「memory structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a multi-port memory device that can prevent degradation of a global data drive efficiency caused by an unnecessary charging source in a global data bus transmitting/receiving structure of a current sensor system.例文帳に追加

電流センサ方式のグローバルデータバス送受信構造における不要な充電ソースによる駆動効率の低下現象を防止できるマルチ−ポートメモリ素子を提供する。 - 特許庁

This circuit has a means which performs the storage into a specified memory without recourse to the structure of pictures, when integrating the pictures obtained from an MPEG2 stream in units of macroblocks.例文帳に追加

ＭＰＥＧ２ストリームから得られるピクチャをマクロブロック単位で集積する際に、ピクチャの構造の如何によらず、所定のメモリへの格納を行う手段を有する。 - 特許庁

An initialization processing unit 32 initializes a memory 31 and sets a run data structure for storing encoded information of runs and a maximum value of runs capable of storing the encoded information.例文帳に追加

初期化処理部３２は、メモリ３１を初期化し、各ランの符号化情報を格納するためのランデータ構造と、符号化情報を格納可能なランの最大値とを設定する。 - 特許庁

The signal line running in each of sense amplifier zones placed so to extend in a lateral direction in a memory array part(MA) comprises a hierarchic structure composed of an upper interconnection layer and a lower interconnection layer.例文帳に追加

メモリアレイ部（ＭＡ）において行方向に延在して配置されるセンスアンプ帯内を走る信号線を上層配線層と下層配線層の階層構造とする。 - 特許庁

To provide a reliable nonvolatile semiconductor memory device of a three-dimensional layered structure for suppressing back-tunneling during erasure, thereby improving erasure characteristics.例文帳に追加

消去動作時のバックトンネリングを抑制し、これにより消去特性を向上し、信頼性が高い３次元積層構造の不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A plurality of focal point images synthesizing part 221 generates synthetic tomographic image based on the tomographic structure information of each of the plurality of different focal positions stored in a memory 231.例文帳に追加

複数焦点画像合成部２２１は、メモリ２３１に格納された異なる複数の焦点位置毎の断層構造情報に基づいた合成断層画像を生成する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a memory cell MC including a capacitor Cs and a select transistor Q0 with a floating body structure 24.例文帳に追加

本発明の半導体装置において、キャパシタＣｓと選択トランジスタＱ０とを含むメモリセルＭＣを備え、この選択トランジスタＱ０はフローティングボディ２４を有している。 - 特許庁

To provide a semiconductor package capable of supporting an overhanging portion of a semiconductor chip in a laminated semiconductor package structure, and an electronic device and a memory storage apparatus using the semiconductor package.例文帳に追加

積層半導体パッケージで半導体チップのオーバーハングを支持することができる半導体パッケージ並びにこれを用いた電子装置及びメモリ保存装置を提供する。 - 特許庁

To provide a data processing apparatus by which a data structure corresponding to an associative array can be easily implemented in a memory for programming by a programming language which cannot handle the associative array.例文帳に追加

連想配列を扱えないプログラミング言語でのプログラミングで、連想配列に相当するデータ構造をメモリに容易に実装可能なデータ処理装置を提供する。 - 特許庁

A structure analysis part 203 develops input DTD data 11 read from a storage device A10 by a DTD input part 202 onto a memory as a DTD object.例文帳に追加

構造解析部２０３は、ＤＴＤ入力部２０２が記憶装置Ａ１０から読み込んだ入力ＤＴＤデータ１１を、ＤＴＤオブジェクトとしてメモリ上に展開する。 - 特許庁

PHASE-CHANGE LAYER WITH DIFFERENT CRYSTALLINE LATTICE STRUCTURE IN ONE LAYER AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND PHASE-CHANGE MEMORY ELEMENT WITH TITANIUM-DIFFUSION PREVENTING MEANS AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

１層で異なる結晶格子構造を有する相変化層及びその形成方法、並びにＴｉ拡散防止手段を備える相変化メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

To provide a new dielectric thin film which can realize a highly stable dielectric/semiconductor structure, to provide a new ferroelectric memory, and to provide a new integrated circuit.例文帳に追加

高安定な誘電体／半導体構造を実現することのできる新しい誘電体薄膜、ならびに新しい強誘電体メモリおよび集積回路を提供する。 - 特許庁

The data memory control unit receives a write instruction containing data and has a write cache having successive logs and an index structure showing the storage positions of data in the successive logs.例文帳に追加

データ記憶制御装置はデータを含む書き込み命令を受信し、順次ログを持つ書き込みキャッシュと、順次ログ内のデータの記憶位置を示すインデックス構造とを有する。 - 特許庁

To normally execute access to a memory with specified bit width by sharing a control line even in the case of a data bus with bit width equal to or less than the specified bit width by simple structure.例文帳に追加

