「memory structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method and structure for programming for a non-volatile memory which is improved in the programming efficiency.例文帳に追加

プログラミング効率を向上させた非揮発性メモリのためのプログラミングの方法及び構造を提供する。 - 特許庁

SPLIT GATE TYPE NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH DOUBLE FLOATING GATE STRUCTURE, AND METHOD OF FABRICATING THE SAME例文帳に追加

ダブルフローティングゲート構造を持つスプリットゲート型不揮発性半導体メモリ素子およびその製造方法 - 特許庁

To provide a storage device which can achieve further microfabrication by optimizing a memory cell structure.例文帳に追加

メモリセルの構造を最適化することにより、更なる微細化を可能にする記憶装置を提供する。 - 特許庁

This system and method are for logically partitioning shared memory structure between computer domains.例文帳に追加

本発明はコンピュータドメイン間での共有メモリ構成を論理的に区分けするシステム及び方法である。 - 特許庁

To provide a flash memory having a local SONOS structure that utilizes a notch gate, and its manufacturing method.例文帳に追加

ノッチゲートを利用したローカルＳＯＮＯＳ構造を有するフラッシュメモリ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The emulation memory for internal ROM is mounted on the probe-side board and is packaged on both sides in a sandwich structure.例文帳に追加

内部ＲＯＭ用エミュレーションメモリをプローブ側ボードに搭載しサンドイッチ構造で両面実装する。 - 特許庁

By a memory structure, the frame data of a previous frame are read and the present frame data are stored simultaneously.例文帳に追加

メモリ構造により前フレームのフレームデータをリードし、同時に現フレームデータを格納することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device comprising a one layer gate type nonvolatile memory element having a novel structure.例文帳に追加

新規な構造を有する一層ゲート型の不揮発性メモリ素子を含む半導体装置を提供する。 - 特許庁

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING LOAD SUPPLY TYPE WIRED OR STRUCTURE, AND METHOD FOR DRIVING THE SAME例文帳に追加

ロード供給型ワイアードオア仕組みを有する不揮発性半導体メモリ装置およびその駆動方法 - 特許庁

Therefore, simpler access control and memory structure than the prior art are achieved.例文帳に追加

したがって、従来技術と比較してよりシンプルなアクセス制御とメモリ構造を達成することができる。 - 特許庁

To provide a NAND type flash memory apparatus that has a shared string/ground selection line structure.例文帳に追加

共有されたストリング／グラウンド選択ライン構造を有するＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a phase transition RAM with a memory cell structure having the advantage of being readily increased in integration and in capacity.例文帳に追加

高集積及び大容量化に有利なメモリセル構造を有する相変換ＲＡＭを提供する。 - 特許庁

To obtain a non-volatile memory which can record multi-level data, has new structure, and is programmable.例文帳に追加

多値のデータを記録することができる新規な構造のプログラム可能な不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁

To increase an access speed to a file system with a hierarchical structure even in a system of a small memory capacity.例文帳に追加

メモリ容量の少ないシステムにおいても、階層構造を持つファイルシステムへのアクセスを高速化する。 - 特許庁

To suppress a through current of a sub-word driver in a semiconductor memory having hierarchical word line structure.例文帳に追加

階層ワード線構造の半導体記憶装置において、サブワードドライバの貫通電流を抑制する。 - 特許庁

A magnetic tunneling junction type magnetic random access memory cell is comprised of bit lines 20 so as to constitute a composite structure comprising a soft adjacent magnetic layer 24.例文帳に追加

隣接軟磁性層２４を含む複合構造を有するようにビット線２０を構成する。 - 特許庁

After starting a certification operation at step S01, recorded DDS (disk definition structure) data is read onto a memory at step S02.例文帳に追加

S01にてサーティファイ動作が開始されると、S02にて、記録済みのＤＤＳデータをメモリ２上へ読み込む。 - 特許庁

Moreover, by employing a special structure in the cell transistor, the size of one memory cell can be achieved 4F^2.例文帳に追加

また、セルトランジスタの構造を特殊なものとすることでメモリセルあたりの面積を４Ｆ^２とできる。 - 特許庁

A functional element such as a memory element and a solar cell is constituted using the thin-film laminated structure.例文帳に追加

この薄膜積層構造体を用いて記憶素子や太陽電池などの機能素子を構成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device having a structure which enables efficient replacement of a defect element.例文帳に追加

不良要素の効率良い置き換えを可能にする構成を有する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory element of a single gate structure which can be formed on a semiconductor substrate having negative potential.例文帳に追加

負電位の半導体基板に形成可能なシングルゲート構造の半導体メモリー素子を提供する。 - 特許庁

To provide a memory cell structure without gate leak current, and an activation method thereof.例文帳に追加

従来技術のゲート漏れ電流の問題がないメモリ・セル構造体およびその動作方法を提供する。 - 特許庁

Returns information about system-wide shared memory limits and parameters in the structure pointed to by buf . 例文帳に追加

システム全体での共有メモリの制限とパラメータに関する情報を、bufが指す構造体に入れて返す。 - JM

BISMUTH LAYER STRUCTURE FERROELECTRIC, METHOD OF PRODUCING THE SAME, MEMORY ELEMENT AND DIELECTRIC/ ELECTROSTRICTIVE ELEMENT USING THE FERROELECTRIC例文帳に追加

ビスマス層状構造強誘電体、その製造方法、これを用いたメモリ素子および圧電・電歪素子 - 特許庁

A memory controller 210 includes a command conversion data structure 430, a front end 420, and a back end 440.例文帳に追加

