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memory structureの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1752件
To provide a memory capable of simplifying structure by permitting information recording to a storage element without the need for changing the polarity of a current supplied to the storage element.例文帳に追加
記憶素子に流す電流の極性を変えなくても情報の記録を可能にすることにより、構造を簡素化することができるメモリを提供する。 - 特許庁
To provide a nonvolatile semiconductor storage device having a collectively processed three-dimensional multilayer memory structure with increased storage capacity and to provide a manufacturing method of the same.例文帳に追加
記憶容量を増大した一括加工型3次元積層メモリ構成の不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide electronic equipment having a mounted cover structure which is prevented from being closed even when a memory card is mounted on a card slot in an inclined status.例文帳に追加
カードスロットにメモリーカードが傾いた状態で装填されている場合でも閉まらないようにした装填蓋構造を有する電子機器を提供する。 - 特許庁
To provide a structure related to a semiconductor memory cell whose size is less than 4.5F2 in a case where F denotes the minimum dimension of a lithography techinique, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加
Fが最小リソグラフィ寸法である場合に4.5F2以下のサイズを有する半導体メモリ・セルに関する構造および製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a memory card connector of a structure causing no deformation even when a card having a notch part at one lateral side of a front edge part is inserted with the front and back sides reversed.例文帳に追加
メモリカードコネクタにおいて、先端部の一側部側に切欠部を有するカードが表裏逆に挿入されても、変形しない構成にすること。 - 特許庁
A memory cell has a structure that four word lines 2 are provided on one active region 1 and two word lines 2 are provided in a region 8 corresponding to one bit.例文帳に追加
メモリセルで、一つの活性領域1上に四本のワード線2を設け、一ビット対応領域8で、二本のワード線2を有した構造である。 - 特許庁
The environment map of a MIP map structure including environment maps 20, 20-1, 20-2, and 20-3 with a scale of 1/2 as the formal ratio is stored in the cube memory 18.例文帳に追加
キューブメモリ18に、縮尺1/2を公比とする環境マップ20,20−1,20−2,20−3を含むミップマップ構造の環境マップを記憶させる。 - 特許庁
To provide a semiconductor device with a structure, wherein the potential of gate wirings is not affected by bit wirings when dummy pad contacts are formed on an end part of a memory cell.例文帳に追加
メモリセルの端部にダミーのパッドコンタクトを形成した場合、ゲート配線の電位がビット配線の影響を受けない構造の半導体装置を提供する。 - 特許庁
The posture change mechanism is configured to change the posture of the long body by a mechanical structure using a shape memory alloy or the like.例文帳に追加
姿勢変更機構は、形状記憶合金等を用いた機械的な構造により長尺状本体の姿勢を変更するように構成されている。 - 特許庁
The subscriber station can use a data structure in its memory and map possible parameter values to corresponding positions that may serve as the seed positions.例文帳に追加
加入者局は、そのメモリ内のデータ構造を使用し、可能なパラメータ値をシード位置として働き得る対応する位置にマッピングすることができる。 - 特許庁
To achieve memory saving while maintaining retrieval accuracy by applying a data structure in which a rectangle and a sphere of an index of multi-dimensional space data are centered with each other.例文帳に追加
多次元空間データのインデックスの矩形と球の中心を一致させたデータ構造を適用し、検索精度を維持しつつ省メモリを実現する。 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING FLASH MEMORY DEVICE FOR ERASING FLASH BLOCKS FORMED ON SOI SUBSTRATE USING BACK-BIAS, ITS ERASING METHOD AND STRUCTURE THEREOF例文帳に追加
バックバイアスを用いてSOI基板に形成されたフラッシュブロックを消去するためのフラッシュメモリ素子の製造方法、その消去方法及びその構造 - 特許庁
To reduce an area occupied by a direct peripheral circuit (sense amplifier, word shunt, etc.) in a large capacity DRAM having a memory cell with a COB (Capacitor Over Bitline) structure.例文帳に追加
COB(Capacitor Over Bitline)構造のメモリセルを有する大容量DRAMにおいて、直接周辺回路(センスアンプ、ワードシャント等)の占有面積を縮小する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device provided with a memory on an SOI structure and a logic circuit on a bulk substrate, and permitting easy and inexpensive manufacture, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
SOI構造上にメモリ、バルク基板上にロジック回路を備え、低コストで容易に製造可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To optimize the internal data readout timing by varying the electric potential of a dummy bit line at a high speed, independently of the structure of a memory cell array, in a semiconductor storage device.例文帳に追加
半導体記憶装置において、メモリセルアレイ構成にかかわらず、高速でダミービット線の電位を変化させて、内部データ読出タイミングを最適化する。 - 特許庁
To provide a programmable ROM system having high operation speed, its memory cell structure, and a method for writing data on/reading data from the programmable ROM.例文帳に追加
