「memory structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide look-ahead control with a simple structure preventing occupation of a bus by a look-ahead request to a memory.例文帳に追加

簡単な構成で、かつ、メモリに対する先読みアクセス要求がバスを占有しない先読み制御を実現する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory device capable of generating highly accurate reference potential by a simple structure.例文帳に追加

簡易な構成で精度の高い参照電位を生成することのできる強誘電体メモリ装置を提案する。 - 特許庁

MEMORY CELL STRUCTURE OF METAL PROGRAMMABLE ROM CAPABLE OF SAVING ENERGY BY IMPROVING INTEGRATION RATE AND READ-OUT OPERATION SPEED例文帳に追加

集積度及び読出し動作速度を向上させ、省エネルギー性となるメタルプログラマブルＲＯＭのメモリセル構造 - 特許庁

A DRAM cell is composed of a memory cell transistor in a FD-SOI MOST structure and a planer capacitor.例文帳に追加

ＤＲＡＭセルをＦＤ−ＳＯＩのＭＯＳＴ構造を利用したメモリセルトランジスタと、平面キャパシタで構成する。 - 特許庁

FLASH MEMORY DEVICE WITH STRUCTURE FOR INCREASING INPUT AND OUTPUT SPEED OF DATA AND DATA INPUT AND OUTPUT METHOD例文帳に追加

データ入出力速度を増加させる構造を有するフラッシュメモリ装置及びそのデータ入出力方法 - 特許庁

To provide a memory repair circuit utilizing an anti-fuse having MOS structure which can repair a defective cell.例文帳に追加

欠陥のあるセルをリペアすることのできるＭＯＳ構造のアンチヒューズを利用したメモリリペア回路を提供する。 - 特許庁

Reference coordinates are set in an inside of an image buffer having the two-dimensional ring buffer structure on the memory space.例文帳に追加

メモリ空間上で二次元のリングバッファ構造を有する画像バッファは、その内部に基準座標が設定される。 - 特許庁

These categories are hierarchically constituted, and the directory structure of the IC memory card is constituted in accordance with the constitution.例文帳に追加

これらのカテゴリを階層的に構成し、この構成にしたがってＩＣメモリカードのディレクトリ構造を構成する。 - 特許庁

MEMORY DEVICE HAVING PEDESTAL COLLAR STRUCTURE FOR CHARGE-HOLDING IMPROVEMENT OF TRENCH-TYPE DRAM CELL AND FORMING METHOD THEREOF例文帳に追加

トレンチ型ＤＲＡＭセルの電荷保持向上のためのペデスタル・カラー構造を有するメモリ・デバイスおよび形成方法 - 特許庁

A microwave oscillator and a magnetic memory can immediately be obtained by using a structure of the ferromagnetic fine line element.例文帳に追加

この強磁性細線素子の構成を用いてマイクロ波発振器や磁気メモリを直ちに得ることも可能である。 - 特許庁

This structure functions as a nonvolatile memory which can prevent a back flow of ions by an ion transfer barrier layer of an interface.例文帳に追加

界面のイオン輸送障壁層によってイオンの逆流を防ぐことができ不揮発性メモリとして機能する。 - 特許庁

MAP DISPLAY DEVICE, PROGRAM, AND DATA STRUCTURE DISPLAYING MAP WITH LOW PROCESSING CAPACITY AND SMALL MEMORY USAGE例文帳に追加

低い処理能力且つ少ないメモリ使用量で地図を表示する地図表示装置、プログラム及びデータ構造 - 特許庁

METHOD OF FORMING VIA STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT MERGED OF SUCH VIA STRUCTURES例文帳に追加

ビア構造体の形成方法及びこのようなビア構造体を合併させた相変化記憶素子の製造方法 - 特許庁

To provide a registration device and a data structure, which reduce useless amount of memory used, and to provide a storage device.例文帳に追加

メモリに対する無駄な使用量を削減し得る登録装置、データ構造及び記憶媒体を提案する。 - 特許庁

To provide a method, as well as structure, for manufacturing a dynamic random access memory device and a related transistor at the same time.例文帳に追加

ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ・デバイスと関連トランジスタを同時に製造する方法および構造を提供すること。 - 特許庁

A multiple-length arithmetic unit 4-1 converts the data in the array structure inputted from the encoder 3 into data, in a list structure that is a data structure particular for the present invention, and writes the data into a memory 5.例文帳に追加

多倍長演算部４−１は、符号化部３から入力される配列構造のデータを、本発明特有なデータ構造であるリスト構造のデータに変換してメモリ５に書込みを行う。 - 特許庁

Structure of the system is flexible and values to be stored in the expanse filled with contents are eliminated, the adaptive digital tree data structure adopts memory efficiency expression to the usable structure.例文帳に追加

システムの構造は柔軟であり、もしフルに中身があるエクスパンスの中で記憶される値が除かれる場合、適合したデジタルツリーデータ構造は、利用可能な構造についてメモリ効率表現を採用する。 - 特許庁

A former structure accessing a tag memory cell and a data memory cell by decoding a retrieving address in the effective address is changed by obtaining the effective address from address calculation of the load command processing, and a new structure directly accessing the tag memory cell and the data memory cell is introduced by foreseeing whether the retrieving address is effective or not without the address calculation.例文帳に追加

ロ−ド命令処理におけるアドレス計算から実効アドレスを得て、この実効アドレス中の索引アドレスをデコ−ドしてからタグメモリセルやデ−タメモリセルにアクセスする従来の構成を改め、索引アドレスが有効になるかどうかをアドレス計算を行わずに先見するとこで直接タグメモリセルやデ−タメモリセルにアクセスする構成にする。 - 特許庁

Also, the memory device includes a substrate and a gate structure formed on the substrate, and the gate structure has the characteristics exhibiting a faster flat band voltage shift under the negative voltage bias than the positive voltage bias, and the gate structure receives the negative voltage bias during the programming of the memory device and receives the positive voltage bias during the erasing operation of the memory device.例文帳に追加

また、基板とこの基板上に形成されたゲート構造体とを備え、ゲート構造体は、フラットバンド電圧のシフトが正電圧バイアスより負電圧バイアスでさらに速い特性を有し、ゲート構造体は、メモリ素子のプログラミング時には、負電圧バイアスを受信し、メモリ素子の消去動作時には、正電圧バイアスを受信するメモリ素子である。 - 特許庁

When a memory request is made from the application 103, a requirement space is allocated from the available space 301, while a memory area management structure 402 associated with the allocated area (an area 401 in use) is newly created and managed as a list structure connecting the memory area management structure 404 of the available space 403 to an address sequence.例文帳に追加

アプリケーション１０３からメモリー要求があった場合は、空き領域３０１から必要量の領域を割り当てると共に、割り当てた領域（使用中領域４０１）に対応付けるメモリー領域管理構造体４０２を、空き領域４０３のメモリー領域管理構造体４０４とアドレスの順をつないだリスト構造として新たに作成して管理する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device having a structure similar to a conventional planar floating gate structure, which can reduce a projection area of memory cells in a nonvolatile semiconductor storage device in which memory cells are laminated three-dimensionally.例文帳に追加

メモリセルが３次元的に積層された不揮発性半導体記憶装置で、メモリセルの投影面積を小さくすることができ、従来の平面型のフローティングゲート構造と類似の構造の不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nonvolatile memory element in which an MTJ structure of the nonvolatile memory element can be patterned without causing a short circuit nor a current leak and without damaging the MTJ structure.例文帳に追加

短絡や電流リークを生じさせること無く、しかも、ＭＴＪ構造にダメージを生じさせること無く、不揮発性メモリ素子におけるＭＴＪ構造のパターニングを行い得る不揮発性メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device has a structure such that a memory gate having the MONOS structure is formed on the principal plane of a semiconductor substrate, and a sidewall is formed on the side face of the memory gate.例文帳に追加

