庁

The electroconductive layer (10) to be bonded to a resin layer (4) includes a copper layer (1) and a copper-tin alloy layer (3) laminated on the copper layer (1), wherein the copper-tin alloy layer (3) has a thickness of 0.001 to 0.020 μm.例文帳に追加

樹脂層(4)に接着させる導電層(10)において、銅層(1)と、この銅層(1)上に積層された銅−スズ合金層(3)とを含み、銅−スズ合金層(3)は、厚みが０．００１〜０．０２０μｍである導電層(10)とする。 - 特許庁

The semiconductor element layer 3 and cooling layer 8 are in such a relationship that the semiconductor element layer 3 is cooled in different degrees of cooling depending on many different places inside the semiconductor element layer 3.例文帳に追加

半導体素子層３と冷却層８とは、半導体素子層３の複数部位でそれぞれに互いに冷却度合いが異なる関係にある。 - 特許庁

When only the recording layer 3 is heated, the heat of the recording layer 3 is absorbed sharply by the support layer 2 so that the recording layer 3 can be cooled rapidly.例文帳に追加

記録層３だけが加熱されると、吸熱性の支持層２により記録層３の熱が急激に吸収されて記録層３を急冷できる。 - 特許庁

This FET 1 is provided with a substrate 2, a buffer layer 3, a first doped layer 4, an undoped layer 5, a second doped layer 6, an undoped layer 7, a cap layer 8, and a surface layer 9.例文帳に追加

ＦＥＴ１は、基板２、バッファ層３、第１ドープ層４、アンドープ層５、第２ドープ層６、アンドープ層７、キャップ層８、および表面層９を有する。 - 特許庁

An ohmic electrode 6 laminating a lower-layer Ti layer 2, a diffusion preventive layer 3, an upper-layer Ti layer 4 and a metallic layer (Au) 5 are provided on a p-type GaAs layer 1.例文帳に追加

ｐ型GaAs層１の上に、下層Ti層２、拡散防止層３、上層Ti層４、金属層（Au）５を積層したオーミック電極６が設けられている。 - 特許庁

The magneto-optical recording medium 10 has a reproducing layer 3, a nonmagnetic layer 5 and a recording layer 5, and the reproducing layer 3 consists of a first magnetic layer 31 and a second magnetic layer 32.例文帳に追加

光磁気記録媒体１０は、再生層３、非磁性層４、記録層５を備え、再生層３は第１磁性層３１と第２磁性層３２とから成る。 - 特許庁

On an insulation resin layer 2 as a 1st layer, the inter-layer circuit 3 is formed, and on this inter-layer circuit 3, an insulation resin layer 4 as a 2nd layer is formed.例文帳に追加

第１層の絶縁樹脂層２上に内層回路３を形成し、この内層回路３上にガラス繊維入りの第２層の絶縁樹脂層４を形成する。 - 特許庁

In addition, a dielectric layer which is suitable for forming the layer on the nickel layer or nickel alloy layer constituting the second conductive layer 4 by the sol-gel method is adopted as the dielectric layer 3.例文帳に追加

更に、誘電層3は、第２導電層4を構成するニッケル層又はニッケル合金層の上にゾル−ゲル法で形成する場合に適したものを採用する。 - 特許庁

An insertion layer 3 is inserted into the first layer 1 and the second layer 2.例文帳に追加

第１の層１および第２の層２には、挿入層３が挿入されている。 - 特許庁

The laser part 20 includes an active layer 3 and a clad layer 4 on a clad layer 2.例文帳に追加

レーザ部２０は、クラッド層２上に、活性層３およびクラッド層４を備える。 - 特許庁

The bottom body part 3 comprises three layers, an upper layer 11, a middle layer 12, and a lower layer 13.例文帳に追加

ボトム体３は、上層１１、中層１２及び下層１３の３層よりなる。 - 特許庁

An overlay layer 4 is formed on a bearing alloy layer 2 via an intermediate layer 3.例文帳に追加

軸受合金層２上に中間層３を介してオーバレイ層４を形成する。 - 特許庁

A disk 1 has a base layer 2 and a recording layer 3 layered on the base layer.例文帳に追加

ディスク１は、ベース層２と、その上に積層される記録層３とを有している。 - 特許庁

The B layer has 30 to 100 mm in thickness, the C layer has 2 to 20 mm in thickness, the D layer has 5 to 50 mm in thickness, a thickness ratio of C layer/(C layer + D layer) is 0.1 to 0.7, and a thickness ratio of (A layer + B layer)/(C layer + D layer) is 1 to 3.例文帳に追加

Ｂ層が３０〜１００mm、Ｃ層が２〜２０mm、Ｄ層が５〜５０mmの厚みで、Ｃ層／（Ｃ層＋Ｄ層）の厚み比が０．１〜０．７、（Ａ層＋Ｂ層）／（Ｃ層＋Ｄ層）の厚み比が１〜３にする。 - 特許庁