高速のプログラマブルROMシステム及びそのためのメモリセル構造と前記プログラマブルROMでのデータ書込み及び読出し方法を提供する。 - 特許庁
Structure of a microcomputer with the plurality of cores including a plurality of cores 1, 2, 3 and a shared memory 10 is integrated on the same semiconductor integrated circuit chip.例文帳に追加
同一の半導体集積回路チップ上に、複数のコア1,2,3と共有メモリ10とを含む複数コア付マイクロコンピュータ装置の構成が集積される。 - 特許庁
The gate length of a memory transistor and the gate width of the third gate are larger than in a flat structure since they are assured in a direction perpendicular to the silicon substrate.例文帳に追加
メモリトランジスタのゲート長、第3ゲートのゲート幅はシリコン基板に垂直な方向に確保されているので平坦な構造と比べて大きい。 - 特許庁
For example, in data storing structure for data storage means of a flush memory, etc., an encryption key applying for each sector is made the key being different each other.例文帳に追加
例えばフラッシュメモリ等のデータ記憶手段に対するデータ格納構成において、各セクタ毎に適用する暗号鍵をそれぞれ異なる鍵とした。 - 特許庁
To provide a process for fabricating a semiconductor memory device of cross point structure having homogeneous crystallinity as a storage material for storing data.例文帳に追加
データを蓄積するための記憶材料体として均質な結晶性を有するクロスポイント構造の半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
The layers 105 and 107 of the heat pipe 100 using a multi-layer shape memory alloy (SMA) as a wick structure have different transformation temperatures.例文帳に追加
多層の形状記憶合金(SMA)をウィック構造として使用するヒートパイプ100の各層105,107は異なる変態温度を有している。 - 特許庁
To provide a high speed and low voltage semiconductor memory device having hierarchical bit line structure.例文帳に追加
階層的なビット線構造を有する半導体記憶装置では、主ビット線と副ビット線との間に挿入された転送トランジスタが高速化と低電圧化の妨げとなる。 - 特許庁
To form a semiconductor-on-insulator (SOI) type transistor, a memory, another DRAM circuit, another DRAM array, a transistor gate array, and such a structure on the same substrate.例文帳に追加
セミコンダクタ・オン・インシュレータ型のトランジスタ、メモリ及び他のDRAM回路及びアレイ、トランジスタゲートアレイ、及びそのような構造体を同一基板上に形成する。 - 特許庁
IMAGE READER, MEMORY MEDIUM FOR STORING CONTROL PROCEDURE FOR IMAGE READER, AND DATA STRUCTURE FOR COMPUTER PROGRAM SIGNAL TRANSMISSION TO IMAGE READER例文帳に追加
画像読取装置、画像読取装置に対する制御手順を記憶する記憶媒体、及び画像読取装置に対するコンピュータプログラム信号伝送用データ構造 - 特許庁
The address circuit 113 is constituted so as to process a system address 103 based on the selected address structure and to generate a memory address 116.例文帳に追加
アドレス回路113は、システムアドレス103を選択されたアドレス構成に基づいて処理し、メモリアドレス116を生成するように構成されている。 - 特許庁
To incorporate accurately an optical memory element in the prescribed position in a drive by simplifying structure of a drive and suppressing a manufacturing cost low.例文帳に追加
ドライブの構造を簡素化し、コストを低く抑えることができるようにし、ドライブ内の所定位置に光メモリ素子が精度良く装着されるようにする。 - 特許庁
To prevent an external surge such as electrostatic discharge to a terminal with a simple structure when the terminal is set up near a loading slot of a memory card.例文帳に追加
メモリカードの挿入口近傍に端子が設けられている場合に、簡易な構成で該端子への静電気放電などの外来サージを防止する。 - 特許庁
To provide a nonvolatile memory element which can stably perform writing, erasing, and reading in a repeated manner with quite a simple structure.例文帳に追加
構造が極めて単純で、かつ繰り返して書き込み、消去、読み出し動作を安定に行うことのできる、不揮発性記憶素子を提供すること。 - 特許庁
To efficiently achieve arithmetic processing such as CNN arithmetic operation, which is executed by a plurality of processing nodes connected by a network structure, using a limited memory capacity.例文帳に追加
CNN演算等のネットワーク構造で接続された複数の処理ノードによって行われる演算処理を、限られたメモリ量で効率良く実現する。 - 特許庁
To obtain a socket for memory card having a non-contact communication function having smaller size and simpler structure, capable of suppressing increase of manufacturing costs.例文帳に追加
より小型かつより簡素な構成を備え、かつ製造コストの増大を抑制することが可能な、非接触通信機能を備えたメモリカード用ソケットを得る。 - 特許庁
To prevent a dielectric breakdown in a CB/CV continuous contact structure disposed between select gates of a NAND type flash memory.例文帳に追加
本発明は、NAND型のフラッシュメモリのセレクトゲート間に配置されるCB/CV連続コンタクト構造において、絶縁破壊を防止できるようにする。 - 特許庁
To provide a structure of a storage device which can operate memory elements utilizing silicide reaction without changing a voltage value, and its driving method.例文帳に追加
電圧値を変えることなく、シリサイド反応を利用したメモリ素子を動作させることを可能とする記憶装置の構成及びその駆動方法を提案する。 - 特許庁
A PDF-to-PS (postscript) conversion module generates and stores in a common data structure in a shared memory a request for security data (SD) for the PDF print data.例文帳に追加
PDF−PS(ポストスクリプト)変換モジュールは、PDF印刷データ用のセキュリティデータ(SD)のリクエストを生成し、そのリクエストを共用メモリの共通データ構造に格納する。 - 特許庁
