「memory structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a camera lens achieving miniaturization, compaction, the reduction of weight and the simplification of structure by positioning a lens by the use of an energizing heating type shape memory alloy wire.例文帳に追加

本発明は通電加熱タイプの形状記憶合金ワイヤを用いてレンズの位置決めをできるようにして、小型、コンパクト化、軽量化、構造の簡素化を図ることができるカメラレンズを得るにある。 - 特許庁

To provide a reproducing apparatus, a recording method and a reproducing method for a recording medium with a format structure by which a memory for storing a management table can be excluded from the reproducing apparatus.例文帳に追加

管理テーブルを格納するメモリを再生装置から排除することのできるフォーマット構造を有する記録媒体の再生装置、記録方法および再生方法を実現する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory device which has oxygen barrier properties and hydrogen barrier properties and simplifies the structure of a ferroelectric capacitor and is manufactured in an easy method, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

酸素バリア性と水素バリア性を有し、強誘電体キャパシタの構造が簡単で製造方法が容易な強誘電体メモリ装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a transistor type ferroelectric nonvolatile memory element, having an MFMIS(metal-ferroelectric-metal-insulator-semiconductor) structure, which can be integrated to high density.例文帳に追加

高密度に集積できるＭＦＭＩＳ（金属−強誘電体−金属−絶縁体−半導体）構造を有するトランジスタ型強誘電体不揮発性記憶素子を提供すること。 - 特許庁

To provide a receiver of digital audio broadcast/digital multimedia broadcast reducing loading of a controller by using DAB multiplex structure information and effectively using a memory by use of an SId table.例文帳に追加

ＤＡＢ多重構造情報を用いて制御部の負荷を軽減し、ＳＩｄテーブルを用いてメモリを効率よく使用するデジタル・オーディオ放送／デジタル・マルチメディア放送受信機を提供する。 - 特許庁

To provide a method for measuring a coupling coefficient of a semiconductor memory, which can measure directly a coupling coefficient of an actual cell without using special test structure such as a non-floating electrode.例文帳に追加

ノンフローティングゲート電極などの特別なテスト構造を用いることなく、実際のセルで直接カップリング係数を測定可能な半導体メモリのカップリング係数測定方法を提供する。 - 特許庁

To obtain high yield and high reliability of a contact portion for applying a potential to an upper electrode of a semiconductor memory device having a capacitance element with a three-dimensional structure.例文帳に追加

立体構造を持つ容量素子を有する半導体記憶装置において、上部電極に電位を与えるコンタクト部に高い歩留まりと高い信頼性とを得られるようにする。 - 特許庁

To reduce EMI by properly using a spread spectrum clock signal with a simple structure in a semiconductor integrated circuit device with a central processing part, a memory and a peripheral circuit part.例文帳に追加

中央処理部、メモリおよび周辺回路部を有する半導体集積回路装置において、簡単な構成によりスペクトル拡散クロック信号を適正に用いて、ＥＭＩを低減する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory element having a column redundancy structure allowing to minimize a chip area increase even when a plurality of column selection lines are enabled for one column address.例文帳に追加

一つのコラムアドレスに対して複数のコラム選択ラインがイネーブルされる場合にも、チップ面積増大を最小化できるコラムリダンダンシー構造を有する半導体メモリ素子を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device containing a ferroelectric capacitor having such a structure as to prevent the diffusion of hydrogen into a ferroelectric film without needing an additional process.例文帳に追加

追加の工程を必要とすることなく強誘電体膜への水素拡散を防止することができる構造の強誘電体キャパシタを備える半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor storage element having a sectional structure having a polysilicon layer as a single layer contains mutually insulated and isolated memory cell section (a), data erasing section (b) and control gate section (c).例文帳に追加

単層のポリシリコン層を有する断面構造を有する不揮発性半導体記憶素子は、互いに絶縁分離されるメモリセル部ａ、データ消去部ｂ、及びコントロールゲート部ｃを含む。 - 特許庁

To provide a simulator for a heat exchanger capable of defining the connecting relationship between tubes and having a memory structure capable of easily storing a state parameter of the air or a refrigerant.例文帳に追加

チューブ間の接続関係を明確にするとともに空気又は冷媒の状態パラメータを簡単に記憶可能なメモリ構造を持った熱交換器のシミュレータを提供すること。 - 特許庁

The travelling possible space structure of a transfer robot 16 is described through the use of a quadripartite tree from the transfer start point of a work W to its transfer destination point and it is stored in a memory 26 as a map.例文帳に追加