半導体基板主面上にＭＯＮＯＳ構造のメモリゲートが形成され、このメモリゲートの側面にサイドウォールが形成される半導体装置において、前記サイドウォールの下部から、前記ＭＯＮＯＳ構造の下部酸化シリコン膜を除去する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory device having a structure in which memory cells adjoining each other in a height direction share a word line or a bit line, the nonvolatile memory device being made less in number of processes of forming contacts provided to the nonvolatile memory device than before.例文帳に追加

高さ方向に隣接するメモリセル間でワード線またはビット線を共有する構造の不揮発性記憶装置において、この不揮発性記憶装置に設けられるコンタクトを形成するための工程数を従来に比して削減することができる不揮発性記憶装置を提供する。 - 特許庁

A memory structure comprises a controlling element electrode (35), a heater electrode (39), a memory component electrode (33), a chalcogenide-based memory component (23) that is arranged between the memory component electrode and the heater electrode, and a controlling element (25) that is arranged between the heater electrode and the controlling element electrode.例文帳に追加

本発明のメモリ構造は、制御素子電極（３５）と、ヒータ電極（３９）と、メモリ素子電極（３３）と、メモリ素子電極とヒータ電極の間に配置されているカルコゲナイド系メモリ素子（２３）と、ヒータ電極と制御素子電極の間に配置されている制御素子（２５）とからなることを特徴とする。 - 特許庁

Alternatively, a second conductive structure is formed on a second set (including two memory units, for example) of the memory unit and then the wafer is cut along a scribe lane surrounding the second set of memory unit thus forming a completed second memory chip having a second storage capacity different from the first storage capacity.例文帳に追加

あるいは、メモリユニットの第２セット（例えばメモリユニットを２つ含む）上に第２伝導性構造を形成しメモリユニットの第２セットを囲んだスクライブレーンに沿ってウェハをカッティングすることにより、第１貯蔵容量とは異なった第２貯蔵容量をもつ完成した第２メモリチップを形成する。 - 特許庁

To provide a structure of a memory card slot preventing one kind of inserted card from breaking a contact piece of another kind of card when inserting one kind of card, in the memory card slot allowing installation of a plurality of kinds of memory cards.例文帳に追加

複数種類のメモリカードを装着できるメモリカードスロットにおいて、一種類のカードを挿入した時、このカードが他の種類のカードの接触片を破損させないようなメモリカードスロットの構造を提供しようとすること。 - 特許庁

To provide structure of a non-volatile memory TEG in which all memory cells in TEG can be simultaneously operated excluding a memory cell in which a current between a source and a drain is made to flow in the reverse direction when voltage is applied to each TEG electrode.例文帳に追加

各ＴＥＧ電極に電圧を印加した時にソース・ドレイン間電流が逆方向に導通するメモリセルを除いてＴＥＧ内の全メモリセルを同時に動作可能な不揮発性メモリＴＥＧの構造を提供する。 - 特許庁

The memory cell array of the semiconductor memory device includes a plurality of first memory cells MC each having a structure sandwiching a dielectric material between two electrodes and arranged in an array form, and is divided into a plurality of specifiable areas.例文帳に追加

本発明の半導体記憶装置のメモリセルアレイには、誘電体材料を２つの電極で挟んだ構造をそれぞれ有する複数の第１メモリセルＭＣがアレイ状に配置され、指定可能な複数の領域に区分されている。 - 特許庁

In layout structure of the semiconductor memory apparatus 100, a memory cell array 1 is held between the input buffer circuit 5 and the output buffer circuit 6 and the bypass line passes through the memory cell array 1, in a flat view.例文帳に追加

半導体記憶装置１００のレイアウト構造では、平面視上、メモリセルアレイ１は入力バッファ回路５と出力バッファ回路６とに挟まれて配置されており、バイパス線はメモリセルアレイ１間を通って配置されている。 - 特許庁

To provide a connecting structure for a memory card for reinforcing the connecting structure of a frame and a connector to enhance the rigidity of longitudinal connection while preventing slippage in the assembling thereof.例文帳に追加

本発明は、メモリーカードの結合構造に関し、フレームとコネクタとの結合構造を強固にし、組ズレを防止して前後方向の結合を剛性にすることが課題である。 - 特許庁

To provide a fitting structure for fitting a USB connecting instrument such as a USB memory adaptor to a writing utensil with a simply fitting operation without increasing the member and complicating the structure.例文帳に追加

