「memory structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a FIR digital filter with a simple hardware structure capable of carrying out filtering processing by providing a simple address designation and a simple read/write instruction to memory groups.例文帳に追加

簡単なハードウエア構造で、メモリ群に対する簡単なアドレス指定と読み書き指示でフィルタリング処理が行えるようにする。 - 特許庁

To suppress delay in the processing of a microprocessor and complication in the structure of a memory controller, in burst transfer in mixed different operation modes.例文帳に追加

異なる動作モードが混在するバースト転送において、マイクロプロセッサの処理の遅延及びメモリコントローラの構成の複雑化を抑制する。 - 特許庁

To provide a structure for efficiently executing an interface with external equipment for a cache DRAM which incorporates a memory controller function.例文帳に追加

メモリコントローラ機能を内蔵したキャッシュＤＲＡＭにおいて、外部とのインターフェイスを効率的に実行することが可能な構成を提供する。 - 特許庁

To provide structure without a problem also on electric noise by surely performing positioning of housing and a substrate and positioning of housings of a memory card slot and fixing bundle wire to the sheet metal side of a main body as structure capable of fixing the substrate of the memory card slot to the main body first.例文帳に追加

メモリーカードスロットの外装と基板との位置合わせと、外装同士の位置合わせを確実に行うと同時に、メモリーカードスロットの基板を本体に先に固定出来る構成として束線を本体板金側に固定して電気ノイズ上も問題ない構成を提供する。 - 特許庁

The device includes a memory structure arranged between a first electrode and a second electrode, and the distribution density of resistance levels in the memory structure around the minimum value of the resistance level is higher than that in the vicinity of the maximum value of the resistance level.例文帳に追加

この装置は、第１電極及び第２電極間に配置されるメモリ構造体（ｍｅｍｏｒｙ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を含み、メモリ構造体の抵抗レベルの分布密度は、抵抗レベルの最大値より抵抗レベルの最小値近辺でより高い分布密度を有するメモリ構造体を含む。 - 特許庁

A browser PC 40 includes a display 42, acquires the state data 36 stored at the adapter memory 35 and the screen structure data 74 stored at the center memory 73 through communication, respectively, and outputs to display the acquired state data 36 together with the screen structure data 74 on the display 42.例文帳に追加

ブラウザＰＣ４０は、ディスプレイ４２を有し、アダプタメモリ３５に格納されている状態データ３６とセンタメモリ７３に格納されている画面構成データ７４をそれぞれ通信により取得し、取得した状態データ３６を画面構成データ７４と共にディスプレイ４２に表示出力する。 - 特許庁

Thus, it is necessary to extract only a portion of the original structure document so that the load of a CPU can be reduced, and that the usage of a memory can be reduced compared with a method for acquiring it as a conventional tree structure.例文帳に追加

オリジナルの構造化文書から一部を抽出するだけなので，従来の木構造として取得する方法と比較して、ＣＰＵ負荷を低減でき、メモリ使用量も少なくできる。 - 特許庁

A word dictionary initialization processing section 10 generates a tree structure word dictionary based on memory learning text data, computes a look-ahead probability, which is an approximate language likelihood, and adds the probability to each node of the tree structure.例文帳に追加

単語辞書初期化処理部１０は、メモリ学習用テキストデータに基づいて木構造単語辞書を生成して、木構造の各ノードに対して近似言語尤度である先読み確率を計算して付与する。 - 特許庁

The first structure 3 is connected to a holder 7, and the second support structure 4 is removable connected to the holder 7 via at least one of the shape memory alloy members 1 and 2.例文帳に追加

更に、第１支持構造体３はホルダ７に連結されており、第２支持構造体４は少なくとも１個の形状記憶合金製部材１、２を介してホルダ７に脱連結可能に連結されている。 - 特許庁

In addition, source/drain of a MOS transistor in the memory cell part are made into double diffusion layer structure 5, 6, and source/drain of the MOS transistor in the peripheral circuit part are made into triple diffusion layer structure 5, 6, 7.例文帳に追加

また、メモリセル部におけるＭＯＳトランジスタのソース／ドレインを二重拡散層構造５，６とし、周辺回路部におけるＭＯＳトランジスタのソース／ドレインを三重拡散層構造５，６，７にする。 - 特許庁