ワークＷの移送開始点から移送目的点まで、四分木を用いて移送ロボット１６の移動可能な空間構造を記述し、それを地図としてメモリ２６に記憶する。 - 特許庁

To solve such a problem caused in the case of providing a connector for toner cartridge in which a memory is incorporated that the assembly is difficult because the layout of a circuit board is remarkably restricted in the case of being a connector housing of one-piece structure.例文帳に追加

メモリを組み込むトナーカートリッジ用コネクタを提供する場合、ワンピース構造のコネクタハウジングであると、回路基板のレイアウトが著しく制限され、組み立て難くなる。 - 特許庁

The gate G_MT of the memory transistor MT is formed with a MONOS structure on the second body region 106 so as to straddle the second body region 106 and the first impurity diffusion layer 104.例文帳に追加

第２ボディ領域１０６と第１不純物拡散層１０４に跨るように第２ボディ領域１０６上にメモリトランジスタMTのゲート部G_MTをＭＯＮＯＳ構造で形成する。 - 特許庁

According to the present invention having the above mentioned structure, the display device having the nonvolatile memory circuit to which data can be added without increasing the number of manufacturing steps can be provided.例文帳に追加

上記構成を有することにより、不揮発性であって、データの追記が可能で、作製工程が増加することがない記憶回路を有する表示装置を提供することができる。 - 特許庁

A memory cell 1 is a nonvolatile memory cell having a single-layer polysilicon structure, and is provided with a selection transistor T1 connected to a word line SWL, a cell transistor T2 connected to the selection transistor T1 in series, and a capacitor C1 connected to a gate of the cell transistor T2.例文帳に追加

メモリセル１は、単層ポリシリコン構造を有する不揮発性のメモリセルであり、ワード線ＳＷＬに接続された選択トランジスタＴ１と、該選択トランジスタＴ１に直列に接続されたセルトランジスタＴ２と、該セルトランジスタＴ２のゲートに接続されたキャパシタＣ１とを備える。 - 特許庁

To provide an optical recording medium having a structure by which a high density optical memory exceeding a diffraction limit can be realized while maintaining the convenience of a conventional optical memory and to provide an information recording and reproducing device recording or reproducing information to or from the optical recording medium.例文帳に追加

本発明は、従来の光メモリの利便性を保持しながら回折限界を越える高密度な光メモリを実現できる構造を有する光記録媒体、及び該光記録媒体に情報を記録又は再生する情報記録再生装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The internal memory 102 has a structure capable of the simultaneous access of read/write as well and when one piece of processing unit data is transferred to the internal memory 102, an arithmetic processing unit 103 executes arithmetic processing by reading the transferred processing unit data simultaneously with the next processing unit data transfer.例文帳に追加

内部メモリ１０２もリート／ライトの同時アクセス可能な構造とし、演算処理ユニット１０３は、その処理単位データの１つが内部メモリ１０２へ転送されてくると次の処理単位データ転送と同時に既に転送された処理単位データを読み出し演算処理を実行する。 - 特許庁

To provide a method for forming the dielectric layer of a semiconductor memory device, which enhances the electrical characteristics of the semiconductor memory device by densifying the film when a dielectric layer having a laminate structure of first, second and third insulating layers is formed.例文帳に追加

第１の絶縁膜、第２の絶縁膜及び第３の絶縁膜の積層構造を有する誘電体膜を形成するにあたり、膜質を緻密化させることにより、半導体メモリ素子の電気的特性を向上させることができる半導体メモリ素子の誘電体膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device, which is constituted so as to be capable of enhancing its yield and its reliability by a method, where an irregularity in an operating characteristic caused by an STI step in an STI- structure semiconductor memory device is prevented and the operating characteristic is made uniform, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ＳＴＩ構造半導体記憶装置におけるＳＴＩ段差に起因する動作特性のばらつきを防止して均一化を図り、歩留まり及び信頼性を向上させることが可能な構成の半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The transposition list whose length is a pointer level or less is written in a pointer area 301, and the transposition list whose length is relatively longer than that is stored in a consecutive memory area 302 acquired according to the length, and the transposition list whose length is a certain threshold or more is stored in a plurality of memory areas 303 connected by a list structure.例文帳に追加

ポインタ程度以下の長さの転置リストはポインタ領域301に書き込み、それよりもやや長い転置リストは長さに応じて獲得された連続メモリ領域302に格納し、ある閾値以上に長い転置リストはリスト構造で結合された複数のメモリ領域303に格納する。 - 特許庁

