「lpcvd」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

First, a thin continuous layer of undoped amorphous silicon is attached by LPCVD.例文帳に追加

第１に、アンドープ・アモルファスシリコンの薄い連続層が、ＬＰＣＶＤによって付着される。 - 特許庁

A channel-part silicon film is deposited by an LPCVD method, and then the temperature is decreased in a reducing atmosphere.例文帳に追加

チャンネル部シリコン膜をＬＰＣＶＤ法で堆積した後還元性雰囲気下で降温する。 - 特許庁

The method includes a process which forms a gate containing a metal film on one area on a semiconductor substrate, and a process which forms an LPCVD oxidized metal on the whole surface using an LPCVD method which does not cause the oxidization of the metal film.例文帳に追加

半導体基板上の一領域上に、金属膜を含むゲートを形成する段階と、前記金属膜の酸化を誘発させないＬＰＣＶＤ法によって全表面上にＬＰＣＶＤ酸化膜を形成する段階とを含む。 - 特許庁

To provide a method of more effectively cleaning an LPCVD reactor having deposition of silicon nitride at low thermal activation temperatures.例文帳に追加

窒化ケイ素堆積のＬＰＣＶＤリアクターを低熱活性化温度で、より効果的にクリーニングする方法を提供する。 - 特許庁

The lower and upper films 8, 10 are silicon oxide films formed by decomposing TEOS, using the LPCVD method.例文帳に追加

下層膜８及び上層膜１０は、ＬＰＣＶＤ法を用いてＴＥＯＳを分解することにより形成されるシリコン酸化膜である。 - 特許庁

At this time, the film 43a is formed in an LPCVD(low pressure chemical vapor deposition) chamber, which maintains a temperature of 300 to 600°C and a pressure of 0.1 to 1.2 Torr.例文帳に追加

このとき、ＴａＯＮ膜は３００乃至６００℃及び０.１乃至１.２Torrを維持するＬＰＣＶＤチャンバ内で形成される。 - 特許庁

Next, at least one dual layer, constituted of an undoped amorphous silicon layer and a dopant single layer, is attached by LPCVD.例文帳に追加

次に、アンドープ・アモルファスシリコン層とドーパント単層とからなる少なくとも１つのデュアル層が、ＬＰＣＶＤプロセスによって付着される。 - 特許庁

A polysilicon film as the gate-electrode material film 7 is formed on the Hf aluminate film 5 at a temperature of 570°C or higher by an LPCVD method.例文帳に追加

Ｈｆアルミネート膜５上にゲート電極材料膜７としてのポリシリコン膜をＬＰＣＶＤ法により５７０℃以上の温度で形成する。 - 特許庁

In the semiconductor device manufacturing method, a silicon nitride film 10 having a chlorine concentration of 4×1020 cm-3 or more is formed by the LPCVD method, using Si2Cl6 as an Si material.例文帳に追加

Ｓｉ原料としてＳｉ_2 Ｃｌ_6 を用いて、ＬＰＣＶＤ法により塩素濃度が４×１０^20ｃｍ^-3以上のシリコン窒化膜１０を形成する。 - 特許庁

Then a polysilicon layer 5 is deposited on the whole surface of a gate insulating film 4 by an LPCVD method.例文帳に追加

ここで、Ｐウエル２，Ｎウエル３はそれぞれＰウエルマスク、Ｎウエルマスクを用いて、次に、ゲート絶縁膜４上の全面に、ＬＰＣＶＤ法によりポリシリコン層５を堆積する。 - 特許庁

In order to form the silicon nitride film, an LPCVD method using silicon tetrachloride (SiCl_4) and ammonia (NH_3) as material gas can be suitably used.例文帳に追加

この窒化珪素膜を形成するために、四塩化珪素（ＳｉＣｌ_４ ）とアンモニア（ＮＨ_３ ）を原料ガスとしたＬＰＣＶＤ法を好適に用いることができる。 - 特許庁

To provide a nitride film that has characteristics being more superior than a conventional nitride film obtained by the conventional PECVD or LPCVD onto a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に、従来のＰＥＣＶＤまたはＬＰＣＶＤによって得られた窒化膜より優れた性質を有する窒化膜を提供する。 - 特許庁

A field oxide film 2 is formed on a semiconductor substrate 1 and a nondoped silicon film 3 is formed on the field oxide film 2 by LPCVD.例文帳に追加

半導体基板１上にフィールド酸化膜２を形成し、このフィールド酸化膜２上に、ノンドープのシリコン膜３をＬＰＣＶＤ法により形成する。 - 特許庁

A first layer nitride film 21 is formed on a silicon substrate 10 by LPCVD at a film deposition temperature of 450°C using a gas containing chlorine, e.g. Si_2Cl_6, and NH_3.例文帳に追加

シリコン基板１０上に、４５０℃の成膜温度でＳｉ_２Ｃｌ_６のような塩素含有ガスとＮＨ_３とを用いてＬＰＣＶＤ法により１層目窒化膜２１を成膜する。 - 特許庁

This method is for forming an HDP-CVD(High Density Plasma- CVD) film by use of an LPCVD device in which a wafer is held by an electrostatic chuck 14.例文帳に追加

