「memory structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a technique for achieving a memory cell structure in which the temperature of a diode does not easily rise even when the temperature of phase change materials rises in a non-volatile storage device having a phase change memory configured of cross point type memory cells obtained by combining storage elements made of phase change materials with selection elements made of diodes.例文帳に追加

相変化材料からなる記憶素子とダイオードからなる選択素子とを組み合わせたクロスポイント型のメモリセルによって構成される相変化メモリを備えた不揮発性記憶装置において、相変化材料を高温にしてもダイオードが高温になりにくいメモリセル構造を実現することのできる技術を提供する。 - 特許庁

In the non-volatile semiconductor storage device having a memory cell transistor and the peripheral transistor on the same semiconductor substrate 11, metallic silicide layers 28 are formed on both diffusion layers of the memory cell transistor and the peripheral transistor and on the gate electrode of the peripheral transistor, and the contact of the memory cell transistor has a self-alignment contact structure.例文帳に追加

同一半導体基板１１上にメモリセルトランジスタと周辺トランジスタを有する不揮発性半導体記憶装置において、メモリセルトランジスタと周辺トランジスタの両拡散層及び周辺トランジスタのゲート電極上に、金属シリサイド層２８が形成され、メモリセルトランジスタのコンタクトがセルフアラインコンタクト構造を有する。 - 特許庁

This support structure is provided with at least one of shape memory alloy members 1 and 2, the shape memory alloy member increases the strength of the support mechanism in the first operation state of the support mechanism, and the shape memory alloy member reduces the heat conductivity of the support mechanism.例文帳に追加

支持機構は、少なくとも１個の形状記憶合金製部材１、２を備えており、支持機構の第１動作状態においては形状記憶合金製部材が支持機構の強度を高め、支持機構の第２動作状態においては形状記憶合金製部材が支持機構の熱伝導性を低下させるようにしてある。 - 特許庁

When storing significant data such as a license having a characteristics structure or value with a plane sentence on a memory 140, a processing device generates a large amount of pseudo data such as a pseudo license similar to the significant data on the same memory 140, and stores the pseudo data with the significant data in the memory 140.例文帳に追加

処理デバイスにおいて、特徴的な構造や値を持っているライセンスなどの重要データをメモリ１４０上に平文で格納する際に、同じメモリ１４０上にその重要データと類似した疑似ライセンスなどの擬似データを大量に生成し、重要データと共にメモリ１４０内に格納する。 - 特許庁

To provide such a transistor structure that can make a nonvolatile memory semiconductor device, having a flash memory section in which a memory transistor and a select transistor are formed and a logic section, in which a peripheral circuit transistor is formed on the same substrate to operate at high speed by suppressing the gate depletion, particularly in, the select transistor without making the processes complicated.例文帳に追加

メモリトランジスタとセレクトトランジスタとが形成されたフラッシュメモリ部と周辺回路トランジスタが形成されたロジック部とを同一基板上に有する不揮発性メモリ半導体装置において、工程を煩雑化することなく、特にセレクトトランジスタにおけるゲート空乏化を抑制し、高速動作可能なトランジスタ構造を提供する。 - 特許庁

An address character string structure analysis section 11 analyzes an address character string structure with respect to an address data selected from an input data for speech conversion, on the basis of data recorded in an address speech conversion application rule data memory section 8, and a structure data element analysis section 12 for address speech conversion decomposes the address data for each element of the structure.例文帳に追加

入力した音声変換用データから選択した住所データを、住所文字列構造体分析部１１が、住所音声変換適用規則データ記憶部８に記録されたデータに基づき住所文字列構造体の分析を行い、住所音声変換用構造体データ要素分解部１２は住所データを構造体の要素毎に分解する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory, in the memory cell structure to have the limited operation voltage region, which has been manufactured to show small difference in the processes and the characteristics which do not change as much as possible, in voltages other than the operating voltage.例文帳に追加

限られた動作電圧領域を持つようなメモリセル構造をとる強誘電体メモリにおいて、プロセス上の差異が小さく、かつ、特性も動作電圧以外はなるべく異ならないようにして作製された強誘電体メモリを提供すること。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device which includes 1T1R memory cells, each having one transistor and one resistance variable element that allows simplifying a structure so that a fine-sized memory cell is attained, and to provide a method for manufacturing the storage device.例文帳に追加

１つのトランジスタと１つの抵抗変化素子とを用いた１Ｔ１Ｒ型のメモリセルであって、抵抗変化素子の構造を簡素化することにより、微細化できるメモリセルを有する不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

When the connection facility functioning part performing the main operation is impossible to operate owing to a memory failure, normal data structure, mechanism information and connection information with the CPU are inherited to the other connection facility functioning part from the nonvolatile memory and a continuous operation is performed.例文帳に追加