簡単な構成で所定のビット幅以下のデータバスであっても制御ラインを共有して所定のビット幅のメモリに対するアクセスを正常に実行させることである。 - 特許庁

Since magnetization of the ferromagnetic layers 18, 22 forming the SAF structure is roughly zero generally, magnetization of a memory layer RL is decided on magnetization of the ferromagnetic layer 14.例文帳に追加

ＳＡＦ構造を形成する強磁性層１８および２２は、全体として磁化がほぼゼロとなるので、記録層ＲＬの磁化は、強磁性層１４の磁化により決定される。 - 特許庁

To provide a structure of a temperature-sensitive element which adjusts and heats current supplied to a shape memory alloy spring itself to enable temperature control and a method for manufacturing the element.例文帳に追加

形状記憶合金ばね自体に通じる電流を調整して加熱し、温度制御を可能ならしめる感温素子の構成およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A memory circuit includes a control input part, a switch, and a voltage transfer structure having a linear capacitor for electrically coupling the control input part with the switch.例文帳に追加

本発明は、制御入力部と、スイッチと、制御入力部をスイッチに電気的に結合する線形コンデンサを有する電圧転送構造とを備えたメモリ回路を提供する。 - 特許庁

To reduce reflection and distortion of signals transferred, by eliminating its T-shape stab structure in wiring for a plurality of memory modules to be inserted into a socket on a main board.例文帳に追加

メインボード上のソケットに挿入される複数のメモリモジュールのための配線について、そのＴ型スタッブ構造をなくして、伝搬される信号の反射や歪みを低減する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device having a hierarchical bit line structure and a data route which realize low power consumption, high-speed operation, and high integration.例文帳に追加

低電力消耗、高速動作及び高集積化を具現できる階層的ビットライン構造及びデータ経路を有する半導体メモリ装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide an information processor capable of efficiently utilizing an on-chip memory which is accessible at high speed by a simple hardware structure and does not need special software processing.例文帳に追加

簡易なハードウェア構成で、かつ特別なソフトウェア処理を必要とせず、高速アクセス可能なオンチップメモリを効率的に利用できる情報処理装置を提供する。 - 特許庁

To make it easier to correctly evaluate the thickness of a capacitive insulating film in a semiconductor device on which a memory device comprising a capacitor having electrodes of cylindrical structure is mounted.例文帳に追加

円筒型構造の電極を有するキャパシタからなるメモリ素子を搭載する半導体装置において、容量絶縁膜の膜厚の正確な評価を容易にする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device of a new structure, which can hold a memory content even in a state where power is not supplied and has no limit in the number of write times.例文帳に追加

電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置の提供。 - 特許庁

Furthermore, because only addition of the antenna block B to the socket body A of a structure similar to a conventional socket for a memory card suffices, the socket can be downsized while suppressing increase in cost.例文帳に追加

しかも、従来のメモリカード用ソケットとほぼ同じ構造のソケット本体ＡにアンテナブロックＢを追加するだけで済むから、コストの増大を抑えつつ小型化が図れる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a novel structure whose number of writings is not limited and which can hold the memory content even under a state where power is not supplied.例文帳に追加

電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide cell block structure for a non-volatile ferroelectric memory that a load of a bit line can be reduced and a sense amplifier block can be easily arranged.例文帳に追加

本発明はビットラインの負荷を減少させることができ、かつセンスアンプブロックを容易に配置できるようにした不揮発性強誘電体メモリのセルブロック構造を提供する。 - 特許庁

To provide a maximum value memory sensor having a simple and small-sized shape and durability, and requiring always no power supply, for measuring the maximum value of deformation or distortion of a structure or the like.例文帳に追加

簡単、小型で耐久性があり、常時電力供給を必要としない構築物等の変形、歪みの最大値を測定する最大値記憶センサを得る。 - 特許庁

To provide a data structure, which makes the management of a memory easy and enables a computer to process a program at a high speed, a final data-processing program, and an information storage medium therefor.例文帳に追加

メモリの管理を容易にし、コンピュータがプログラムを高速に処理することができるデータ構造、ファイルデータ処理プログラム、情報記憶媒体を提供することにある。 - 特許庁

In a case when the extracted object is a road structure (YES of S19), an parallax offset value to the object is calculated (S21), and stored in a memory (S22).例文帳に追加

抽出した対象物が道路構造物であった場合（Ｓ１９のＹＥＳ）、この対象物に対する視差オフセット値を算出し（Ｓ２１）、メモリに記憶する（Ｓ２２）。 - 特許庁

This semiconductor memory device is mounted in a non-ODIC(outer DQ inner control) type package having a pin arrangement structure wherein data input/output pins are converged on one side.例文帳に追加

半導体メモリ装置は、データ入／出力ピンが一方側に集中的に配列されるピン構造を有する非ＯＤＩＣタイプのパッケージによって実装される。 - 特許庁

To suppress dispersion on the structure of a memory element and on its characteristics by shortening the incubation time in the formation of a charge storage film which preventing the deterioration in the characteristics of the element.例文帳に追加