部材の増加や構造の複雑化をせずに、取り付け操作簡単なＵＳＢメモリーアダプタ等のＵＳＢ接続機器を筆記具に取り付ける取付構造を提供する。 - 特許庁

To provide a capacitor protective structure having a high hydrogen barrier effect by forming an extremely precise protective film and a method of manufacturing the same, and also to provide a ferroelectric memory using the protective structure.例文帳に追加

緻密な保護膜形成により高い水素バリア性を有するキャパシタの保護構造及びその製造方法及びこれを用いた強誘電体メモリを提供する。 - 特許庁

This device has a laminated structure, laminating a plurality of conductive layers and layer insulating layers on a semiconductor substrate SUB and inside such a laminated structure, a memory cell array is located.例文帳に追加

半導体基板ＳＵＢ上に導電層と層間絶縁層を複数積層させた積層構造を有し、この積層構造内にメモリセルアレイが配置されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory which can be easily adapted to change in bank structure and array structure, and can perform high-speed and stable operation with low current consumption.例文帳に追加

バンク構成およびアレイ構成の変更に容易に対応することができかつ低消費電流で安定に高速動作する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a multi-chip structure memory card with a small plane size, a simple structure and thin thickness while controlling a rise in its manufacturing cost.例文帳に追加

製造コストの上昇を抑制しつつ、平面面積が小さく、構造が単純で且つ厚さが薄いマルチチップ構成のメモリカードを提供することを目的としている。 - 特許庁

The semantic memory structure in Quillian's theory was based on a hierarchical network structure in which the meaning of a concept is defined partly by its relationships to others. 例文帳に追加

キリアン理論における意味論メモリ構造は、概念の意味がそれの他との関係によって部分的に定義される階層ネットワーク構造に基づいたものであった。 - コンピューター用語辞典

To avoid the generation of memory block floating state of list structure information caused by the interruption of generating (adding or inserting)/ erasing processing of the list structure information through system switching operation.例文帳に追加

系切り替え動作によるリスト構造情報の生成（追加、挿入）／削除処理の中断に起因するリスト構造情報のメモリブロック浮き状態の発生を回避する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory device with a two-bit cell structure, which has enhanced programming efficiency and a reduced size and is produced at lower costs.例文帳に追加

２ビットセル構造を持つ不揮発性メモリー装置に於いて、プログラミング効率を改善し、小型化し、コストを低減する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive memory device having a three- dimensional cell laminated structure suitable for high integration and a method for manufacturing it.例文帳に追加

高集積化に適した３次元のセル積層構造を持つ磁気抵抗メモリ装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

THIN-FILM FERROELECTRIC CAPACITOR WITH A MEMORY CAPABILITY IMPROVED BY A SUBSTANTIALLY SMOOTH LOWER ELECTRODE STRUCTURE例文帳に追加

実質的に平滑な下部電極構造の使用により改良された記憶保持を有する薄膜強誘電体コンデンサ - 特許庁

To prevent a writing error by maximizing an operation window in a free magnetic structure of a magnetoresistive element which is used as a cell of a magnetic random access memory.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリのセルとして用いられる磁気抵抗素子の自由磁気構造の動作窓を最大化する。 - 特許庁

To provide an ideal steel frame joining method in an steel structure or the like using a specified iron based shape memory alloy.例文帳に追加

特定の鉄系形状記憶合金を用いた理想的な鋼構造物等における鉄骨接合法を提供する。 - 特許庁

To reduce power consumption during programming operation in a nonvolatile memory array built in a virtually grounded array structure.例文帳に追加

仮想接地アレイ構造により構成された不揮発性メモリアレイにおいて、プログラム動作時の消費電力を低減する。 - 特許庁

To achieve an MONOS memory having a structure capable of preventing an influence of ultraviolet rays generated in a manufacturing step.例文帳に追加

製造工程中に発生する紫外線の影響を防止できる構造を有するＭＯＮＯＳメモリを実現する。 - 特許庁