主稼動していた結合ファシリティ機能部がメモリ障害によって稼動が不可能な場合に、他の結合ファシリティ機能部に不揮発メモリから正常なデータ構造、機構情報、ＣＰＵとの接続情報を引継いで継続運転を行う。 - 特許庁

To provide a method of a fabricating a flash memory device that can reduce an interference phenomenon between memory cells adjacent to each other by forming a floating gate with a structure with multiple layers of conductive films stacked therein.例文帳に追加

本発明は、フローティングゲートを多層の導電膜が積層された構造で形成して隣接するメモリセル間の干渉現象を減少させることが出来るフラッシュメモリ素子の製造方法を提供することを可能にすることを目的としている。 - 特許庁

To restrain an un-etched part from being left on a floating gate layer at the side of an element isolation insulating film when the floating gate layer is patterned so as to prevent a short circuit from occurring between gates, in a nonvolatile semiconductor memory equipped with memory cells and peripheral transistors having a laminated gate structure.例文帳に追加

メモリセルと周辺トランジスタが積層ゲート構造を持つ不揮発性半導体メモリにおいて、浮遊ゲート層をパターンニングする際に素子分離用絶縁膜の側面での浮遊ゲート層のエッチング残りを抑え、ゲート同士のショートを防ぐ。 - 特許庁

A display controller includes: a memory core which holds image data to be displayed; a register set holding structure data which enables display of the image data; and a bus interface which realizes bus communication between the memory core of the display controller and a microprocessor.例文帳に追加

ディスプレイコントローラは、表示される画像データを保持するメモリコアと、画像データの表示を可能にする構成データを保有するレジスタセットとを含むと共に、ディスプレイコントローラのメモリコアとマイクロプロセッサとの間でバスによる通信を可能にするバスインタフェースを含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory structure having a constitution of a memory cell array which can process many input/output data simultaneously in parallel and a redundant relieving circuit which can perform efficiently redundant relieving for the above.例文帳に追加

同時並列に多数の入出力データを取扱うことができるメモリセルアレイの構成と、これに対して効率的に冗長救済を行なうことのできる冗長救済回路とを併せ持つ半導体記憶装置の構成を提供する。 - 特許庁

To achieve a large capacity by improving a charge storage density in a semiconductor memory element containing a so called MONOS type structure memory cell having a tunnel insulating film, a charge storage film, a blocking film and a gate electrode on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上において、トンネル絶縁膜、電荷蓄積膜、ブロッキング膜及びゲート電極を有する、いわゆるＭＯＮＯＳ型構造のメモリセルを含む半導体記憶素子において、その電荷蓄積密度を向上させ、大容量化を達成する。 - 特許庁

To disclose a technology that can independently control bank interleave by realizing a memory interleave structure using a nonvolatile ferroelectric register in particular about an interleave controller using a nonvolatile ferroelectric memory.例文帳に追加

本発明は不揮発性強誘電体メモリを利用したインタリーブ制御装置に関し、特に不揮発性強誘電体レジスタを用いたメモリインタリーブ構造を具現して独立的にバンクのインタリーブを制御することができるようにする技術を開示する。 - 特許庁

To obtain an information management system having higher reliability by using an IC tag unit capable of securely restoring information stored in a faulty IC tag by a simple structure and a reduced memory capacity, and capable of easily increasing the memory capacity.例文帳に追加

より少ないメモリ容量かつ簡単な構成で、故障したＩＣタグに格納した情報を確実に復元でき、かつメモリ容量を簡単に増加できるＩＣタグ装置を用いて、より信頼性の高い情報管理システムを実現する。 - 特許庁

This is a memory card mounted on the backside of surface terminals 13-1 to 13-4 provided on a card-shaped package 11 in an exposed way by laminating a plurality of semiconductor memory chips 12-1 to 12-4 having practically and mutually the same structure.例文帳に追加

カード状のパッケージ１１に露出されて設けられた表面端子１３−１〜１３−４における裏面側に、互いに実質的に同一構造の複数個の半導体メモリチップ１２−１〜１２−４を積層して実装したメモリカードである。 - 特許庁

To manufacture a memory cell and a transistor(Tr) of the peripheral circuit of the memory cell in parallel without forming an MOS structure on the surface opposed to an element separation region 107 in the element region of the Tr, with no increase in the pattern area of the Tr.例文帳に追加

メモリセルの周辺回路のトランジスタ（Ｔｒ）のパターン面積を増大させずに、このＴｒの素子領域の素子分離領域１０７と対向する面にＭＯＳ構造を形成させること無く、メモリセルとこのＴｒを並行して製造する。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor memory device according to an embodiment includes: a laminate structure ML; a conducting core pillar PBG; a core dielectric film 49; a semiconductor pipe pillar SP; an inner dielectric film 42; a memory layer 48; and an outer dielectric film 43.例文帳に追加

