「memory structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

MULTILEVEL DYNAMIC MEMORY DEVICE HAVING OPEN BIT LINE STRUCTURE AND ITS DRIVE METHOD例文帳に追加

開放形ビットライン構造を有するマルチレベル動的メモリ装置及びその駆動方法 - 特許庁

This ternary contents relieving memory has NAND type matched line structure.例文帳に追加

本発明によるターナリ内容検索メモリはＮＡＮＤ型マッチライン構造を有する。 - 特許庁

To suppress the variation in gate length of a memory transistor which is formed in a side wall structure.例文帳に追加

サイドウォール構造で形成されるメモリトランジスタのゲート長のバラツキを抑制する。 - 特許庁

In the method of manufacturing a floating gate memory structure 9, a columnar floating gate memory structure 9 provided with a thermally-grown oxide layer is formed on the lateral side.例文帳に追加

また、フローティングゲートメモリ構造９に作製方法に関し、横側の上に熱成長酸化物層を備えた柱状のフローティングゲート構造９が形成される。 - 特許庁

The nonvolatile magnetic memory includes a structure configured such that a layer for forming a quantum well is adjoining to a ferromagnetic layer.例文帳に追加

また、強磁性層に量子井戸形成層を隣接した構成を有する。 - 特許庁

To provide a conductor structure for a magnetic memory cell which optimizes the using of a current for switching the data layer of the memory cell.例文帳に追加

メモリセルのデータ層を切り替えるための電流の使用を最適化する、磁気メモリセルのための導体構造を提供する。 - 特許庁

To provide a structure for three-dimensional integrated circuit memory, including reliable and extremely miniaturized memory elements, at low manufacturing cost.例文帳に追加

信頼できる非常に小型の記憶素子を含む、３次元集積回路メモリ用の構造を低い製造コストで提供すること。 - 特許庁

To provide an IC memory card capable of surely preventing writing errors and erasure errors to/from an IC memory element, with a simple structure.例文帳に追加

ＩＣメモリー素子に対する誤書き込み、誤消去を簡単な構造で確実に防止できるＩＣメモリーカードを提供する。 - 特許庁

To improve the pitch of a nonvolatile memory device by reducing the number of lines of each cell in a NAND flash memory structure.例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュメモリ構造において、各セルについてのライン数を削減して、不揮発性メモリデバイスのピッチを改善すること。 - 特許庁

The memory device is formed by laminating monolayer memory layers each having a simple matrix structure so as to wind them into a spiral shape.例文帳に追加

１層の単純マトリクス構造のメモリ層を渦巻き状に巻くことにより積層化したことを特徴とするメモリデバイス。 - 特許庁

To provide a method for heating a diode near a magnetic memory element without always applying voltage that is higher than a breakdown voltage in the diode in a magnetic memory structure.例文帳に追加

熱支援型磁気メモリ構造において、従来とは異なる態様でメモリ素子の近くにあるダイオードを加熱すること - 特許庁

The memory structure can change the display parameters for every line in one and the same screen, and optimize the size of the memory to be used.例文帳に追加

メモリ構造は、１つの同じ画面内で行ごとに表示パラメータを変更でき、使用するメモリのサイズの最適化もできる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory incorporating a structure for distinguishing an over-erasure defective memory cell from the other defects.例文帳に追加

本発明は、過消去不良のメモリセルを他の不良から区別するための構造を組み込んだ半導体メモリを提供する。 - 特許庁

To generate a reference level without using a dummy cell in a ferroelectric memory device having 1T1C memory cell structure.例文帳に追加

１Ｔ１Ｃメモリセル構造の強誘電体メモリ装置において、ダミーセルを用いることなくリファレンスレベルの発生を可能とする。 - 特許庁

To provide an element structure for realizing multi-valued memory function for enhancing the recording density of a ferroelectric memory element.例文帳に追加

強誘電体メモリ素子の記録密度を高めるために、メモリ機能の多値化を実現するための素子構造を提供すること。 - 特許庁

To provide a compatible device for a memory card which does not require additional structure for storage of a memory card of new specifications.例文帳に追加

新規格のメモリーカードには、保持のための付加的な構造を一切必要としないメモリーカード用互換装置を提供すること。 - 特許庁

To improve the pitch of a nonvolatile memory device by reducing the number of lines for each cell, in a NAND flash memory structure.例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュメモリ構造において、各セルについてライン数を削減して、不揮発性メモリデバイスのピッチを改善すること。 - 特許庁