Bit wiring M1B which connects drain regions of the memory transistors of the memory cells arranged in the X direction is provided in the lowest layer of a wiring layer out of a laminated wiring structure formed on the semiconductor substrate so that the bit wiring M1B covers the entire floating gate electrode FG.例文帳に追加

そして、Ｘ方向に配列したメモリセルのメモリトランジスタのドレイン領域同士を接続するビット配線Ｍ１Ｂを、半導体基板上に形成された多層配線構造のうちの最下層の配線層に設け、このビット配線Ｍ１Ｂがフローティングゲート電極ＦＧ全体を覆うようにする。 - 特許庁

In an encryption circuit, memory control sections 8 and 9 that extract a plain text from a memory and block encryption core sections 4, 14 are placed in parallel and respective encryption texts are used to generate a key for a succeeding plain text in cross-connection structure so as to enhance processing capability of the encryption circuit.例文帳に追加

メモリーから平文を取り出すメモリー制御部８とメモリー制御部９と、ブロック暗号コア部４とブロック暗号コア部１４を並列に配置し、それぞれの暗号文を用いてたすき掛け構造で次の平文のための鍵の生成を行うことにより回路の処理能力を向上させる。 - 特許庁

To cope with a bit error by a host device by simple structure by applying, for example, a removable hard disk device, a memory card, etc., to record a video signal to video equipment, etc., on which the hard disk device and the memory card are mounted regarding an information reproducing device and an information processor.例文帳に追加

本発明は、情報再生装置及び情報処理装置に関し、例えばビデオ信号を記録するリムーバブルのハードディスク装置、メモリカード等と、これらを装着する映像機器等に適用して、簡易な構成によりホスト装置でビット誤りに対応することができるようにする。 - 特許庁

To provide a multi-port memory device capable of preventing an initial high data discrimination error at the time of initial operation in a global data bus transmitting/receiving structure of a current sensor system at the time of transmitting low data, and also to provide a multi-port memory device capable of transmitting a data faster.例文帳に追加

ローデータの送信時、問題を誘発せずに電流センサ方式のグローバルデータバス送受信構造における初期動作時、最初のハイデータ判別エラーを防止できるマルチ−ポートメモリ素子を提供し、また、より速いデータ送信が可能なマルチ−ポートメモリ素子を提供すること。 - 特許庁

To generate a very strong magnetic field by switching of memory elements, without being affected by the shape and size of memory elements, thereby satisfying the requirement of an MRAM structure, which enables to produce a small magnetic element having sufficient magnetic stability, to cope with the temperature fluctuations.例文帳に追加

メモリ素子のスイッチングがメモリ素子の形状およびサイズの影響を受けず、はるかに強い局所磁場を生成することができ、それによって、温度変動に対して十分な磁気安定性を有するより小さな磁気素子が可能になるＭＲＡＭ構成の要求を満たす。 - 特許庁

A reference picture controller FMCtr uses an analysis result of the picture reference structure to write a reference picture, having a high possibility of referring to a picture to be written the multi-frame memory FrmMem, as well as, to store the reference picture in the cache memory CacheMem.例文帳に追加

参照ピクチャ管理器ＦＭＣｔｒは、前記ピクチャの参照構造の解析結果を用いて、復号化対象ピクチャの参照可能性の高い参照ピクチャを前記マルチフレームメモリＦｒｍＭｅｍに書き出すと共に、前記キャッシュメモリＣａｃｈｅＭｅｍにも格納する。 - 特許庁

The process chart and assembling and disassembling chart creation system comprises a memory section 1 for storing shape information, structure information, and interference information, a control section 2 for creating the process chart and assembling and disassembling chart on the information memorized in the memory section 1, and a display section 3 for displaying the process chart and assembling and disassembling chart created by the control section 2.例文帳に追加

形状情報、構成情報、干渉情報を記憶する記憶部１と、記憶部１に記憶されている情報を基に工程図及び組立分解図を作成する制御部２と、制御部２で作成した工程図及び組立分解図を表示する表示部３とを備える。 - 特許庁

To provide a control unit for an automobile capable of reducing processing burden of transmission order adjustment when a plurality of kinds of messages having different transmission priority order by attribute are transmitted by serial-communication while making a memory structure of transmission quality factor to a simple structure.例文帳に追加