実施形態によれば、積層構造体ＭＬと、導電芯ピラーＰＢＧ、芯絶縁膜４９、半導体パイプピラーＳＰ、内側絶縁膜４２、記憶層４８、外側絶縁膜４３、を備えた不揮発性半導体記憶装置が提供される。 - 特許庁

To provide a data processing system carrying a plurality of CPU and capable of flexibly operating processing shared by a main memory and processing not shared by the main memory while using ability of a plurality of CPU by a simple structure.例文帳に追加

複数のＣＰＵを搭載したデータ処理システムにおいて、簡易な構成で、複数のＣＰＵの能力を活かしながら、メインメモリが共通する処理と、メインメモリが共通しない処理とをフレキシブルに実行することができるシステムを提供する。 - 特許庁

The control part 21 of a simulation device 20 calculates a saturated steam pressure distribution in each calculation grid coordinate taking into consideration a Kelvin effect on the hole diameter in the fuel cell structure stored in a three-dimensional structure data memory part 23.例文帳に追加

シミュレーション装置２０の制御部２１は、３次元構造データ記憶部２３に記録された燃料電池の構造体における空孔径について、Kelvin効果を考慮して、各計算格子座標における飽和水蒸気圧分布を算出する。 - 特許庁

The main body part includes a first part 2012 including a shape memory substance to be deformable from a first structure into a second structure in response to activating energy, and a second part 2010 connected to the first part.例文帳に追加

本体部材２０００は、形状記憶物質を含み、活性化エネルギーに応答して第１構造から第２構造に変形可能な第１部分２０１２、第１部分に連結された第２部分２０１０を含んで構成される。 - 特許庁

The memory function part is provided on a housing which stores an optical connection part of the optical connector and has a structure for attaching it by using the external shape structure of the housing storing the optical connection part of the optical connector.例文帳に追加

メモリ機能部は、光コネクタの光接続部を収容しているハウジングに、設けられる構成し、又光コネクタの光接続部を収容しているハウジングの外形構造を利用して取り付けられる構造にすることができる。 - 特許庁

To provide a ferroelectrics memory cell and an FeRAM element using the same which can improve further its integration density by the structure of its bit-line separated from its active region and has its bit-line structure comprising a depletion type transistor.例文帳に追加

ビットラインと活性領域とが分離された構造より集積度をさらに向上させることのできる、空乏形トランジスタからなるビットライン構造を有する強誘電体メモリセル及びそれを用いたＦｅＲＡＭ素子を提供する。 - 特許庁

The integrated circuit memory cell is manufactured by forming an ohmic film on the surface of the upper part of a conductive structure so as to further extend from the structure along at least part of the side wall of an opening inside an insulating film.例文帳に追加

集積回路メモリセルは、導電性構造物の上部の表面上に、更に絶縁膜の内部の開口の側壁の少なくとも一部に沿って構造物から延長するようにオーミック膜を形成することで製造される。 - 特許庁

A spherical surface image signal formed by two-dimensionally scanning brightness of the spherical structure on the wall surface by using a horizontal direction or a vertical direction from the center of the spherical structure as scanning axes is inputted in the spherical image memory 40.例文帳に追加

球面画像メモリ４０には、球状構造物の壁面上の輝度を球状構造物の中心からの水平方位または垂直方位を走査軸として２次元走査した球面画像信号を入力する。 - 特許庁

To provide an image processing apparatus for making a structure of hardware small and low cost, by realizing a small capacity of line memory for storing decoded image data.例文帳に追加

復号化した画像データを格納するためのラインメモリを小容量化して、ハードウエア構成を小規模かつ安価にすることが可能な画像処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a solid-state image pick up device with a memory function that assures small unit pixel area and current consumption, and simplified structure without requiring complicated manufacturing processes.例文帳に追加

単位画素面積及び消費電流が小さく、構造が簡単で且つ複雑な製造工程も必要としないメモリ機能付きの固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

When hot-hole injection is conducted in the semiconductor nonvolatile memory device of a split gate structure, the hot-hole injection is verified using a crossing point that does not change with time.例文帳に追加

スプリットゲート構造の不揮発性半導体記憶装置において、ホットホール注入を行う場合、時間変化しない交点を用いて、ホットホール注入動作のベリファイを行う。 - 特許庁

To provide an embedded control device which can easily adjust fixed-value data stored in a read-only memory by using a processing unit having general structure.例文帳に追加

一般的な構成を有する演算装置を用いて、読取専用メモリ内に格納されている固定値データを容易に調整することのできる組込制御装置を得る。 - 特許庁

Since the output of the first encoding chain is stored in a memory of file structure, and can be accessed independently of the output of the second chain, real time decoding and regeneration become possible.例文帳に追加

