「memory structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a structure of a semiconductor memory device which can be microfabricated and can reduce leakage current to a substrate, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

半導体記憶装置において、微細化が可能で基板へのリーク電流が低減された構造及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device that greatly suppresses generation of leakage current through a gate insulating film in the so-called MNOS structure.例文帳に追加

いわゆるＭＮＯＳ構造において、ゲート絶縁膜を介した漏れ電流の発生を大幅に抑制させた半導体メモリ装置の提供。 - 特許庁

To provide a ferroelectric semiconductor memory device with COB (Capacitor Over Bitline) structure, which reduces a square of peripheral area of the ferroelectric film where a signal is deteriorated.例文帳に追加

ＣＯＢ構造の強誘電体半導体メモリにおいて、信号劣化が発生する強誘電体膜の周辺領域の面積を減らす。 - 特許庁

To provide a housing structure and electronic apparatus of an information memory media to achieve downsizing and improvement of productivity.例文帳に追加

小型化を達成すると共に生産性を向上させる情報記憶媒体の収容構造および電子機器を提供することを目的とする。 - 特許庁

The magnetic memory element includes a laminate structure of a pinned layer magnetized in the X-xis direction, a free layer, and an interlayer inserted between those layers.例文帳に追加

磁気メモリ素子は、Ｘ軸方向に沿った磁化を有するピンド層と、フリー層と、それらに挟まれた中間層との積層構造を含む。 - 特許庁

To provide a removable memory card having a terminal structure for protecting an internal circuit against electrostatic breakdown, without impeding high-speed signal transmission.例文帳に追加

内部回路を静電気による破壊から保護すると共に、高速信号伝送を妨げない端子構造を持つリムーバブルメモリカードを実現する。 - 特許庁

To provide a microelectronic structure capable of effectively arranging via-electrodes, a multi-chip module, a memory card, and a method of manufacturing an integrated circuit element.例文帳に追加

ビア電極を効果的に配しうるマイクロ電子構造体、マルチチップモジュール、メモリカード及び集積回路素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The second conductive film is patterned, an upper electrode is left above the element isolation structure, and a gate electrode is left above the memory cell portion.例文帳に追加

第２の導電膜をパターニングし、素子分離構造体の上方に上部電極を残すとともに、メモリセル部の上方に、ゲート電極を残す。 - 特許庁

To provide memory cell structure of a metal (or) programmable ROM, capable of saving energy by improving an integration rate and read-out operation speed.例文帳に追加

集積度及び読出し動作速度を向上させ、省エネルギー性となるメタル（またはビア）プログラマブルＲＯＭのメモリセル構造を提供する。 - 特許庁

To provide a disk drive of PCMCIA(Personal Computer Memory Card International Association) card type which can be considerably increased in the storage capacity by the structure improvement of the disk drive.例文帳に追加

ディスクドライブの構造改善により貯蔵容量を大容量にすることができるＰＣＭＣＩＡカードタイプのディスクドライブを提供する。 - 特許庁

According to such a structure, the access to the flash memory can be more efficiently performed, and even if a power supply is suddenly off, the address conversion table can be easily restored.例文帳に追加

よって、より効率的にフラッシュメモリにアクセス可能になり、且つ、突然電源がオフされてもアドレス変換テーブルを容易に復旧できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a structure that enables high yield by preventing adjacent word lines of a memory cell from short-circuiting.例文帳に追加

メモリセルの隣り合うワード線の間のショートの発生を防止し、高歩留まりを可能とする構造を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device having an integrally processed three-dimensional stacked structure improved in integration: and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

集積度を高めた一括加工型３次元積層構造の不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a shape memory alloy actuator which can be thinned with a simple structure and which does not malfunction even if an environmental temperature rises.例文帳に追加

簡易な構成で薄型化を図ることができ、環境温度が上昇しても誤動作しない形状記憶合金アクチュエータを提供する。 - 特許庁

The method generates growth of the <111> crystal structure, inside at least one configuration layer (at least 21 to 25) of the magnetic memory cell (at least 20, 80).例文帳に追加

磁気メモリセル（少なくとも20、80）の少なくとも１つの構成層（少なくとも21-25）内で＜１１１＞結晶組織の成長を生じさせる方法。 - 特許庁

To provide a non-volatile memory element that facilitates high integration owing to expansion by employing a laminate structure, and to provide an economical method of manufacturing the same.例文帳に追加

