「memory structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for forming a silicon oxide/silicon nitride/silicon oxide(ONO) structure, whose working time is shortened and heat load is reduced, on a substrate having a memory region and a logical device region.例文帳に追加

メモリ領域及び論理デバイス領域を備える基板上に加工時間を短縮し、熱負荷を減少した酸化ケイ素／窒化ケイ素／酸化ケイ素（「ＯＮＯ」）構造の形成方法を提供する。 - 特許庁

To realize high definition and lower power consumption in a liquid crystal display, which is provided with a structure for switching, between driving by digital memory and driving by an ordinary TFT system.例文帳に追加

デジタルメモリによる駆動と通常のＴＦＴ方式の駆動を切り替える構造を備えた液晶表示装置において、高精細化と更なる低消費電力化を実現する。 - 特許庁

To provide a wiring structure which assures planarity on a front surface even if an air gap occurs in a vertical connection layer of high aspect ratio, and also to provide a memory element and its fabrication method.例文帳に追加

アスペクト比の高い縦接続層において空隙が発生しても、表面での平坦性を確保することができる配線構造、記憶素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To apply a write-in mechanism which hardly makes a drain current flow like an FN(Flower Nordheim) tunnel phenomenon to a nonvolatile semiconductor memory device having main-sub-bit line structure.例文帳に追加

主−副ビット線構造を有する不揮発性半導体記憶装置に、ＦＮトンネル現象のようにドレイン電流をほとんど流さない書き込みメカニズムを適用できるようにする。 - 特許庁

To provide a memory element which can prevent an occurrence of an error at the time of repeated usage by using a different input/output line in read/write operation and altering structure of an input/output multiplexer.例文帳に追加

読み出し/書き込み動作時に異なる入出力ラインを使用し、入出力マルチプレクサの構造を変更してリピータ使用時のエラーの発生を防止できるメモリ素子を提供すること。 - 特許庁

To minimize trap phenomenon, in which charges are confined in an insulating layer on an element isolation structure, and prevent interference between bit lines, in the method for manufacturing flash memory device.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子の製造方法において、素子分離構造上の誘電体層に電荷が閉じ込められるトラップ現象を最小限に抑えてビット線間の干渉を防ぐようにする。 - 特許庁

By allocating the function with a high execution frequency to the internal memory, of the plurality of functions having the hierarchy structure, it is possible to execute the program at high speed, which may improve the performance of the system.例文帳に追加

階層構造を有する複数の関数のうち実行頻度の高い関数を内部メモリに割り当てることで、プログラムを高速に実行でき、システムの性能を向上できる。 - 特許庁

To provide combination of cheap structure by making it possible to assemble a switch device for a general power seat on a device equipped with a control means (for example, memory controller unit).例文帳に追加

制御手段（例えば、メモリコントローラユニット）を装備しているものに、一般的なパワーシート用スイッチ装置を組付け可能とすることにより、安価な構造の組み合わせを提供できるようにする。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device having a stack gate structure comprising a floating gate electrode and a control gate electrode that are laminated, which is improved in tunnel insulating film and inter-electrode insulating film.例文帳に追加

フローティングゲート電極とコントロールゲート電極を積層したスタックゲート構成において、トンネル絶縁膜と電極間絶縁膜を改良した不揮発性半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

Insulative side walls are formed on both sides of a gate structure of a field effect transistor for peripheral circuits, while the mask 43 blocks the etching gas from contacting with the memory cells.例文帳に追加

こうして、前記エッチング・ガスがメモリセル部に接触するのをマスク４３で防止しながら、周辺回路用電界効果トランジスタのゲート構造の両側に絶縁性サイドウォールを形成する。 - 特許庁

To provide the composition and the structure of a PCMO thin film, and a method of forming a PCMO having a resistance memory property corresponding to a controllable deposition attribute like a crystal orientation.例文帳に追加

ＰＣＭＯ薄膜の組成、構造、及び、結晶方位のように制御可能な堆積属性に応じた抵抗メモリ特性を有するＰＣＭＯを形成するための形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an actuator operating a drive body in response to extension/contraction of a wire formed of a shape memory alloy, having a simple structure, and capable of reducing cost.例文帳に追加