メモリコントローラ２１０はコマンド変換データ構造４３０、フロントエンド４２０、及びバックエンド４４０を含む。 - 特許庁

To provide a nonvolatile magnetic memory cell having a multilayer structure and a storage circuit block using the same.例文帳に追加

本発明は、多層構造の不揮発性磁気メモリ・セル及びそれを用いた記憶回路ブロックを提供する。 - 特許庁

DEVICE USED IN HOLOGRAPH MEMORY SYSTEM AND METHOD OF MAPPING PERIODIC PHASE STRUCTURE TO INPUT DATA PLANE例文帳に追加

ホログラフメモリーシステムで用いられる装置と、周期的位相構造を入力データ面にマッピングする方法 - 特許庁

Simple matrix structure in which memory cells are formed at intersection positions of upper and lower line state electrodes is adopted.例文帳に追加

上下線状電極の交差位置にメモリセルが形成される単純マトリクス構造を採用する。 - 特許庁

The hierarchized bit line structure by the division of the memory arrays reduces the input load capacity of the sense amplifier.例文帳に追加

上記メモリアレイの分割による階層化ビット線構造は、センスアンプの入力負荷容量を低減する。 - 特許庁

The ferroelectric thin film optical memory device has a simple structure and can be produced at low cost.例文帳に追加

強誘電体薄膜光メモリー素子の構造は単純であり、低コストで生産する事が可能である。 - 特許庁

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH WIRED-OR STRUCTURE IN WHICH DATA TRANSMISSION FROM DEFECTIVE PAGE BUFFER IS BLOCKED例文帳に追加

欠陥ページバッファーからのデータ伝送が遮断されるワイヤードオア構造の不揮発性半導体メモリ装置 - 特許庁

The memory includes a partial depletion type nMOS (6) having an SOI structure formed on an UTB (3).例文帳に追加

メモリは、ＵＴＢ（３）上に形成されたＳＯＩ構造を有する部分空乏型のｎＭＯＳ（６）を含む。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING PARTIAL ACTIVATION STRUCTURE AND ENABLING PAGE MODE OPERATION, AND METHOD FOR OPERATING THE SAME例文帳に追加

部分活性化構造を有してページモード動作が可能な半導体メモリ装置及びその動作方法 - 特許庁

TESTING METHOD FOR SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, TESTING SYSTEM, DATA STRUCTURE FOR SPECIFYING PHYSICAL MAP OF MEMORY BLOCK例文帳に追加

半導体集積回路装置の試験方法、試験システム、メモリブロックの物理マップ特定用データ構造 - 特許庁

To provide a memory device having a structure which is easily and stably manufactured in a good condition.例文帳に追加

容易に安定して良好な状態で製造することが可能となる構成の記憶素子を提供する。 - 特許庁

To improve the reliability in a semiconductor device including a flash memory having an auxiliary gate electrode structure.例文帳に追加

補助ゲート電極構成を持つフラッシュメモリを有する半導体装置の信頼性を向上させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of suppressing degradation in data-holding ability, and fully micronizing its structure.例文帳に追加

データの保持能力の劣化を抑制し、充分に微細化可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory device having a new sidewall spacer structure to improve reliability.例文帳に追加

信頼性の向上のために新しい側壁スペーサ構造体を備える不揮発性メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a structure and a method for discriminating a specific bit to be stored in a non-volatile memory cell.例文帳に追加

非揮発性メモリセルに格納される特定のビットを判定するための構造及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide an NAND-type flash memory device having shared string/ground selection line structure.例文帳に追加

共有されたストリング／グラウンド選択ライン構造を有するＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a contact structure of a side wall-shaped control gate in a MONOS type nonvolatile semiconductor memory.例文帳に追加

MONOS型の不揮発性半導体記憶装置においてサイドウォール状コントロールゲートのコンタクト構造を提供する。 - 特許庁

To prevent electrical short circuit between the gate electrode of a circuit element having a one-layer gate structure and a substrate in a semiconductor memory having a two-layer gate structure and a one-layer gate structure.例文帳に追加

２層ゲート構造と１層ゲート構造を有する半導体記憶装置において１層ゲート構造を有する回路素子のゲート電極と基板間の電気的短絡を防止する。 - 特許庁

Since information of different data structure can be flexibly stored on the memory 5 managed with the so-called UMA(unified memory architecture) system, it is possible to realize high-speed data structure conversion, without being affected by the limitation of a memory access boundary or imposing a large load on a CPU.例文帳に追加

所謂ＵＭＡ方式によって管理するメモリ５上に、データ構造の異なる情報をフレキシブルに格納可能であるから、メモリアクセス境界の制限を受けることな、ＣＰＵに大きな負担をかけずに高速なデータ構造変換を実現することができる。 - 特許庁

This semiconductor memory has memory array structure, in which a plurality of word lines for selecting the prescribed memory cell and a plurality of bit lines are arranged in an intersectional state, and the memory is provided with two memory cells (e.g. MC1, MC2) constituting one bit and a sense amplifier connected electrically to each of the memory cells via bit lines.例文帳に追加

本発明の半導体記憶装置は、所定のメモリセルを選択するための複数本のワード線と複数本のビット線とが交差して配列されたメモリアレイ構造を有し、１ビットを構成する２つのメモリセル（たとえばＭＣ１、ＭＣ２）と、それらのメモリセルの各々にビット線を介して電気的に接続されたセンスアンプとを備えている。 - 特許庁

To perform a continuous operation by using a normal data structure even when a data structure constructed in a local memory of a connection facility device disappears.例文帳に追加

結合ファシリティ装置のローカルメモリに構築したデータ構造が消失した場合にも、正常なデータ構造を使用して継続運転を可能とする。 - 特許庁