積層構造により拡張されて高集積化の容易な不揮発性メモリ素子及びその経済的な製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent a shrink hole from being formed in a filling material to be embedded in an insulated trench in a memory cell semiconductor structure equipped with trench capacitors.例文帳に追加

トレンチキャパシタを備えたメモリセル半導体構造において、絶縁トレンチに埋め込む充填材料にシュリンクホールが形成されるのを防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein sufficient insulation can be secured in a self alignment contact (SAC) structure section of a memory gate (MG).例文帳に追加

メモリーゲート（ＭＧ）のセルフアラインコンタクト（ＳＡＣ）構造部分における十分な絶縁性を確保することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a synchronous semiconductor memory device having column selection circuit structure improved appropriately for accessing data at high speed.例文帳に追加

高速でデータをアクセスすることに適当な改良されたカラム選択回路構造を有する同期形半導体メモリ装置を提供することである。 - 特許庁

According to this structure, the deep-trench isolation region blocks the propagation of crystalline defects generated in the logical operation circuit region into the memory storage region.例文帳に追加

これにより、深いトレンチ分離領域は、論理回路領域で発生した結晶欠陥が、メモリ記憶領域へ伝搬するのを阻止する。 - 特許庁

The device is provided with a memory cell MC having a trench capacitor TC and MOSFET TR in the fine gate structure where the trench capacitor is selected.例文帳に追加

トレンチキャパシタＴＣと、前記トレンチキャパシタを選択するフィンゲート構造のＭＯＳＦＥＴ ＴＲとを有するメモリセルＭＣを備えている。 - 特許庁

The latency from transmission of the reading command to return of the read data is fixed by this structure in the case of access to any memory node.例文帳に追加

この構成は、どのメモリノードに対するアクセスであっても、読出しコマンドの送出から読出しデータのリターンまでのレイテンシを一定にする。 - 特許庁

The memory portion 14 has a long linear conjugate structure, and includes a conductive liquid crystal compound having a smectic phase as a liquid crystal phase.例文帳に追加

記憶部１４は、長い直線的共役構造部分を持ち液晶相としてスメクチック相を有する導電性液晶化合物を含む。 - 特許庁

GPP structure is essentially based on a DSP and a dual port memory, accessible both locally and externally by other CPUs through the VME bus. 例文帳に追加

GPP構造は本質的にはDSPとデュアルポートメモリに基づくものであり、ローカルにもVMEバスを介して他のCPUから外部的にもアクセス可能なものである。 - コンピューター用語辞典

A memory cell structure is equipped with a field effect switch provided with a gate terminal 1000 possessed of a trench upper part and a depletion region in a substrate.例文帳に追加

メモリセル構造は、基板内の空乏領域およびトレンチ上部を有するゲート端子１０００を有する電界効果スイッチを備えている。 - 特許庁

To find a new SRAM memory cell structure having good retention, read and write stability while still retaining improved overall dimensions.例文帳に追加

改善された全体寸法を維持しながら、良好な保持、読出し、および書込み安定性を有する新規なSRAMメモリセル構造を見い出すこと。 - 特許庁

To provide a memory card holding structure capable of suppressing deformation of a long terminal in the case a long terminal is included in a plurality of contact terminals.例文帳に追加

複数の接触端子に長い端子が含まれる場合に、当該長い端子の変形を抑制することができるメモリカード保持構造を得る。 - 特許庁

The compressed OSD image obtained by compressing the OSD image of, for example, a Y/C4:2:2 structure by a JPEG system is stored into a compressed OSD image data memory 2.例文帳に追加

圧縮OSD画像データメモリ２には、例えば、Y/C4:2:2構造のOSD画像データがJPEG方式で圧縮された圧縮OSD画像データが記憶されている。 - 特許庁

The shape memory alloy containing Co, Ni and Al has a two-phase structure consisting of a β-phase with a B2 structure and a γ-phase with an fcc structure, and the γ-phase exists in the area of ≥40% of the grain boundaries of the β-phase.例文帳に追加

Ｃｏ、Ｎｉ及びＡｌを含有する本発明の形状記憶合金は、Ｂ２構造のβ相とｆｃｃ構造のγ相からなる２相構造を有し、β相の結晶粒界の４０％以上の面積にγ相が存在することを特徴とする。 - 特許庁

To provide an MRAM arrangement in which a cross point structure having advantages of a transistor memory cell is present in common in all possible large areas.例文帳に追加

トランジスタ−メモリセルの長所を具備したクロスポイント構造が可能な限り広範囲に共通に存在するＭＲＡＭ配列構造を提供する。 - 特許庁

To obtain a memory card holding structure for improving the support rigidity and support strength of a spring guide, and for reducing assembling man-hours.例文帳に追加

