「memory structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A memory structure 100 has a pillar 117 containing a diode 118.例文帳に追加

メモリ構造100は、ダイオード118を含むピラー117を有する。 - 特許庁

MEMORY DEVICE HAVING PAGE BUFFER OF DUAL REGISTER STRUCTURE例文帳に追加

デュアルレジスタ構造のページバッファを有するメモリ装置 - 特許庁

MEMORY CELL ARRAY STRUCTURE FOR NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY UNIT, THE NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY UNIT ACCESS METHOD FOR MEMORY CELL ARRAY OF THE UNIT, NAND FLASH MEMORY UNIT, AND SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加

不揮発性半導体メモリ装置のメモリセルアレイ構造、不揮発性半導体メモリ装置、同装置のメモリセルアレイアクセス方法、ＮＡＮＤフラッシュメモリ装置及び半導体メモリ - 特許庁

WAFER HAVING INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE, INTEGRATED CIRCUIT MEMORY CHIP, MEMORY ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING INTEGRATED CIRCUIT MEMORY例文帳に追加

集積回路構造をもつウェハ、集積回路メモリチップ、メモリ素子および集積回路メモリ製造方法 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device realizing dynamic memory by the memory cell of simple transistor structure.例文帳に追加

単純なトランジスタ構造のメモリセルにより、ダイナミック記憶を可能とした半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

REMAPPING CONTROL METHOD FOR FLASH MEMORY AND STRUCTURE FOR FLASH MEMORY THEREFOR例文帳に追加

フラッシュメモリのための再写像制御方法及びこれによるフラッシュメモリの構造 - 特許庁

WRITE DRIVER CIRCUIT FOR MAGNETIC MEMORY DEVICE, MAGNETIC MEMORY DEVICE AND LAYOUT STRUCTURE THEREOF例文帳に追加

磁気メモリ装置のためのライトドライバー回路、磁気メモリ装置及びそのレイアウト構造 - 特許庁

ORGANIC MEMORY DEVICE COMPRISING ACTIVE MEMORY REGION FORMED IN EMBOSSED STRUCTURE例文帳に追加

エンボス構造物によって形成されたメモリ活性領域を含む有機メモリ素子 - 特許庁

To provide a memory element having a laminated structure, and to provide a method for manufacturing the memory element.例文帳に追加

積層構造を有するメモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

JOINT STRUCTURE OF SHAPE MEMORY ALLOY AND METHOD FOR FORMING JOINT STRUCTURE例文帳に追加

形状記憶合金の接合構造及びその接合構造形成方法 - 特許庁

To provide a memory block having a flexible structure.例文帳に追加

フレキシブルな構造を有するメモリ区画を提供する。 - 特許庁

STRUCTURE OF NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

不揮発性メモリ素子の構造とその製造方法 - 特許庁

MEMORY REPAIR CIRCUIT UTILIZING ANTI-FUSE HAVING MOS STRUCTURE例文帳に追加

ＭＯＳ構造のアンチヒューズを利用したメモリリペア回路 - 特許庁

MEMORY MODULE HAVING IMPROVED REGISTER ARRANGEMENT STRUCTURE例文帳に追加

改善されたレジスター配置構造を有するメモリモジュール - 特許庁

MATRIX STRUCTURE OF MEMORY CELL AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

メモリセルのマトリックス構造体及びその製造方法 - 特許庁

MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND ITS STRUCTURE例文帳に追加

半導体メモリ装置の製造方法及びその構造 - 特許庁

All other members of the structure may share memory. 例文帳に追加

他の構造体の全てのメンバは、メモリを共有する。 - JM

PROCESS FOR FORMING MAGNETIC MEMORY STRUCTURE HAVING MEMORY CELL LAYERS OF DIFFERENT SIZES例文帳に追加

異なる寸法のメモリセル層を有する磁気メモリ構造を形成するための工程 - 特許庁

To obtain a semiconductor memory device of memory cell structure in which cell area is reduced.例文帳に追加

セル面積の縮小化を図ったメモリセル構造の半導体記憶装置を得る。 - 特許庁

A code flash memory cell is made different in structure from a data flash memory cell.例文帳に追加

コードフラッシュメモリセルの構造とデータフラッシュメモリセルの構造とを異なる構造にする。 - 特許庁

POLYCRYSTALLINE MEMORY STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING IT例文帳に追加

多結晶メモリ構造およびその製造方法、これを用いた半導体メモリデバイス - 特許庁

The memory structure (20) comprises a memory storage element (23) electrically coupled to a control element (25).例文帳に追加

メモリ構造(20)は、制御素子(25)に電気的に結合されたメモリ記憶素子(23)を含む。 - 特許庁

To provide a non-volatile magnetic memory that has a simple structure and performs a reliable memory operation.例文帳に追加

