「memory structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

The ferromagnetic shape memory alloy has a composition containing, by atom, 35 to 65% Co and 20 to 35% Ga, and the balance Ni with inevitable impurities, and has a single phase structure consisting of a β phase with a B2 structure or a two phase structure consisting of a second phase with an fcc structure.例文帳に追加

Coを35〜65原子％，Gaを20〜35原子％含有し、残部がNiおよび不可避的不純物からなる組成と、Ｂ２構造のβ相からなる単相組織またはＢ２構造のβ相とｆｃｃ構造の第２相からなる２相組織とを有する強磁性形状記憶合金とする。 - 特許庁

By this structure of the mobile memory 1, when changing a part of data in the mobile memory 1, only the IC card corresponding to the data is required to be exchanged, and the flexibility of the recombination of the data in the mobile memory 1 can be enhanced, and convenience is also enhanced.例文帳に追加

このようなモバイルメモリ１の構成により、モバイルメモリ１内の一部のデータを変更する場合には、そのデータに対応するＩＣカードのみを交換すればよいこととなり、モバイルメモリ１内のデータの組替え自由度が向上でき、利便性が向上する。 - 特許庁

To improve a transfer speed performance and reliability for a phase change memory that has a memory array structure in which a plurality of memory bits having a current selector switch and phase change film electrically formed in parallel are electrically arranged in series.例文帳に追加

電流切り替え用スイッチと相変化膜とが電気的に並列に形成されたメモリビットの複数個を電気的に直列に配置したメモリアレイ構造を持つ相変化メモリにおいて、転送速度性能の向上と信頼性の向上とを共に実現する。 - 特許庁

Then the dummy gate DG is removed, and a charge storage film and a memory gate electrode are formed in order at a place where the dummy gate DG has been disposed to form a structure having the memory source-drain region SDm disposed at a lower part in the side of the memory gate electrode.例文帳に追加

その後ダミーゲートＤＧを除去し、ダミーゲートＤＧが配置されていた箇所に、電荷蓄積膜とメモリゲート電極とを順に形成することで、メモリゲート電極の側方下部にメモリソース・ドレイン領域ＳＤｍが配置された構造を形成する。 - 特許庁

This device comprises a memory cell unit including a memory cell transistor, comprising a layered structure of floating gates (5, 11) and control gates (14), and the selective gate transistor where one side (23) of a source/ drain diffusion layer region is connected to a bit line or a source line and the other side (24) is connected to the memory cell unit.例文帳に追加

浮遊ゲート(5,11)と制御ゲート(14)との積層構造を有するメモリセルトランジスタを含むメモリセルユニットと、ソース／ドレイン拡散層領域の一方(23)がビット線またはソース線に接続され、他方(24)がメモリセルユニットに接続された選択ゲートトランジスタとを具備する。 - 特許庁

To provide an semiconductor memory device which does not depend on the structure or the writing voltage, easily decreasing the tip area for the memory part, and realizing the cost reduction of LSI by utilizing peripheral logic circuit, and apparently memorizing a plurality of bits per one memory cell.例文帳に追加

メモリセルの構造、書込み電圧に依存せず、周辺論理回路を利用して見掛け上、メモリセル１セルあたりに複数ビットを記憶させ、容易にメモリ部のチップ面積を縮小して、ＬＳＩの低コスト化を実現する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a device of structure that drawing wiring from a hole and a memory cell forming a resistance variation layer and wiring of circuits around the memory cell, etc. are almost simultaneously formed using the memory cell of 1T1R type; and to provide a simplified method of manufacturing the same.例文帳に追加

１Ｔ１Ｒ型のメモリセルを用いて、抵抗変化層を形成するホールとメモリセルからの引き出し配線およびメモリセル領域の周辺の回路などの配線をほぼ同時に形成できる構成の装置およびその簡素化された製造方法を提供する。 - 特許庁

The memory unit includes: a multilayer structure ML including alternately stacked electrode films WL and interelectrode insulating films 14; a semiconductor pillar SP piercing the multilayer structure; a memory layer 48 between the electrode films WL and the semiconductor pillar; an internal insulating film 42 between the memory layer and the semiconductor pillar; an external insulating film 43 between the electrode films and the memory layer; and a first wire W1 connected to the semiconductor pillar.例文帳に追加

メモリ部は、交互に積層された電極膜ＷＬと電極間絶縁膜１４とを有する積層構造体ＭＬ、積層構造体を貫通する半導体ピラーＳＰ、電極膜ＷＬと半導体ピラーと間の記憶層４８、記憶層と半導体ピラーとの間の内側絶縁膜４２、電極膜と記憶層との間の外側絶縁膜４３、半導体ピラーに接続された第１配線Ｗ１、を有す。 - 特許庁

To allow erasing, writing, and reading of a record while a memory cell structure is simple, and to allow high-density information recording.例文帳に追加

記録の消去、書き込みおよび読み出しが可能で、かつメモリセルの構造を単純化するとともに、高密度情報記録を可能とする。 - 特許庁

To provide an organic bistable element which has a simple structure and can maintain nonvolatile memory effect for a long time.例文帳に追加