本方法は、静電チャック１４によりウエハを保持する形式のＬＰＣＶＤ装置を使って、ＨＤＰ−ＣＶＤ（High Desity Plasma- ＣＶＤ）膜を成膜する方法である。 - 特許庁

A nitride film 12 is formed on a silicon substrate 11 by LPCVD at a film deposition temperature of 450°C using a gas containing chlorine, e.g. Si_2Cl_6, and NH_3.例文帳に追加

シリコン基板１１上に、４５０℃の成膜温度でＳｉ_２Ｃｌ_６のような塩素含有ガスとＮＨ_３とを用いてＬＰＣＶＤ法により窒化膜１２を形成する。 - 特許庁

With the aperture 6 filled with a polysilicon layer 9, the polysilicon layer 9 of a thickness of 3,000 to 4,000 Å is formed on the film 5 through LPCVD method.例文帳に追加

開口部６を充填すると共に、第２シリコン窒化膜５上に３０００Å〜４０００Åのポリシリコン層９をＬＰＣＶＤ法によって形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device having the MOS structure where the gate insulating film with thickness of 100 nm or thicker is formed by LPCVD process on the surface of a region containing boron as a dopant element.例文帳に追加

不純物元素としてボロンを含有する領域の表面に、１００ｎｍ以上の厚さのゲート絶縁膜がＬＰＣＶＤ法により形成されるＭＯＳ構造を有する半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁

A crystalline silicon region is formed over a metal substrate by an LPCVD method, whereby whisker-like crystalline silicon consisting of a polycrystalline body which grows in the <110> direction or the <211> direction by letting {111} plane be a twin crystal plane can be obtained.例文帳に追加

金属基板上にＬＰＣＶＤ法により結晶性シリコン領域を形成すると、｛１１１｝面を双晶面とし、＜１１０＞方向、もしくは＜２１１＞方向に成長する多結晶体よりなるウィスカ状結晶性シリコンが得られる。 - 特許庁

In this case, the polysilicon film 8a is first formed on the gate electrode 4 covered with the silicon oxide film 6, and then the tungsten silicide film 8b is formed on the polysilicon film 8a by an LPCVD method with WF_6 and SiH_4 as material gas.例文帳に追加

この場合、先ず、シリコン酸化膜６で覆われたゲート電極４上にポリシリコン膜８ａを形成し、ポリシリコン膜８ａ上にＷＦ_６とＳｉＨ_４を原料ガスとしてＬＰＣＶＤ法によりタングステンシリサイド膜８ｂを形成する。 - 特許庁

An LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) device 1 is provided with: a processing chamber 11; and a reaction cooling means 25 which is arranged outside the processing chamber 11, produces hydrogen fluoride gas by reacting hydrogen gas with fluorine gas, and cools the hydrogen fluoride gas.例文帳に追加

ＬＰＣＶＤ装置１において、処理チャンバー１１を設け、処理チャンバー１１の外部に配置され、水素ガスとフッ素ガスとを反応させてフッ化水素ガスを生成すると共に、このフッ化水素ガスを冷却する反応冷却手段２５を設ける。 - 特許庁

In a vertical LPCVD apparatus to constitute a reaction chamber by an inner tube 1 and an outer tube 2, three pairs of thermocouples 17 are provided in the inner tube 1 as movable monitoring means to detect the reaction heat generated during the cleaning, and an injector 6 is provided as an etching gas inlet.例文帳に追加

インナーチューブ１とアウターチューブ２で反応室を構成する縦型ＬＰＣＶＤ装置において、インナーチューブ１内にクリーニングで生じる反応熱を検知する可動式のモニター手段として三対熱電対１７が備えられ、エッチングガス導入口としてインジェクター６が設けられている。 - 特許庁

In LPCVD apparatus 10, silicon source materials (SiH_2Cl_2, SiCl_4, SiCl_6 and the like) are supplied from an injector 11, and a mixed gas of ammonia (NH_3) and monomethylamine (CH_3NH_2) as nitrogen source materials are supplied from an injector 12, and a silicon nitride film is thus formed on a silicon wafer 14 arranged on a boat 13.例文帳に追加

ＬＰＣＶＤ装置１０において、インジェクター１１からシリコン原料（ＳｉＨ_２Ｃｌ_２，ＳｉＣｌ_４，Ｓｉ_２Ｃｌ_６等）を供給するとともに、インジェクター１２から窒素原料であるアンモニア（ＮＨ_３）とモノメチルアミン（ＣＨ_３ＮＨ_２）との混合ガスを供給し、ボート１３上に設置されたシリコンウェーハ１４に窒化珪素膜を形成する。 - 特許庁

A manufacturing method for an electrode for a storage battery comprises: forming a metal layer including a side edge part on a current collector; and forming, as an active material layer, a crystalline silicon layer including silicon whisker on the current collector and a metal layer by a low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) method for heating by deposition gas including silicon.例文帳に追加

集電体上に、辺縁部を有する金属層を形成し、集電体及び金属層上に、シリコンを含む堆積性ガスを用いて加熱する低圧化学蒸着（ＬＰＣＶＤ：Ｌｏｗ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、シリコンウィスカを含む結晶性シリコン層を活物質層として形成する蓄電電池用の電極の作製方法である。 - 特許庁