To provide a heat conductive intermediate structure suitable for utilization when radiating heat from one or a plurality of components mounted to memory modules or other devices.例文帳に追加
メモリモジュールまたは他のデバイスに搭載の1つまたは複数のコンポーネントから放熱する際の利用に適切な熱伝導性中間構体を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device having a data input/output structure for securing a layout margin by reducing the number of data input/output lines.例文帳に追加
本発明は、データ入出力ラインの数を減少させることで、レイアウトマージンを確保できるデータ入出力の構造を持つ半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a nonvolatile semiconductor storage device that prevents occurrence of a short circuit among a plurality of columnar memory cells having a laminate structure.例文帳に追加
積層構造を有する柱状の複数のメモリセル間のショート発生を防止した不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a nonvolatile semiconductor memory device of a package-machined three-dimensional multilayer structure improved in the erasure operation property, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加
消去動作特性を向上した一括加工型3次元積層メモリ構成の不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To achieve a highly integrated configuration without reducing the reliability as for a semiconductor device which has a MONOS nonvolatile memory cell of a spilt gate structure.例文帳に追加
スプリットゲート構造のMONOS型不揮発性メモリセルを有する半導体装置において、信頼度を低減することなく高集積化を実現する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a nonvolatile semiconductor memory with a laminated gate structure capable of achieving a stable quality and a high yield.例文帳に追加
安定した品質および高歩留りを達成することができる積層ゲート構造を有する不揮発性半導体メモリの製造方法を提供する。 - 特許庁
A humidity sensor is constituted of a structure equipped with a plurality of memory cells 4 wherein an nMOS transistor 2 and a capacity 3 formed by using a trench 11 are used as a pair.例文帳に追加
nMOSトランジスタ2とトレンチ11を用いて形成した容量3とを組とする複数のメモリセル4を備えた構造で湿度センサを構成する。 - 特許庁
To provide a large-scale data handling apparatus for treating a large-scale data cannot be fit into a main memory by a simple and inexpensive structure.例文帳に追加
メインメモリに入りきらないような大規模データを、簡単で且つ安価な仕組みで取り扱うことができる大規模データ取扱装置を提供する。 - 特許庁
Cannot allocate sufficient memory to allocate a task structure for the child, or to copy those parts of the caller's context that need to be copied. 例文帳に追加
子プロセスのために確保すべきタスク構造体や、呼び出し元のコンテキストの一部をコピーするのに必要なメモリを十分に割り当てることができない。 - JM
This write conductor layout structure for a magnetic memory cell contains a data storage layer having a first width in a first direction and a second width in a second direction.例文帳に追加
磁気メモリセルのための書込導体レイアウト構造は第1の方向の第1の幅と第2の方向の第2の幅とを有するデータ記憶層を含む。 - 特許庁
MEDICAL IMAGE INFORMATION PROCESSOR, MEDICAL IMAGE INFORMATION PROCESSING SYSTEM, DATA STRUCTURE, MEDICAL IMAGE INFORMATION PROCESSING PROGRAM, DATA MEMORY PROGRAM AND MEDICAL IMAGE INFORMATION PROCESSING METHOD例文帳に追加
医用画像情報処理装置、医用画像情報処理システム、データ構造、医用画像情報処理プログラム、データ記憶プログラム及び医用画像情報処理方法 - 特許庁
To provide an electronic device having a loading lid structure which is not closed even when a memory card is inserted in a card slot inclinedly.例文帳に追加
カードスロットにメモリーカードが傾いた状態で装填されている場合でも閉まらないようにした装填蓋構造を有する電子機器を提供する。 - 特許庁
When a plurality of image processing modules 28 are arranged as pipeline structure, a shared memory module 36 is arranged between two image processing modules 28.例文帳に追加
複数の画像処理モジュール28がパイプライン構造に配設されている場合に、2つの画像処理モジュール28の間に共有メモリモジュール36を配設した。 - 特許庁
To provide a memory and/or data processing device having at least two stacked layers that are supported by a substrate or forming a sandwiched self-supporting structure.例文帳に追加
基板により支持され、又はサンドイッチ自己支持構造を形成した少なくともスタックされた2層を有するメモリ及び/又はデータ処理装置の提供である。 - 特許庁
To provide a semiconductor device having the stacked memory cell structure which can prevent the generation of the contact faultiness caused by a heat treatment performed under an oxygen atmosphere.例文帳に追加
酸素雰囲気下での熱処理に起因したコンタクト不良の発生を防止可能なスタック型メモリセル構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁
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| この対訳コーパスは独立行政法人情報通信研究機構の研究成果であり、Creative Commons Attribution-Share Alike 3.0 Unportedでライセンスされています。 |
| Copyright (c) 2001 Robert Kiesling. Copyright (c) 2002, 2003 David Merrill. The contents of this document are licensed under the GNU Free Documentation License. Copyright (C) 1999 JM Project All rights reserved. |
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