形状記憶合金からなるワイヤの伸縮に応じて駆動体を動作させるアクチュエータであって、簡易な構成を有し、低コスト化を図ることができるアクチュエータを提供すること。 - 特許庁

To provide an inexpensive semiconductor device using a packaging substrate in a double-layer structure assuring the stabilization and low signal noise of a power supply system for mounting a memory device and a data processing device.例文帳に追加

メモリデバイスとデータ処理デバイスを搭載するのに電源系の安定化と低信号ノイズを保証した２層構造の実装基板を用いた低コストな半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an electrode structure applicable to a phase change memory for decreasing an operating power and an operating current, and decreasing a contact area between an electrode and a phase change layer.例文帳に追加

動作電力および動作電流を低減するために、電極と相変化層との間の接触面積を低減するため、相変化メモリに適用可能な電極構造の提供。 - 特許庁

To provide a voice distribution service communication method and system wherein a voice distribution service in-station apparatus eliminates the need for memory and devices attached thereto and realizes a simple structure.例文帳に追加

音声配信サービス局内装置において、メモリやそれに付帯する装置を不要とし、簡易な構造を実現可能な音声配信サービス通信方法及びシステムを提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an integrated circuit device, in particular, an integrated memory device including a fine wire structure capable of pushing past the limits of lithographic technology.例文帳に追加

本発明の目的は、リソグラフィー技術の限界を破ることのできる、微細な細線構造を備えた集積回路装置、特に集積記憶装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a memory cell structure simultaneously improving both the high electric-field leakage current characteristics and the low electric-field leakage current characteristics of a block insulating film and having excellent writing/erasing and retention characteristics.例文帳に追加

ブロック絶縁膜の高電界リーク電流特性と低電界リーク電流特性の双方を同時に改善し、書き込み・消去及びリテンション特性の優れたメモリセル構造を提供する。 - 特許庁

A cleaning member 28 is arranged not on a dust preventing cover 12 but on the read/write terminal 26 so that the internal structure of the memory card read/write device 16 can be simplified and miniaturized.例文帳に追加

防塵用蓋１２上ではなく読み書き用端子２６上に清掃部材２８を設けることで、メモリーカード読み書き装置１６の内部構造を簡単にして小型化を図れる。 - 特許庁

A remote monitoring center 70 includes a center memory 73 for storing screen structure data 74 which are output to be displayed together with the state data 36 relating to the adapter 30.例文帳に追加

遠隔監視センタ７０は、アダプタ３０に関する状態データ３６と共に表示出力するための画面構成データ７４が格納されているセンタメモリ７３を有している。 - 特許庁

To provide a ferroelectric capacitor which allows a special antioxidation layer to be not required, to be thin in thickness of an element, and to be simple in its structure, and also provide its manufacturing method, and a ferroelectric memory element.例文帳に追加

別途の酸化防止層を必要とせず、素子の厚さを薄くでき、かつ、その構造が簡単な強誘電体キャパシタ、その製造方法および強誘電体メモリ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a flexible setting method for a shared counter by sharing a counter with a tree structure between a plurality of security modules while suppressing the amount of secure memory usage.例文帳に追加

複数のセキュリティモジュール間で、セキュアモリの使用量を抑えつつ、ツリー構造のカウンタを共有することで、柔軟な共有カウンタの設定方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

IMAGE READER, CONTROLLING METHOD THEREFOR, MEMORY MEDIUM WITH STORED CONTROL PROCEDURE THEREFOR AND DATA STRUCTURE FOR CODING AND TRANSMITTING COMPUTER PROGRAM SIGNALS例文帳に追加

画像読取装置、画像読取装置に対する制御方法、画像読取装置に対する制御手順を記憶した記憶媒体、及びコンピュータプログラム信号を符号化して伝送するためのデータ構造 - 特許庁