A three-dimensional (3D) semiconductor memory element includes a vertical channel extending from a lower stage to an upper stage adjacent to a substrate, and coupled to a plurality of memory cells; and a cell array having the plural memory cells, and arrayed in a gate stack form of a staircases-shaped structure arranged on the substrate.例文帳に追加

３次元（３Ｄ）半導体メモリー素子は、基板に隣接する下段から上段まで伸張して、複数個のメモリーセルと連結された垂直チャンネルと、前記複数個のメモリーセルを有し、前記基板上に配置された階段形構造のゲートスタック形態にアレイされたセルアレイと、を含む。 - 特許庁

Also, a short circuit MOSFET is provided between a drain and a source of the two layer gate structure memory cell, while applying write-in control voltage for a source of a memory cell being not the object of write-in is performed through a memory cell itself after the applying is performed through short circuit MOSFET.例文帳に追加

また、２層ゲート構造型メモリセルのドレイン及びソース間に、短絡ＭＯＳＦＥＴを設けるとともに、書き込み対象とされないメモリセルのソースに対する書き込み制御電圧の印加を、まず短絡ＭＯＳＦＥＴを介して行った後、メモリセル自身を介して行う。 - 特許庁

The source and drain regions of a memory cell transistor are formed on a semiconductor substrate, and after the gate electrode structure of the memory cell transistor and a selection transistor are formed on the semiconductor substrate, the source region of the selection transistor is formed to partially overlap the drain region of the memory cell transistor.例文帳に追加

半導体基板にメモリセルトランジスタのソース及びドレイン領域を形成し、半導体基板上にメモリセルトランジスタ及び選択トランジスタのゲート電極構造を形成した後に、メモリセルトランジスタのドレイン領域と部分的に重ねて選択トランジスタのソース領域を形成する。 - 特許庁

To provide a fiscal unit which has a simple structure but can assure electrical insulation between a fiscal memory and other components operating as a circuit element on a fiscal memory board and a metal holding part and can prevent manipulation of the fiscal memory, and to provide a printer having the fiscal unit.例文帳に追加

簡単な構造でありながら、フィスカルメモリ基板上のフィスカルメモリやその他の回路上機能している部品と金属製の保持部との間の電気的絶縁性を確保して、さらにはフィスカルメモリの改ざんを防止することができるフィスカルユニットおよびフィスカルユニットを有するプリンタを提供する。 - 特許庁

A simple matrix structure having memory cells formed at intersections of upper and lower linear electrodes is adopted, and an insulation material is selectively jetted on the electrode surface at a specified memory cell position using an ink jet head, thereby covering the electrode surface at a specified memory cell position.例文帳に追加

メモリセルが上下線状電極の交差位置に形成される単純マトリクス構造を採用し、所定のメモリセル位置の電極表面に対しインクジェットヘッドを用いて絶縁材料を選択的に吐出することにより、前記所定のメモリセル位置の電極表面を絶縁材料で被覆する。 - 特許庁

To provide a technique for and the structure of a field-effect transistor memory element capable of stably maintaining a sufficient memory window width for a long period of time under high temperature to solve a problem which a conventional technique faces and to apply the field-effect transistor memory element having a ferroelectric to a device.例文帳に追加

本発明は、従来技術の問題点を解消し、強誘電体を有する電界効果トランジスタ型の記憶素子をデバイス応用するために、十分なメモリーウィンドウ幅が長期間かつ高温で安定に保持される当該記憶素子の技術と構造を提供することを課題とする。 - 特許庁

The thermally-assisted magnetic memory structure is composed of a first conductor (120) surrounded by cladding (110), a memory cell (170) thermally separated from the first conductor (120) by a thermal resistance region (130), and a second conductor (180) which electrically comes into contact with the memory cell (170).例文帳に追加

クラッディング（１１０）によって包囲された第１の導体（１２０）と、熱抵抗領域（１３０）によって前記第１の導体から熱的に分離されたメモリセル（１７０）と、前記メモリセル（１７０）と電気的に接触する第２の導体（１８０）とからなる熱アシスト型磁気メモリ構造。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing memory medium for manufacturing a semiconductor memory medium of a simple structure, in which contents data memorized in the semiconductor memory medium can be easily understood, and an information processing system capable of easily preparing detailed information regarding the contents data memorized in the semiconductor memory medium.例文帳に追加