メモリ素子特性の低下を防止しながら電荷蓄積膜形成時のインキュベーション時間を低減して、素子の構造上および特性上のバラツキを抑制する。 - 特許庁

To provide a housing part structure and an electronic device using it for preventing losing of a small recording medium which uses a semiconductor memory while management of it is easy.例文帳に追加

半導体メモリを使用した小型記録媒体の紛失を防止するとともに管理の容易化を図る格納部構造及びこれを用いた電子機器を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic substance storage device which comprises a structure capable of supplying a data write current stably and effectively without causing an increase in size of a memory cell.例文帳に追加

メモリセルサイズの増加を招くことなく、安定的かつ効率的にデータ書込電流を供給可能な構成を備えた薄膜磁性体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a non-volatile memory which occupies almost the same area as those of conventional DRAM cells and is realized by a relatively simple structure, and to provide a manufacturing process.例文帳に追加

従来のＤＲＡＭセルとほぼ同程度の占有面積で、かつ、比較的簡単な構造及び製造工程により実現することができる不揮発性メモリを提供すること。 - 特許庁

An upright phase change memory layer 140 is stacked on the upright electrode structure 135 with a contact area 145, wherein the contact area 145 serves as a phase transition location.例文帳に追加

直立相変化メモリ層１４０が直立電極構造１３５に重畳されて接触領域１４５で接触し、接触領域１４５は相転移位置になる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of achieving high density and high function by ensuring a correct process margin between a contact and a gate line in a cell array structure.例文帳に追加

セルアレイ構造においてコンタクトとゲートラインの間の正確な工程マージンが確保されることで高密度及び高機能の具現が可能な半導体メモリー素子を提供する。 - 特許庁

Since such a simple structure that the shape memory alloy 21 is attached in the relaxed state is adopted, the information transmitter to the living body can be easily manufactured.例文帳に追加

また、形状記憶合金２１を弛緩した状態で取付けるという簡単な構造であるので、生体への情報伝達装置を容易に製造することができる。 - 特許庁

An image processing apparatus 100 stores beforehand in a memory 113 menu definition information defining a menu page representing a hierarchical structure of the functions of a Web application.例文帳に追加

画像処理装置１００は、ＷＥＢアプリケーションの機能の階層構造を表すメニューページを定義したメニュー定義情報を記憶部１１３に予め記憶している。 - 特許庁

To provide a nonvolatile magnetic memory device having such constitution and structure that the easy axis of magnetization in a perpendicular magnetization type recording layer is oriented in a perpendicular direction more reliably.例文帳に追加

垂直磁化型の記録層における磁化容易軸をより確実に垂直方向に向かせ得る構成、構造を有する不揮発性磁気メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a novel structure, which can hold memory contents even under a state where a power is not supplied and has no limitation in the number of writing times.例文帳に追加

電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供する。 - 特許庁

The created drawing data is stored in an image memory 15 and, by using this image data, a road map with the structure three-dimensionally drawn thereon is displayed on a display monitor 16.例文帳に追加

作成した描画データを画像メモリ１５に格納し、この画像データを使用して構造物が立体的に描かれた道路地図を表示モニタ１６に表示する。 - 特許庁

To provide a memory interface circuit device, capable of speeding up processing of CPU through a simple structure even if the reading speed of ROM is low.例文帳に追加

ＲＯＭの読み出し速度が遅い場合でも、簡単な構成によってＣＰＵの処理速度を高速化することができるメモリインターフェイス回路装置を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device of a stuck type memory cell structure which can be micronized while keeping the insulation breakdown voltage of an inter-gate insulation film, and to provide a manufacturing method of the same.例文帳に追加

ゲート間絶縁膜の絶縁耐圧を維持しつつ、微細化が可能なスタック型メモリセル構造の不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To control the grain size of a first layer of a PGO film, usable for memory cells of 1T type FeRAMs for optimizing the quality of the formed film by forming the PGO film as a double-layer structure.例文帳に追加

１Ｔ型ＦｅＲＡＭのメモリセルに有用なＰＧＯ膜を２層構造にすることにより１層目の粒径を制御し、成膜後の膜質の最適化を図ること。 - 特許庁

These bytes are stored in each possible memory structure in the prescribed manner, and a prescribed address is used to retrieve different bytes on a same part of data buses.例文帳に追加

これらのバイトは、可能性のあるメモリ構造の各々の中に所定の方法で格納されており、所定のアドレスがデータ・バスの同じ部分の上で異なるバイトを検索する。 - 特許庁

The first control signal P2N is activated when the synchronous semiconductor memory device is operated as pre-fetch structure, the second control signal PWR is activated in the wrote-in cycle.例文帳に追加

第１制御信号P2Nは同期式半導体メモリ装置がプレフェッチ構造として動作する際にアクティブされ、第２制御信号PWRは書込サイクルでアクティブされる。 - 特許庁