The Fe-based ferromagnetic shape memory alloy has a composition containing, by atom, 22 to 40% Mn and 25 to 35% Ga, and the balance Fe with inevitable impurities, and has a parent phase of a bcc structure.例文帳に追加

22〜40原子％のMnと、25〜35原子％のGaとを含有し、残部がFe及び不可避的不純物からなり、母相がbcc構造であることを特徴とするFe基強磁性形状記憶合金。 - 特許庁

To provide a heat dissipation structure of a video camera for efficiently dissipating heat generated from a heat-generating electronic part mounted on a circuit board of a camera adapter having a memory card type recording unit.例文帳に追加

メモリカード式の記録部を有するカメラアダプタの回路基板に実装された発熱を伴う電子部品からの熱を効率良く放熱させるためのビデオカメラの放熱構造を提供する。 - 特許庁

To provide a three-dimensional dielectric memory excellent in characteristics with a high yield by stably forming a contact structure for extracting the potential of an upper electrode into a conductive layer on a substrate.例文帳に追加

上部電極の電位を基板上の導電層に引き出すためのコンタクト構造を安定して形成し、特性の優れた立体型の強誘電体メモリ装置を高歩留で提供する。 - 特許庁

This shape memory bistable actuator is movably installed on a fixed support structure 2, and comprises an element 3 having a middle position called a dead point and two end positions.例文帳に追加

形状記憶の双安定アクチュエータは、固定された支持構造体2に移動可能に取り付けられて、死点という中間位置と二つの端部位置を有している要素3を含んでいる。 - 特許庁

To provide a variable resistance element having a simple structure, requiring no forming process and exhibiting bipolar type I-V characteristics by using a titanium oxide, and a resistance variable non-volatile memory element.例文帳に追加

チタン酸化物を用い、構造が単純でフォーミング過程を必要とせず、バイポーラ型のＩ−Ｖ特性を示す可変抵抗素子および抵抗変化型の不揮発性メモリ素子を提供する。 - 特許庁

In an Fe-Mn-Si series shape memory alloy containing at least Fe, Mn and Si as the compositional main components, niobium carbides are included in the structure.例文帳に追加

組成主成分として少くともＦｅ，ＭｎおよびＳｉを含有するＦｅ−Ｍｎ−Ｓｉ系形状記憶合金において、その組織にニオブ炭化物が含まれていることとする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device having a metal contact structure wherein a sufficient space is assured for providing a metal contact stud, for improved manufacturing process and production yield.例文帳に追加

メタルコンタクトスタッドを配設することに十分な空間を確保することができて、製造工程が改善され、製造歩留まりが高い、メタルコンタクト構造を有した半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To obtain an efficient system structure by enabling the acquisition of client information without requiring any special signal for configuration and enabling the assignment of a memory map suitable to the system.例文帳に追加

コンフィグレーションするための特別な信号を必要としないでクライアント情報を取得できるようにするとともに、システムにあったメモリマップ割り当てを可能とし、効率の良いシステム構成を得る - 特許庁

To provide a light switch having a simple structure and high positional accuracy and light output efficiency capable of switching output positions, a light source apparatus and a holographic memory apparatus using the light source apparatus.例文帳に追加

簡単な構成で、位置精度及び光取り出し効率の高い射出位置切り換えが可能な光スイッチ及び光源装置及びこれを用いたホログラフィックメモリ装置を提供する。 - 特許庁

To make feasible connecting a source region more reliably in a non- volatile semiconductor memory adopting an STI(shallow trench isolation) structure in the interelement isolation.例文帳に追加

本発明は、素子間分離にＳＴＩ構造を採用する不揮発性半導体記憶装置において、ソース領域をより確実に接続できるようにすることを最も主要な特徴とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which can prevent the short circuit phenomenon of a bonding wire and can be packed in a single package despite its bit structure and a package form.例文帳に追加

ボンディングワイヤの短絡現象を防止することができ、ビット構造及びパッケージ形態に係わらず一つのパッケージを利用してパックされることができる半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a camera lens achieving miniaturization and compaction, the reduction of weight and the simplification of structure by positioning a lens by the use of an energizing heating type shape memory alloy.例文帳に追加