To issue succeeding access without waiting a response of preceding access to a cache memory by use of a simple structure, in the cache memory.例文帳に追加

キャッシュメモリにおいて簡易な構造を用いて、先行するメモリへのアクセスの応答を待たずに後続のアクセスを発行させる。 - 特許庁

To improve memory characteristic and reliability of a semiconductor device, which is provided with a ferroelectric substance memory part and has a multilayered wiring structure.例文帳に追加

強誘電体メモリ部を有し多層配線構造となる半導体装置のメモリ特性および信頼性を向上させる。 - 特許庁

The memory unit has a laminated structure, a semiconductor pillar, a storage layer, an inner insulating film, an outer insulating film and a memory cell transistor.例文帳に追加

メモリ部は、積層構造体と、半導体ピラーと、記憶層と、内側絶縁膜と、外側絶縁膜と、メモリセルトランジスタと、を有する。 - 特許庁

To provide a high-density magnetic memory element having a simple structure, a magnetic memory device using the element and an information recording/regenerating apparatus using the element.例文帳に追加

単純な構成で、高密度の磁気メモリ素子、これを用いた磁気メモリデバイス、情報記録再生装置を提供する。 - 特許庁

To reduce an element size and improve reliability in a memory element having a structure where a memory gate and a control gate are adjacent to each other.例文帳に追加

メモリーゲートとコントロールゲートが隣接する構造のメモリ素子において、素子サイズの縮小および信頼性の向上を図る。 - 特許庁

According to the structure, a memory card having a small chip substrate structure can be designed to reduce the manufacturing cost.例文帳に追加

上述の構造によると、小さいチップ基板構造を有するメモリカードが設計され、製造コストを減少させる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element having a selecting transistor structure and a SONOS cell structure and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

選択トランジスタ構造とＳＯＮＯＳセル構造とを有する不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a structure and an operating method of a cache memory to permit speedup of access time while simplifying circuit structure.例文帳に追加

回路構成を簡易化しながら，アクセスタイムの高速化が可能なキャッシュメモリの構造および動作方法を提供する。 - 特許庁

To prevent a hit of a connector when a vibration impact is added at the time of screwing and fixing a memory pack to a main body side in a memory attaching/detaching structure in a memory pack system.例文帳に追加

メモリパック方式のメモリ着脱構造で、メモリパックを本体側にネジ締め固定する場合に、振動衝撃が加わった時のコネクタの瞬断を防止することにある。 - 特許庁

The backsides of two memory chips, each memory-accessed in units of 2 bits, are superposed one over another to form an assembly in a laminated structure to enable memory-access in units of 4 bits.例文帳に追加

２ビット単位でメモリアクセスが行われる２つのメモリチップの裏面を重ね合わせて積層構造に組み立てて４ビット単位でのメモリアクセスを行うようにする。 - 特許庁

A structure of an organic memory device is provided, the organic memory device that arranges two electrodes on the same layer as two terminals for the memory device and a layer including an organic compound is prepared in between.例文帳に追加

記憶素子の二端子として、２つの電極を同じ層に配置し、それらの間に有機化合物を含む層を設けた有機記憶素子の構造を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device which can structure a memory system enabling a CPU with a relatively small memory space to access a larger memory space.例文帳に追加

相対的にメモリ空間の小さなＣＰＵによりそれより大きなメモリ空間のアクセスを可能とするメモリシステムを構築することのできる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a suitable architecture for reliable write, read and erase of magnetoresistive memory cells in a memory cell structure (namely, magnetoresistive memory).例文帳に追加

メモリセルの構造物（すなわち、磁気抵抗メモリ）内の磁気抵抗メモリセルの信頼できる書込み、読み出し、および消去のための適切なアーキテクチャを提供することである。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory that can reduce the area of a memory cell as compared with the structure of the conventional one-transistor one-capacitor type ferroelectric memory.例文帳に追加

従来の１トランジスタ１キャパシタ型の強誘電体メモリの構造に比べて、メモリセルの面積を小さくすることが可能な強誘電体メモリを提供する。 - 特許庁

To provide a memory device and a memory accessing method for being applied to a Reed-Solomon decoder of a fast block pipeline structure, and the Reed-Solomon decoder provided with the memory device.例文帳に追加