単純が構造な双安定性素子であって、かつ、長時間不揮発性メモリ効果が維持できる有機双安定性素子を提供する。 - 特許庁

The uncorrupted and repaired portions of the memory structure are then saved to a data file stored on a mass storage device.例文帳に追加

次いで、メモリ構造体の破損されてない、修復された部分が、大容量記憶装置内に格納されたデータファイルに保存される。 - 特許庁

To provide a non volatile memory device having a thre dimensional structure and a method of operating the same for storing data using a charge storage layer.例文帳に追加

電荷保存層を利用してデータを保存しうる、立体型構造を有する不揮発性メモリ素子及びその動作方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device using a ferrodielectric film which is excellent in the flexibility of design and moreover has a structure possible in microfabrication.例文帳に追加

設計の自由度に優れ、また、微細化が可能な構造を有する、強誘電体膜を用いた半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a memory element with a novel structure, which can hold data even after the stop of power supply.例文帳に追加

電力の供給が停止した後もデータを保持することができる、新たな構成の記憶素子を提供することを目的の一とする。 - 特許庁

The self-synchronizing FIFO memory device 100 has a structure lined up with n pieces of self-synchronizing data transmission lines 111 to 11n in parallel.例文帳に追加

自己同期型ＦＩＦＯメモリ装置１００は、ｎ個の自己同期型データ伝送路１１１〜１１ｎを並列に並べた構造を有する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device with a three-dimensional structure that suppresses a decrease in readout current even when integrated more highly.例文帳に追加

集積度が高まった場合においても、読み出し電流の低下を抑制する３次元構造の半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method, which is not complicated, for forming a nonvolatile memory structure containing a floating gate of inverted T shape on a substrate.例文帳に追加

基板上に逆Ｔ形状を有するフローティングゲートを持った不揮発性メモリ構造を形成する、複雑ではない方法を提起する。 - 特許庁

STORAGE NODE WITH METAL LAYER-INSULATING LAYER-METAL LAYER STRUCTURE, UNVOLATILE MEMORY ELEMENT THEREWITH, AND METHOD OF OPERATING SAME例文帳に追加

金属層−絶縁層−金属層構造を備えるストレージノード、及び、そのストレージノードを備える不揮発性メモリ素子及びその動作方法 - 特許庁

Before starting the processing of the next block, the configuration data corresponding to the determined circuit structure is loaded in a configuration memory 16.例文帳に追加

そして、次のブロックの処理が開始される前に、判定された回路構成に対応する構成データを、構成メモリ１６にロードする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory having fuse structure which has high reliability and by which a fuse can be surely cut off, and its manufacturing method.例文帳に追加

信頼性があり、かつ確実にヒューズを切断できるヒューズ構造を有する半導体メモリ装置とその作製方法を提供する。 - 特許庁

There is disclosed a non-volatile memory cell structure utilizing a charge trapping high-k dielectric (22) in the place of a triple film stack.例文帳に追加

本発明は、３層膜スタックの場所に電荷トラッピングｈｉｇｈ−ｋ誘電体（２２）を用いる不揮発性メモリセル構造を開示する。 - 特許庁

SYSTEM AND METHOD FOR REDUCING MEMORY DIRECTORY UPDATE IN DIRECTORY-BASED CACHE SYSTEM AND DESIGN STRUCTURE INFORMATION STORAGE MEDIUM例文帳に追加

ディレクトリ・ベースのキャッシュ・システムにおけるメモリ・ディレクトリ更新を少なくするシステムおよび方法ならびに設計構造情報記憶媒体 - 特許庁

The support structure is preferably constructed of one or more thin strands of a super-elastic or shape memory material such as Nitinol.例文帳に追加

支持構造は、超弾性または形状記憶の材料、例えばニチノールの１つ以上の細いストランドで構成されることが好ましい。 - 特許庁

The semiconductor memory device of the present invention comprises the data bus 90 which is the data line provided in the hierarchical structure, and an I/O line 80.例文帳に追加

本発明の半導体記憶装置は、階層的に設けられたデータ線であるデータバス９０およびＩ／Ｏ線８０を備える。 - 特許庁

To provide a novel structure for a highly scalable high-performance shared memory computer system having simple production possibility.例文帳に追加

単純な製造可能性を有する高度にスケーラブルな高性能共用メモリ・コンピュータ・システムのための新規の構造を提供すること。 - 特許庁

To properly refresh a non-volatile memory installed in an image processing device by relatively simple structure.例文帳に追加

画像処理装置に設けられた不揮発性メモリに対して、比較的に簡素な構成で適切にリフレッシュを行うことができるようにする。 - 特許庁

To provide a holographic ROM (read only memory) system having a simplified structure in which a conical mirror can easily be replaced for an angular multiplexing.例文帳に追加

角多重化のために円錐ミラーを容易に取り替えられる、単純化された構造を有するホログラフィックＲＯＭシステムを提供する。 - 特許庁

This structure and a protocol can guarantee a consistent state in the main memory, and thus, fault tolerant processing can be performed.例文帳に追加