ユーザにとって、半導体記憶媒体に記憶されたコンテンツデータが把握しやすく、簡単な構造の半導体記憶媒体を製造する記憶媒体製造方法を提供すること、半導体記憶媒体に記憶されたコンテンツデータに関する詳細な情報を、より簡単にユーザに提供することができる情報処理システムを提供すること。 - 特許庁

A memory element includes a MTJ structure consisting of: a memory layer which has magnetization perpendicular to the film surface and holds information by a magnetization state of a magnetic material; a magnetization fixed layer having magnetization perpendicular to the film surface serving as a reference for information stored in the memory layer; and an intermediate layer made of a nonmagnetic material provided between the memory layer and the magnetization fixed layer.例文帳に追加

記憶素子は、膜面に対して垂直な磁化を有し、情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層と、記憶層に記憶された情報の基準となる、膜面に対して垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とにより、ＭＴＪ構造を持つ。 - 特許庁

To provide a computer system capable of realizing a reduction in cost with enhanced flexibility by minimizing the limitation in design of a memory structure in a computer system having a CPU or MPU in which an external memory space is partitioned to every area, and a memory connectable to each area is specified, and efficiently using the external memory space.例文帳に追加

外部メモリ空間がエリア毎に区分され、各々のエリアに接続可能なメモリが特定されるＣＰＵやＭＰＵを備えるコンピュータシステムにおいて、メモリ構成の設計における制約を少なくし、外部メモリ空間を効率的に使用し、フレキシブル性を高め、かつ、低コスト化を実現することができるコンピュータシステム及び外部メモリ空間の使用方法の提供。 - 特許庁

To prevent reproduction irregularities in an image caused by the deficiency of AV packet data when a memory overflows in a video and sound recording device to record data having an AV packet structure on recording media after once holding them in the memory.例文帳に追加

ＡＶパケット構造を有するデータをメモリに一旦保持して記録メディアに記録する映像音声記録装置において、メモリのオーバーフロー時のＡＶパケットデータ欠損による再生画像の乱れを防止する。 - 特許庁

To provide a non-volatile memory device which has a uniform bulk current eliminating effect by keeping a bulk voltage lower than a certain voltage, and to enable the memory devices to be highly integrated by minimizing a bulk bias contact structure in layout area.例文帳に追加

バルク電圧を一定電圧以下に維持し、均一なバルク電流消去効果を有する不揮発性メモリ素子の提供とともに、バルクバイアスコンタクト構造のレイアウト面積を最小化し、素子の高集積化をはかる。 - 特許庁

The encrypting device can be freely attached to or detached from a USB memory having an interface to both of PC and the USB memory and has encrypting and decrypting functions as an independent module structure.例文帳に追加

本発明の暗号化装置は、ＰＣおよびＵＳＢメモリの双方に対するインターフェイスを備えるＵＳＢメモリに着脱自在な装置であって、暗号化・復号化機能を独立したモジュール構造として備える。 - 特許庁

To enable read of information on the lots of arbitrary integrated circuits combined with each other from an external device in a semiconductor MCP constituted into one package structure by combining a nonvolatile memory, such as a flash memory, with an arbitrary integrated circuit.例文帳に追加

フラッシュメモリ等の不揮発性メモリと任意の集積回路を組み合わせたパッケージ化した半導体ＭＣＰにおいて、外部デバイスから組合せた任意の集積回路のロット情報の読取りを可能にする。 - 特許庁

To provide a method of forming a conductive plug structure such as a via plug using a multitude of conductive patterns and also to provide a method of fabricating a semiconductor element including a semiconductor memory element such as the method of fabricating a phase change memory element.例文帳に追加

多数の導電層パターンからビアプラグのような導電プラグ構造体の形成方法、及び相変化記憶素子の製造方法のような半導体メモリ素子を含む半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To greatly improve data retention characteristics of a second cell (reference cell, redundancy memory cell, OTP area or the like) having a process and a structure almost similar to those of a first cell (memory cell) without unnecessarily increasing the number of steps.例文帳に追加