第１符号化チェーンの出力はファイル構造のメモリに保存され、第２チェーンの出力とは独立にアクセス可能であるので、実時間での復号と再生が可能になる。 - 特許庁

To provide an electromagnetic field characteristic analytical method capable of analyzing a high-frequency apparatus having a complicated structure accurately with a small memory capacity in a short calculation time.例文帳に追加

複雑な構造の高周波機器をより精度高く、且つ、少ないメモリ容量、短い計算時間で解析することができる電磁界特性解析方法を提供する。 - 特許庁

To prevent a capacitance insulating film from deteriorating owing to hydrogen and to prevent a bit line from being a thinner film owing to etching in a semiconductor memory device having a COB (Capacitor Over Bit line) structure.例文帳に追加

ＣＯＢ構造を備えた半導体記憶装置において、容量絶縁膜の水素による劣化を防止するとともに、ビット線のエッチングでの薄膜化を防止する。 - 特許庁

The magnetic memory device includes a fixed layer formed on an antiferromagnetic layer, an information storage layer, and a free layer, wherein the information storage layer is formed with SAF structure.例文帳に追加

反強磁性層上に形成された固定層、情報保存層及び自由層を備え、情報保存層は、ＳＡＦ構造で形成される磁気メモリ素子である。 - 特許庁

A file system 33 manages the file to be recorded in a flash memory 14 by tree structure according to kinds of files managed by the content management system 32.例文帳に追加

ファイルシステム３３は、コンテンツ管理システム３２によって管理されているファイルの種類に応じてフラッシュメモリ１４へ記録するファイルをツリー構造により管理する。 - 特許庁

To provide a phase-change random access memory the structure of which has been improved so that the adhesion of a phase-change substance layer is improved, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

相変化物質層の粘着性を改善させることができるように、その構造の改善された相変化メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory having a structure in which etching of an insulating film in an element isolation trench and etching of an insulating film in an alignment trench can be simultaneously conducted by using one mask.例文帳に追加

素子分離トレンチ内の絶縁膜のエッチングとアライメントトレンチ内の絶縁膜のエッチングとを、１つのマスクを用いて同時に行える構造の半導体メモリを提供する。 - 特許庁

To provide a structure of a semiconductor memory device and a writing method thereof, which reduces a leak current flowing in a bit line during writing while suppressing increase in chip area.例文帳に追加

チップ面積の増大を抑制しつつ、書き込み時にビット線に流れるリーク電流を低減しうる半導体記憶装置の構造及びその書き込み方法を提供する。 - 特許庁

To prevent the occurrence of damage and memory caused by friction of an electrophotographic photoreceptor of a cartridge in an image forming apparatus with a pullout structure where a processing cartridge is replaced.例文帳に追加

引出し方式によるプロセスカートリッジ交換構成を設けた画像形成装置において、カートリッジの電子写真感光体のこすれによるキズ、メモリの発生を防止する。 - 特許庁

To provide a multiport memory element capable of preventing the failure phonomenon of first high data during an initial operation in the global data bus transmission/reception structure of a current sensing system.例文帳に追加

電流センシング方式のグローバルデータバスの送受信構造において初期動作時に最初のハイデータのフェイル現象を防止できるマルチポートメモリ素子を提供すること。 - 特許庁

To provide reliability improving technique that is optimized for a memory device in which multivalued information is stored using the changes in the electric resistance of a material having a perovskite structure.例文帳に追加

ペロブスカイト構造を有する材料における電気抵抗の変化を用いて、多値情報を記憶するメモリ装置に最適化された信頼性向上技術を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of reducing power consumption at the y address word line in a divided word line structure, and a method for arranging the same.例文帳に追加

分割ワードライン構造においてｙアドレスワードラインで発生する電力消耗を減らすことができる半導体メモリー装置及びこの装置の配置方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor storage device having a structure minimally suppressing the performance degradation of a phase-change memory or the like having a phase-change film and an interface film and a manufacturing method for the semiconductor storage device.例文帳に追加

相変化膜及び界面膜を有する相変化メモリ等の性能劣化を最小限に抑えた構造の半導体記憶装置及びその製造方法を得る。 - 特許庁

A CPU 11 reads data under processing in a memory 12 to recognize the data structure thereof and conducts a predetermined conversion process according to the recognition result.例文帳に追加

ＣＰＵ１１が、処理対象のデータを記憶部１２に読込んでそのデータ構造を認識し、当該認識の結果に応じて、事前に定められた変換処理を行う。 - 特許庁

To provide a structure and a manufacturing method therefor, which are excellent in characteristics and productivity, in a semiconductor memory device and a manufacturing method thereof using a variable resistor film.例文帳に追加

可変抵抗膜を用いた半導体メモリ装置及びその製造方法において、特性及び生産性に優れた構造及びそのための製造方法を提供する。 - 特許庁