スプリングガイドの支持剛性および支持強度を向上させることができ、かつ組み立て工数を削減することが可能なメモリカード保持構造を得る。 - 特許庁

To provide a memory cell structure, where depletion of majority carrier controlled by the field effect of an embedded strap region that controls access to a trench cell capacitor is used.例文帳に追加

トレンチ・セル・キャパシタへのアクセスを制御する埋込みストラップ領域の電界効果制御される多数キャリア空乏化を用いるメモリセル構造を提供する。 - 特許庁

To enable protecting simply an incident end plane and an output plane of an optical memory element (multi-layer lamination medium) with simple structure suppressing a manufacturing cost to a low cost.例文帳に追加

コストを低く抑えながら、光メモリ素子（多層積層媒体）の入射端面及び出力面を簡単な構造で簡易に保護できるようにする。 - 特許庁

To realize a semiconductor memory device which is capable of operating at a high speed keeping free from malfunction, simplified in structure as much as possible, and small in current consumption.例文帳に追加

誤作動のない高速動作を可能としつつ、できる限り簡易な構成であって消費電流の少ない半導体記憶装置を実現する。 - 特許庁

The magnetic random-access memory cell 1 has a structure in which a free layer 2, a non-magnetic layer 3 (a main non-magnetic layer) in the cell and a pin layer 4 are laminated.例文帳に追加

磁性ランダムアクセスメモリセル１は、フリー層２と、セルにおける非磁性層（主非磁性層）３とピン層４とが積層された構造を有している。 - 特許庁

Memory locations for storing first and second data structures may be kept in lists indicating free locations for the respective data structure types.例文帳に追加

第１及び第２のデータ構造を格納するためのメモリ場所を、各々のデータ構造型に関するフリーな格納場所を示すリスト内において保管する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device which has a structure in which ferroelectric capacitors are stacked, and can be miniaturized while improving the read speed.例文帳に追加

強誘電体キャパシタを積層した構造を有し、読み出し速度を向上させつつ微細化を可能とする不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide laundry apparatus which effectively uses a flash memory area, improves reliability of backup data, such as a user's operation setting contents, and has an inexpensive circuit structure.例文帳に追加

フラッシュメモリ領域を有効に使用し、ユーザーの運転設定内容等のバックアップデータの信頼性を高め、かつ、安価な回路構成なランドリー機器を提供する。 - 特許庁

A semiconductor memory includes a periodic structure in which active areas AA1, AA2, ..., and element isolation areas are alternately arranged in a first direction.例文帳に追加

本発明の例に係る半導体メモリは、アクティブエリアＡＡ１，ＡＡ２，・・・と素子分離エリアとが第１方向に交互に配置される周期構造を備える。 - 特許庁

To provide a transistor for non-volatile memory devices that has a vertical laminated structure and can achieve high integration effectively, and to provide a method for manufacturing the transistor.例文帳に追加

垂直積層構造を有して高集積を効果的に達成しうる不揮発性メモリ装置用のトランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide inspection method and structure for increasing the reliability of a memory cell including a transistor with extremely high off resistance as a switching element.例文帳に追加

オフ抵抗が極めて高いトランジスタをスイッチング素子として有するメモリセルを構成するに際し、信頼性を高める検査方法および構成を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory operated even when a power supply voltage is lowered, realized by a simple structure, and easily formed by a logical process.例文帳に追加

電源電圧が低電圧化しても動作可能であり、簡単な構成で実現でき、且つ論理プロセスで容易に形成可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A nonvolatile memory is constituted in a structure that a tunnel oxide film layer 102, a first polysilicon layer for a floating gate and a nitride film layer are deposited sequentially on the upper part of a semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体基板１００の上部にトンネル酸化膜層１０２、フローティングゲート用の第１ポリシリコン層及び窒化膜層を順次的に蒸着する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device having a structure in which an MTJ element hardly deteriorates in a manufacturing step even if the MTJ element is miniaturized.例文帳に追加

ＭＴＪ素子が微細化されても、製造工程においてＭＴＪ素子が劣化され難い構成を有する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a content provision system which allows a user to purchase a content by using points recorded in multiple memory mediums with a simple structure.例文帳に追加

簡単なシステムで複数の記憶媒体に記録されているポイントを使用してコンテンツを購入することができるコンテンツ提供システムを提供する。 - 特許庁