送信キューのメモリ構造を単純なものに留めつつ、属性により送信優先順位の異なる複数種のメッセージをシリアル通信により送信する際の、送信順位調整の処理負担も小さくできる自動車用制御ユニットを提供する。 - 特許庁

This magnetic memory element utilizing a current induction switching comprises: a magnetic resistance structure containing a lower electrode and a free layer disposed on the lower electrode in which the distance between two sides opposed to each other is changed; and an upper electrode disposed on the magnetic resistance structure.例文帳に追加

下部電極と、下部電極上に形成され、対向する２辺の間隔が変化する自由層を備える磁気抵抗構造体と、磁気抵抗構造体上に形成された上部電極と、を備える電流誘導スイッチングを利用した磁気メモリ素子。 - 特許庁

The semiconductor memory apparatus includes stack bank structure having at least two sub-banks continuously stacked without disconnection of data signal lines, and a control block arranged at one side of the stack bank structure to simultaneously control column-related signals of the sub-banks.例文帳に追加

本発明の半導体メモリ装置 は、データ信号ラインの断絶なしに連続的にスタックされた少なくとも二つのサブバンクからなるスタックバンク構造体、及びスタックバンク構造体の一側に配置され、サブバンクのコラム関連信号を同時に制御するコントロールブロックを含む。 - 特許庁

The nonvolatile memory integrated circuit device includes a semiconductor substrate, a source and a drain formed in the semiconductor substrate, a stepped recess channel formed between the source and the drain, a trap structure including a multitude of nano-crystals for storing electric charge laid out on a region of the stepped recess channel, and a gate on the trap structure.例文帳に追加

半導体基板、半導体基板内に形成されたソース／ドレーン、ソース／ドレーンの間に形成されたステップリセスチャネル、ステップリセスチャネル領域上の多数の電荷貯蔵ナノクリスタルを含むトラップ構造物及びトラップ構造物上のゲートを含む。 - 特許庁

The nonvolatile memory element includes: a substrate; a semiconductor structure including a first part and a second part vertically extending to face each other, and a bottom part for connecting the first part and the second part to each other on the substrate; and a plurality of memory cells separately arranged along the first and second parts of the semiconductor structure and connected in series to one another.例文帳に追加

本発明の不揮発性メモリ素子は、基板と、互いに対向するように垂直伸張する第１部及び第２部と、前記第１部及び第２部を連結する底部とを前記基板上に含む半導体構造物と、前記半導体構造物の前記第１部及び第２部に沿って離隔配置されて互いに直列に連結された複数のメモリセルと、を含む。 - 特許庁

Concerning this data retrieving device, by designating the address of a memory means for retrieval while using an associated memory address number outputted from an address number output part, a coupling destination element data stream corresponding to a coupling source element data stream is outputted from the relevant memory means for retrieval so that the element data streams coupled in the data structure can be serially outputted.例文帳に追加

データ検索装置であって、アドレス番号出力部から出力された連想メモリアドレス番号を用いて検索用メモリ手段をアドレス指定することによって、結合元要素データ列に対応する結合先要素データ列を、当該検索用メモリ手段から出力することで、連鎖的に、データ構造によって結合され要素データ列を出力するように構成する。 - 特許庁

A system image processing unit 16 divides image data of one page read by a CCD 17 into a plurality of blocks and compresses them, and a processor 12 secures a plurality memory areas in a system memory 15 for the compressed image data, and generates a memory management table 40 indicating head addresses and sizes thereof with the same data structure with a descriptor table that a DMA controller 24a refers to.例文帳に追加

システム画像処理部１６はＣＣＤ１７で読み取った１ページの画像データを複数ブロックに分割して圧縮し、プロセッサ１２は圧縮された画像データ用に複数のメモリ領域をシステムメモリ１５から確保しその先頭アドレスやサイズを示すメモリ管理テーブル４０をＤＭＡコントローラ２４ａが参照するディスクリプタテーブルと同一のデータ構造で作成する。 - 特許庁

To provide a device and a method capable of outputting the finite difference between two pieces of tree structure data so as to be recognizable in a data editing system which dynamically constructs tree structure data obtained by making plural unit data in which mutually hierarchical connection conditions are defined a node for a tree structure in a memory from the highest by a means such as menu inquiry.例文帳に追加

相互間の階層的な連結条件が定義された複数の単位データを木構造のノードとする木構造データを、メニュー問い合わせ等の手段により、メモリ内に最上位から動的に構築するデータ編集システムにおいて、２つの木構造データの差分を認識できるように出力可能とする装置及び方法の提供。 - 特許庁