本発明は通電加熱タイプの形状記憶合金を用いてレンズの位置決めをできるようにして、小型コンパクト化、軽量化、構造の簡素化を図ることができるカメラレンズを得るにある。 - 特許庁

On the other hand, the release of the allocation of the storage blocks is performed by allocating the allocation states on the disk to the block and changing at least a piece of data structure in the main memory.例文帳に追加

一方、記憶ブロックの割当て解除は、そのブロックに対してディスク上の割当て状況を割当て、主メモリ内の少なくとも１つのデータ構造を変更することにより行われる。 - 特許庁

The semiconductor memory device has the data input/output structure which has multiples of nine bits and includes mats arranged in a matrix configuration of three columns and three rows.例文帳に追加

本発明の好適な実施の形態に係るによる半導体メモリ装置は９の倍数になるデータ入出力構造を有し、３行×３列のマトリックス形態で配列されたマットを含む。 - 特許庁

Moreover, as a method for providing the IC memory chip and the antenna coil, such a structure that these are provided in one label sheet and the label sheet is attached on the cover layer of the disk may be adopted.例文帳に追加

また、ＩＣメモリチップとアンテナコイルを設ける方法としては、これらを１枚のラベル内に設け、このラベルをディスクのカバー層上に貼り付けるような構造を採用してもよい。 - 特許庁

The memory device has a structure of a field effect transistor wherein a semiconductor layer 1, first charge barrier layer 2, charge accumulation layer 3, second charge barrier layer 4, and gate electrode 4 are stacked in this order.例文帳に追加

半導体層１、第１の電荷障壁層２、電荷蓄積層３、第２の電荷障壁層４、および、ゲート電極４を順次積層した電界効果トランジスタ構造とする。 - 特許庁

To prevent the breakage of a wire formed of a shape memory alloy by vibration or impact, to simplify the structure and to reduce the size and weight.例文帳に追加

形状記憶合金からなるワイヤの振動、衝撃による破断を防止でき、また、構造が簡単で、小型化及び軽量化が図れる駆動装置およびからくり装置を提供する。 - 特許庁

To prevent the resistance of source wiring and gate wiring from being increased, related to a method for manufacturing a semiconductor storage device such as a flash memory using a self-align source structure.例文帳に追加

セルフアラインソース構造を用いたフラッシュメモリ等の半導体記憶装置の製造方法において、ソース配線及びゲート配線の高抵抗化を防止した製造方法を提供する。 - 特許庁

This structure is provided with a plurality of arrangements (arrangement A, B) of memory cells, a bus for input signals to be tested (line for analog signal) connected in parallel to each of the plurality of fetch cells.例文帳に追加

メモリ・セルの複数の配列（配列Ａ、Ｂ）と；複数の取り込みセル１０の各々に並列接続された被試験入力信号用バス（アナログ信号用ライン）とを具えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a novel structure whose number of writings is not limited and which can hold the memory content even under a state where power is not supplied.例文帳に追加

電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element which can avoid an occurrence of a damage in an information storage layer and an occurrence of film peeling in an element structure, and further simplify a manufacturing process.例文帳に追加

情報記憶層への損傷の発生、素子構造における膜剥がれの発生を回避することができ、しかも、製造工程を簡素化し得る不揮発性メモリ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a DRAM device which is equipped with a ground voltage feed line structure capable of minimizing noises caused by a load difference of a ground voltage feed line so as to reduce the leakage current of a memory cell.例文帳に追加

メモリセルの漏洩電流を減らすために接地電圧供給ラインの負荷の差によるノイズを最小化できる、接地電圧供給ライン構造を有するＤＲＡＭ装置を提供する。 - 特許庁

The insulative layer 2 prevents reaction between the shape memory superelastic base material 1 and the metallic base layer 3, while the die protective layer 4 prevents the four-layered structure 5 from burning in a metallic die.例文帳に追加

絶縁層２は形状記憶／超弾性素材１と金属ベース層３との反応を防止し、また金型保護層４は四層構造体５が金型内に焼付くのを防止している。 - 特許庁