徒に工程数を増加させることなく、第１のセル（メモリセル）とほぼ同一工程・同一構造によりなる第２のセル（リファレンスセル、冗長メモリセル、ＯＴＰ領域等）のデータリテンション特性を大幅に向上させる。 - 特許庁

To substantially improve data retention characteristics of a second cell (a reference cell, a redundancy memory cell, an OTP region, etc.), comprising substantially the same steps and same structure as those of a first cell (memory cell), without increasing the number of steps needlessly.例文帳に追加

徒に工程数を増加させることなく、第１のセル（メモリセル）とほぼ同一工程・同一構造によりなる第２のセル（リファレンスセル、冗長メモリセル、ＯＴＰ領域等）のデータリテンション特性を大幅に向上させる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method suppressing film thinning of an STI (Shallow Trench Isolation) film by etching in a manufacturing process of a flash memory, and to provide a split gate type MONOS (Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon) type flash memory structure attaining it.例文帳に追加

フラッシュメモリの製造工程において、エッチングによるＳＴＩ膜の膜減りを抑制することができる製造方法と、それを可能にするスプリットゲートタイプのＭＯＮＯＳ型フラシュメモリ構造を提供する。 - 特許庁

To provide a connection structure in which strong fastening is allowed with such simple working as screw connection by utilizing a ferrous radical shape-memory alloy which is low cost and excellent in mass productivity among shape-memory alloys.例文帳に追加

形状記憶合金の中でも安価で量産性に優れた鉄基形状記憶合金を利用して、ねじ接続並みの簡単な作業手段で強固な締結がなされる接続構造を提供すること。 - 特許庁

To provide a memory card realizing reduction in manufacturing costs and securing mechanical strength by simplifying the structure of a stacked circuit board which is formed by stacking a semiconductor memory circuit board and a control circuit board.例文帳に追加

本発明は、半導体メモリ回路基板と制御回路基板とを積層した積層回路基板の構成を簡単にして製造コストの低減と、機械的強度の確保とを実現するメモリーカードを提供する。 - 特許庁

To appropriately operate a flash memory over a possible longest period by appropriately managing rewrite of the flash memory, particularly, in a structure having an interface allowing an external storage device to be mounted.例文帳に追加

特に外部記憶装置を装着可能なインターフェースを有する構成において、適切にフラッシュメモリの書き換えを管理し、フラッシュメモリをできるだけ長期間に渡って適正に動作させることができるようにする。 - 特許庁

To reduce production costs per chip by reducing an area of a cell domain by decreasing a dimension in the direction of y in a memory circuit of a vertical stack connection structure in which memory elements are arrayed in the directions of x and y.例文帳に追加

ｘ方向、ｙ方向にメモリ素子を配列した縦積み接続構造のメモリ回路において、ｙ方向の寸法を縮小してセル領域の面積を縮小し、１チップ当たりの製造コストの低減。 - 特許庁

To provide a flash memory cell which maintains a constant threshold voltage along the channel width dimension even if there is non-uniform charge concentration in a charge trapping structure along the channel width dimension, and also provide a method of manufacturing the flash memory cell.例文帳に追加

チャネル幅寸法に沿った電荷捕獲構造の電荷密度が一様でない場合でもチャネル幅寸法に沿ってしきい値電圧を一様に維持したフラッシュメモリセルおよびフラッシュメモリセルの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory device having a tunnel dielectric structure, facilitating a self-focusing and erasing operation and also holding charge retention capability within a charge storage layer of the memory device during a period of a retention state.例文帳に追加

自己収束消去動作を容易にすると共に保持状態の期間におけるメモリデバイスの電荷蓄積層内での電荷保持能力を保持してもいるトンネル誘電体構造を有する不揮発性メモリデバイスの提供。 - 特許庁

By this structure, the semiconductor memory module is formed in such a shape that a space is hardly formed between a plurality of semiconductor memory modules when they are packed in a box for transportation.例文帳に追加