構成が簡単で、メモリ動作が確実な不揮発性磁気メモリを提供する。 - 特許庁

To reduce the cell size of a memory cell of a double gate structure.例文帳に追加

ダブルゲート構造のメモリセルのセルサイズを縮小する。 - 特許庁

TWO BIT U-SHAPED MEMORY STRUCTURE AND METHOD OF MAKING THE SAME例文帳に追加

２ビットＵ字型メモリ構造及びその製作方法 - 特許庁

PRODUCTION METHOD FOR MULTI-VOLTAGE FLASH MEMORY INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE例文帳に追加

多電圧フラッシュメモリ集積回路構造の製造方法 - 特許庁

FUSE STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

ヒューズ構造及びそれを利用した半導体メモリ装置 - 特許庁

FLASH MEMORY BY IDENTICAL CELL STRUCTURE AND DRAM HYBRID CIRCUIT例文帳に追加

同一セル構造によるフラッシュメモリとＤＲＡＭ混載回路 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF WELL PICKUP STRUCTURE OF NONVOLATILE MEMORY例文帳に追加

不揮発性メモリのウェルピックアップ構造を製造する方法 - 特許庁

WORD LINE PROTECTION DEVICE FOR PROTECTING WORD LINE STRUCTURE OF FLASH MEMORY ARRAY AND WORD LINE STRUCTURE FOR FLASH MEMORY ARRAY例文帳に追加

フラッシュメモリアレイのワード線構造を保護するためのワード線保護装置およびフラッシュメモリアレイのためのワード線構造 - 特許庁

To provide a two bit memory structure having floating gates with a U-shaped bottom and a method of making the two bit memory structure.例文帳に追加

Ｕ字型の底部を有するフローティングゲートを備える２ビットメモリ構造及びその製作方法を提供する。 - 特許庁

The index is applied to tag memory structure and one or one set of entries in the tag memory structure are selected.例文帳に追加

そのインデックスはタグメモリ構造に適用されて該タグメモリ構造における１つ又は１組のエントリを選択する。 - 特許庁

To provide a memory device where a memory cell can be made minute by simplifying the structure of the memory cell.例文帳に追加

メモリセルの構造を簡素化することによって、メモリセルをより微細化することが可能なメモリ装置を提供する。 - 特許庁

A flash/EEPROM memory cell having the same structure as a memory cell M1 is used as a memory cell RM1 for reference.例文帳に追加

リファレンス用メモリーセルＲＭ１として、メモリーセルＭ１と同じ構造のフラッシュ／ＥＥＰＲＯＭメモリーセルを用いる。 - 特許庁

To provide a memory structure and a method for processing a memory request from processor and returning a response from the various levels of the memory structure to a processor.例文帳に追加

メモリ構造と、プロセッサからのメモリ要求を処理し、メモリ構造の種々のレベルからプロセッサへ応答を戻す方法とを提供する。 - 特許庁

In the illustrative array of the thermally supported magnetic memory structure, each magnetic memory structure is provided with memory cells (350), writing conductors (310) which are in contact with the memory cells (350), and heating systems (360) which are in contact with the memory cells (350).例文帳に追加

熱支援型磁気メモリ構造の例示的なアレイにおいて、磁気メモリ構造の各々は、メモリセル(350)、メモリセル(350)と接触する書込み導体(310)、及び、メモリセル(350)と接触する加熱システム(360)を備える。 - 特許庁

A main memory array is connected to a direct addition memory array and virtual ground array structure is constituted.例文帳に追加

メインメモリアレイを直接付加メモリアレイに接続して仮想接地アレイ構造を構成する。 - 特許庁

NAND FLASH MEMORY TEST STRUCTURE AND MEASURING METHOD FOR NAND FLASH MEMORY CHANNEL VOLTAGE例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュメモリテスト構造及びＮＡＮＤフラッシュメモリチャネル電圧測定方法 - 特許庁

To provide a memory film structure operable with a low voltage and a memory element using it.例文帳に追加

低電圧で動作可能なメモリ膜構造及びそれを用いたメモリ素子を提供する。 - 特許庁

The ferroelectric memory fuses 2a and 2b have the same structure as a memory cell part 11, a memory cell part 12, a memory cell part 21, and a memory cell part 22 disposed in the cell unit SU1.例文帳に追加

強誘電体メモリヒューズ２ａ及び２ｂは、セルユニットＳＵ１に設けられるメモリセル部１１、メモリセル部１２、メモリセル部２１、及びメモリセル部２２と同一構造を有する。 - 特許庁

CHIP SELECTION SWITCHING CIRCUIT AND MEMORY STRUCTURE AUTOMATIC IDENTIFYING METHOD例文帳に追加

チップセレクト切り替え回路及びメモリ構成自動識別方法 - 特許庁

PASSIVATION STRUCTURE FOR FLASH MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

フラッシュメモリのためのパッシベーション構造およびその製造方法 - 特許庁

To keep flatness of a memory cell array having a lamination structure.例文帳に追加

積層構造を有するメモリセルアレイの平坦性を保持する。 - 特許庁

COMPUTER SYSTEM, MEMORY STRUCTURE, AND METHOD OF EXECUTING PROGRAM例文帳に追加

コンピュータシステム、メモリ構造、および、プログラムを実行する方法 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device having a mat structure.例文帳に追加

マット構造を有する半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