高速のブロックパイプライン構造のリード-ソロモンデコーダに適用するためのメモリ装置及びメモリアクセス方法並びにそのメモリ装置を備えたリード-ソロモンデコーダを提供すること。 - 特許庁

To provide a memory cell structure capable of integrating ROM memory cells into the memory cell matrix to be electrically written in formed by self-aligned sourcing process.例文帳に追加

自己整列ソース法により形成した電気的に書込み可能なメモリセルのマトリックスにＲＯＭメモリセルを集積化できるメモリセル行列構造体を提供する。 - 特許庁

To provide a memory access controller realizing high-speed communication data swapping via a memory by a simple structure, a memory access system, an information reproduction device, and an electronic apparatus.例文帳に追加

メモリを介して、簡素な構成で高速に通信データのやり取りを実現するメモリアクセス制御装置、メモリアクセスシステム、情報再生装置及び電子機器を提供する。 - 特許庁

The flash memory device includes a memory cell array comprising memory cells arranged in rows and columns, a page buffer circuit having a single latch structure and configured to read data from a selected memory cell in the memory cell array, and a controller controlling the page buffer circuit having the single latch structure so as to detect a memory cell in which electric charges loss is caused out of memory cells of the selected row.例文帳に追加

フラッシュメモリ装置は、行と列で配列されたメモリセルを含むメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイの選択されたメモリセルからデータを読み出すように構成されたページバッファ回路と、前記選択された行のメモリセルのうち、電荷損失が生じたメモリセルを検出するように前記単一のラッチ構造を有する前記ページバッファ回路を制御する制御器と、を含む。 - 特許庁

After setting the settable memory elements, a voting structure having inputs from the second settable memory element and the third settable memory element, for controlling the settable memory elements determine the logical value held on the first settable memory element.例文帳に追加

設定可能メモリ要素を設定した後、第２の設定可能メモリ要素および第３の設定可能メモリ要素からの入力を有し、設定可能メモリ要素を制御する投票構造は、第１の設定可能メモリ要素に保持される論理値を決定する。 - 特許庁

This organic memory device comprises a substrate, a first electrode formed on the substrate, an organic memory layer formed on the first electrode, a second electrode formed on the organic memory layer, and an embossed structure forming an active memory region in the organic memory layer.例文帳に追加

基板、前記基板上に形成された第１電極、前記第１電極上に形成された有機メモリ層、前記有機メモリ層上に形成された第２電極、及び前記有機メモリ層にメモリ活性領域を形成するエンボス構造物を含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nonvolatile memory element having a SONOS structure.例文帳に追加

ＳＯＮＯＳ構造を有する不揮発性メモリ素子を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The difference of the level in a capacitor is removed by constituting a memory cell capacitor into planar capacitor structure.例文帳に追加

メモリセルキャパシタをプレーナ型キャパシタ構造とすることにより、キャパシタ段差をなくす。 - 特許庁

FIT IN TYPE FLASH MEMORY CELL STRUCTURE FOR WRITING AND DELETING VIA CHANNEL, AND METHOD OF MANUFACTURING SAME例文帳に追加

チャネル経由で書込みと消去する嵌入式フラッシュメモリセル構造とその製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE FOR SUBWORD LINE STRUCTURE CONTROLLED TO BE NEGATIVE, AND ITS DRIVE METHOD例文帳に追加

ネガティブに制御されるサブワードライン構造の半導体メモリ装置およびその駆動方法 - 特許庁

A second data structure may include a plurality of internal memory units for validating individual address designation.例文帳に追加

第２データ構造は、複数の個別アドレス指定可能内部メモリユニットを含んでよい。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory having a floating gate structure, and to provide a process for fabricating the same.例文帳に追加

浮遊ゲート構造を有する不揮発性メモリおよびその製造プロセスを提供する。 - 特許庁

Data entries in the shared memory structure is accessed by using an extended index value.例文帳に追加

共有メモリ構成のデータエントリは拡張されたインデックス値を使用してアクセスされる。 - 特許庁

To access data inside a memory at a high speed using a data structure including a pointer.例文帳に追加

ポインタを備えたデータ構造体を用いて記憶部内のデータを高速にアクセスする。 - 特許庁