それにより、半導体メモリモジュールを搬送するための箱に半導体メモリモジュールが梱包されたときに、複数の半導体メモリモジュール同士の間に隙間が形成され難い形状の半導体メモリモジュールが形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device including a non-volatile memory with a well structure in consideration of the element alignment of memory cell array blocks and a driving voltage supply block, and to provide an electronic apparatus including the device.例文帳に追加

メモリセルアレイブロックと駆動電圧供給ブロックとでの素子配列を考慮したウェル構造を有する不揮発性メモリを有する半導体集積回路装置及びこれを含む電子機器を提供すること。 - 特許庁

To improve the reliability of a switch by manufacturing the switch, that detects the attachment of an SD memory card, in a structure in which a wiping distance becomes long, and then, to improve the reliability of a memory card connector.例文帳に追加

ＳＤメモリーカードが装着されたことを検出するスイッチをワイピング距離が長くなる構成として、スイッチの信頼性を向上させて、メモリーカード用コネクタの信頼性を向上させることを課題とする。 - 特許庁

To provide electric connection structure to the main part of a memory medium without damaging an electric connection part, even if it is not held by large holding power to the memory medium and without the danger of producing poor contact and short-circuit.例文帳に追加

記憶媒体に対して大きい保持力で保持しなくても、電気的接続部が破損することなく、また、接触不良やショートを生じる危険性のない記憶媒体の本体への電気接続構造を提供する。 - 特許庁

To provide a structure of a memory cell that allows reduction of aspect ratios of the capacitor contact and the bit-line contact and that is less subject to misalignment and less causative of an increase in the number of unrequired processes, and also to provide a method of manufacturing the memory cell.例文帳に追加

キャパシタコンタクト及びビット線コンタクトのアスペクト比を低減でき、かつ、合わせズレの影響を受けにくく、余分な工程数の増加を招かないメモリセルの構造及び製造方法を提供する。 - 特許庁

To laminate a memory cell longitudinally while improving controllability of drain current, and to lower difficulty in processing a control gate electrode and a charge storage layer even when a fin structure is used for the memory cells.例文帳に追加

ドレイン電流の制御性を向上させつつ、メモリセルを縦方向に積層するとともに、メモリセルにフィン構造を用いた場合においても、制御ゲート電極および電荷蓄積層の加工の難易度を低下させる。 - 特許庁

According to such a structure, even if the system reset signal RES is generated during the data deleting and writing operations of the nonvolatile memory, the deleting and writing operations of the nonvolatile memory can be ended in a prescribed sequence.例文帳に追加

これにより、不揮発性メモリのデータ消去及び書き込み動作中にシステムリセット信号ＲＥＳが発生しても、所定のシーケンスで不揮発性メモリの消去及び書き込み動作を終了させることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory which adequately restrains complication in circuit configuration and enlargement in circuit scale while having an access structure for accessing a memory cell by using a prescribed voltage obtained by boosting a supply voltage.例文帳に追加

電源電圧を所定に昇圧した電圧を用いてメモリセルへアクセスするアクセス構造を有しながら、その回路構成の複雑化や回路規模の増大を好適に抑制することのできる半導体メモリを提供する。 - 特許庁

To provide a structure for preventing the accidental insertion of a memory card when an acoustic device provided with a recording medium inserting slot for a CD or the like at the front plate of an apparatus body is freshly provided with a memory card slot.例文帳に追加

装置本体の前面板にＣＤ等の記録媒体挿入口を設けた音響装置において、新たにメモリーカード挿入口を設ける場合に、メモリーカードの誤挿入を防止する構造を提供する。 - 特許庁

This invention provides an NVM readout structure using reference memory cells, to distinguish threshold voltage difference between a reference memory cell M_rf and a readout NVM cell M_C with appropriate detection speed and excellent accuracy.例文帳に追加

本発明は、参照メモリセルを利用したＮＶＭ読取構造を提供して、適切な検出速度及び良好な正確度により参照メモリセルM_rf及び読取ＮＶＭセルM_Cの両者間のしきい電圧差を識別する。 - 特許庁

To provide a case for memory card of an installation structure capable of coping with a plurality types of printed packaging board.例文帳に追加

本発明は、例えば、メモリーカードおけるケースであって、複数種類のプリント実装基板に対応した装着構造とすることが課題である。 - 特許庁