First electrode plate of a memory cell is disposed on the circumferential edge at the lower surface part of an insular semiconductor structure in a substrate, a second electrode plate is disposed in the surface at the lower surface part of the insular semiconductor structure and in the surface of the substrate on the outside of the insular semiconductor structure, and a capacitor dielectric layer 112 is interposed between the second electrode plate and the first electrode plate.例文帳に追加

メモリセルの第一電極板は基板の島状半導体構造下面部分の周縁に設置され、第二電極板は島状半導体構造下面部分の表面内と島状半導体構造外側の基板表面内とに設置され、キャパシタ誘電層１１２は第二電極板と第一電極板との間に設置されている。 - 特許庁

Concretely, the phase change memory device contains a semiconductor structure, and the semiconductor structure includes a substrate where a first doped area is contained and a set of second doped areas are disposed at both ends thereof; the phase change material disposed on the first doped area; and a conductor disposed on the phase change material.例文帳に追加

具体的には、相変化メモリ装置は半導体構造を含み、半導体構造は、第１のドープ領域を含み１組の第２のドープ領域がその両側に配置された基板と、第１のドープ領域上に配置された相変化材料と、相変化材料上に配置された導体とを含む。 - 特許庁

To provide a recording medium which is characterized not in a structure of a near-field optical head but in a structure of the recording medium for improving light use efficiency in an optical memory using near-field light, a manufacturing method thereof, and an optical information recording and reproducing apparatus using the recording medium.例文帳に追加

近視野光を用いた光メモリにおいて、光の利用効率を高めるために近視野光ヘッドではなく、記録媒体の構造に特徴をもつ記録媒体とその製造方法および、この記録媒体を用いた光情報記録再生装置を提供すること。 - 特許庁

In a synchronous pipeline semiconductor memory having pipeline structure of at least two stages, the device is further provided with a data register latching an output of the sense amplifier between the sense amplifier and a common data line, and has the pipeline operation structure of at least three stages or more.例文帳に追加

少なくとも２段のパイプライン構造をもつ同期パイプライン半導体メモリにおいて、センスアンプと共通データラインとの間に前記センスアンプの出力をラッチするデータレジスタをさらに具備して少なくとも３段以上のパイプライン動作構造になるようにしたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a recording medium which is characterized not in a structure of a near-field optical head but in a structure of the recording medium for improving light use efficiency in an optical memory using near-field light, to provide a manufacturing method thereof and to provide an optical information recording and playback apparatus using the recording medium.例文帳に追加

近視野光を用いた光メモリにおいて、光の利用効率を高めるために近視野光ヘッドではなく、記録媒体の構造に特徴をもつ記録媒体とその製造方法および、この記録媒体を用いた光情報記録再生装置を提供すること。 - 特許庁

The application software includes instructions that initialize an application data structure(for example, an object or an array) usable by the application software to manage the device and instructions that map the application data structure to a memory associated with the device without the use of a device driver.例文帳に追加

アプリケーション・ソフトウエアは、そのデバイスを管理するためにアプリケーション・ソフトウエアが使用できるアプリケーション・データ構造（例えば、オブジェクトやアレイ）を初期化する命令、およびデバイスに付随するメモリに対してデバイス・ドライバを使用せずにアプリケーション・データ構造をマッピングする命令を含む。 - 特許庁

To provide a pore structure showing excellent adhesion with a substrate electro-conductive layer and having a surface with improved flatness, to provide its production method, to provide a memory device using the pore structure, to provide its production method, to provide an adsorption amount analyzer, and to provide a magnetic recording medium.例文帳に追加

下地導電層との密着性に優れ、表面の平坦性が向上した細孔構造体及びその製造方法、その細孔構造体を用いたメモリ装置及びその製造方法、吸着量分析装置、並びに磁気記録媒体を提供することに。 - 特許庁

This device is provided with a retrieval object data storage part 4 for storing data to become a retrieval object for each digit in a bisected tree structure on a memory and a data retrieving part 5 for retrieving the target data from the route of the stored data in the bisected tree structure by comparing the data of respective nodes with the retrieval data.例文帳に追加

検索対象となるデータを桁毎にメモリ上に２分木構造で格納する検索対象データ格納部４と、格納された２分木構造のデータのルートから各ノードのデータと検索データとを比較して目的のデータを検索するデータ検索部５とを備える。 - 特許庁