この構造およびプロトコルは、主メモリにおける一貫した状態を保証することができ、こうしてフォールト・トレラント処理を可能にする。 - 特許庁

To provide a column repair device for a semiconductor memory in which column repair efficiency can be increased in row flexible redundant structure.例文帳に追加

ローフレキシブル冗長構造において、カラムリペア効率を増大させることができるようにした半導体メモリのカラムリペア装置を提供する。 - 特許庁

To suppress a lowering of a readout current, even when an integration degree increases in a semiconductor memory device of a three-dimensional structure.例文帳に追加

３次元構造の半導体記憶装置において、集積度が高まった場合においても読み出し電流の低下を抑制する。 - 特許庁

To provide a floating gate memory structure suitable to the latest device where a buried floating gate led from a back plane is used.例文帳に追加

バックプレーンから引き出した埋込みフローティング・ゲートを用いる最新のデバイスに適合したフローティング・ゲート・メモリ構造を提供すること。 - 特許庁

To form a nonvolatile semiconductor storage device which is electrically erasable and has a memory cell formed of a MOS transistor having a single gate electrode without using a laminated structure.例文帳に追加

電気的消去が可能であり、メモリセルを積層構造ではない単一のゲート電極を持つＭＯＳトランジスタで構成する。 - 特許庁

To further reduce a junction leakage in a MOSFET having a gate electrode of a polymetal structure, in particular, in a memory cell transistor of a DRAM.例文帳に追加

ポリメタル構造のゲート電極を有するＭＯＳＦＥＴ、特に、ＤＲＡＭのメモリセルトランジスタの接合リークをよりいっそう低減する。 - 特許庁

A computer memory is used for a storage of a data structure or a table including various information used in a file transfer sequence.例文帳に追加

ファイル転送手順中に用いられる種々の情報を含むデータ構造またはテーブルを記憶するためにコンピュータ・メモリが用いられる。 - 特許庁

The memory transistor MTr has a NMOS(n-type metal oxide semiconductor) structure and memorizes data from a state where many carriers are accumulated in a channel body 39.例文帳に追加

記憶トランジスタＭＴｒは、ＮＭＯＳ構造を有しており、チャネルボディ３９の多数キャリア蓄積状態によりデータを記憶する。 - 特許庁

To provide reliable resistance nonvolatile suitable for 3-dimensional structure supper-high density memory array which does not need an active device.例文帳に追加

アクティブデバイスを必要としない３次元構造超高密度メモリアレイに適した信頼できる抵抗不揮発性を提供することである。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory, comprising selective transistors having short gate lengths suited for making a high-speed and highly integrated structure.例文帳に追加

選択トランジスタのゲート長が短く、高速化及び高集積化に適した構成の不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a dielectric memory which has a capacitive insulating film showing a superior step coverage, and has a structure enabling microfabrication.例文帳に追加

段差被覆性に優れた容量絶縁膜を備え、且つ微細化の実現が可能な構造を有する誘電体メモリを提供する。 - 特許庁

A laminated gate structure used for the nonvolatile memory device comprises a semiconductor substrate and a laminated gate formed on the substrate.例文帳に追加

不揮発性メモリ装置で用いられる積層ゲート構造体は半導体基板及び半導体基板上に形成された積層ゲートを含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device permitting high-speed readout, which includes a memory cell of one transistor/one cell structure formed on an SOI substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板に形成された１トランジスタ／１セル構造のメモリセルを持つ、高速読み出しが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A first conductive film is formed on the element isolation structure and the first gate insulation film, and a part on a memory cell portion is eliminated.例文帳に追加

素子分離構造体及び第１のゲート絶縁膜上に、第１の導電膜を形成し、メモリセル部上の部分を除去する。 - 特許庁

To realize a memory structure to obtain the highest performance for various kinds of software, without changing hardware design in a microcomputer.例文帳に追加

マイクロコンピュータにおいて、ハードウェア設計を変更せずに、各種のソフトウェアに対し最高の性能を得るメモリ構成を実現することにある。 - 特許庁

BIDIRECTIONAL SPLIT GATE NAND FLASH MEMORY STRUCTURE, ARRAY, PROGRAMMING METHOD OF THE SAME, ERASING METHOD, READOUT METHOD AND MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

双方向分割ゲートＮＡＮＤフラッシュメモリ構造及びアレイ、そのプログラミング方法、消去方法及び読み出し方法、並びに、製造方法 - 特許庁

Specific parts of data are copied from the raw image files into the buffer memory structure, and copied into an image buffer for editing a final image.例文帳に追加

データの特定部分が生イメージファイルからバッファメモリ構造内にコピーされ、最終イメージの編集のためにイメージバッファ内にコピーされる。 - 特許庁

For example, a memory cell MC0 of a 2T1C type cell structure is constituted of NMOS transistors Ma0, Mb0 and a ferroelectric capacitor C0.例文帳に追加

たとえば、ＮＭＯＳトランジスタＭａ０，Ｍｂ０と強誘電体キャパシタＣ０とで、２Ｔ１Ｃ型セル構造のメモリセルＭＣ０を構成する。 - 特許庁