「memory structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a nonvolatile semiconductor memory device which has a structure in which memory cells are stacked three-dimensionally, and can reduce chip area.例文帳に追加

メモリセルを３次元的に積層した構造であって、チップ面積を縮小することができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a heat dissipating structure, in which a plurality of memory devices are cooled efficiently and which is facilitated in the attachment and detachment of the memory device, and an information processor.例文帳に追加

複数の記憶装置が効率的に冷却され、記憶装置の着脱が容易な放熱構造及び情報処理装置を提供する。 - 特許庁

The determination tree is recreated by changing the memory layout of node data so that the distance of a master/slave node in a tree structure on the memory is reduced.例文帳に追加

木構造内の親子ノードのメモリ上における距離が小さくなるように、ノードデータのメモリ配置を変更した決定木に作り変える。 - 特許庁

To read a single line of memory cells having a charge-trapping structure by selecting part of the memory cells selected by a word line.例文帳に追加

電荷トラッピング構造を有する一列のメモリセルが、ワード線によって選択されたメモリセルの一部分を選択することによって読み出される。 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY CELL EQUIPPED WITH RESISTIVE LAYERS OF MULTILAYER STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AS WELL AS, RESISTANCE VARIABLE NONVOLATILE MEMORY DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

多層構造の抵抗層を備える不揮発性メモリセルおよびその製造方法、並びにそれを用いた抵抗可変型不揮発性メモリ装置 - 特許庁

The memory system uses a conventional DRAM memory structure having a pair of first-level sense amplifier, a second-level sense amplifier, and control logic for the sense amplifiers.例文帳に追加

メモリシステムは、１対の第１レベルセンスアンプ、１つの第２レベルセンスアンプ、センスアンプ用の制御ロジックを有する従来のＤＲＡＭメモリ構造を用いる。 - 特許庁

To offer a semiconductor memory device which is suitable for mixed mounting of a logic circuit and which can utilize a multi-layer interconnection structure in a memory array part efficiently.例文帳に追加

多層配線構造を効率的にメモリアレイ部において利用することのできるロジック混載に適した半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To propose a memory structure capable of expressing a complicated refrigerant circuit pattern of a heat exchanger by small memory capacity on a computer.例文帳に追加

熱交換器の複雑な冷媒回路パターンをコンピュータ上の小さいメモリ容量で表すことを可能とするメモリ構造を提案すること。 - 特許庁

To provide a self-aligning method for forming a downsized memory cell having a novel structure, and to provide a memory cell array formed by using the same.例文帳に追加

サイズを減少し新規な構造を有するメモリセルを形成する自己整列型方法及びそれにより形成されたメモリセルアレーを提供する。 - 特許庁

A memory cell of a resistance change memory in accordance with one embodiment comprises a resistance change element RW connected in series and a laminated structure C.例文帳に追加

実施形態に係わる抵抗変化メモリのメモリセルは、直列接続される抵抗変化素子ＲＷ及び積層構造Ｃを備える。 - 特許庁

To provide a memory device capable of managing a file with a hierarchical directory structure by use of a write-once type memory as a data storage medium.例文帳に追加

データ格納媒体としてライトワンス型メモリを用い、階層ディレクトリ構造でファイルの管理を行うことが可能なメモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which a memory cell has simple transistor structure and dynamic storage of binary data can be performed with less signal lines.例文帳に追加

単純なトランジスタ構造をメモリセルとして、少ない信号線で二値データのダイナミック記憶を可能とした半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a connector for a memory card capable of preventing a memory card from jumping out and having a lock mechanism of a simpler structure.例文帳に追加

メモリカードがコネクタから不用意に飛び出すことを防止でき、又、より簡易な構成のロック機構を有するメモリカード用コネクタを提供する。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a memory element 16 having a structure in which an insulating film 17 and a metal film or a metallic compound film 19 are stacked; and a transistor having a gate structure with the same stacked structure as the memory element 16.例文帳に追加

半導体装置を、絶縁膜１７と金属膜又は金属化合物膜１９とを積層した構造を有するメモリ素子１６と、メモリ素子１６と同一の積層構造を有するゲート構造を持つトランジスタとを備えるものとする。 - 特許庁

From this structure, a memory element being stable in voltage and resistance characteristics, and having high reliability is provided.例文帳に追加

これにより、電圧及び抵抗特性が安定化した信頼性のあるメモリ素子を具現できる。 - 特許庁

To secure the reliability of both of two writing wirings by optimizing the structure of a memory cell.例文帳に追加

メモリセル構造の最適化を図ることで２つの書き込み配線の信頼性を共に確保する。 - 特許庁

To efficiently perform data transfer even for a data structure having link address information inside a memory.例文帳に追加

メモリ内にリンクアドレス情報を持つデータ構造であっても効率的にデータ転送を行うこと。 - 特許庁

To provide bias structure of a flash memory in which power consumption and chip size can be reduced.例文帳に追加

消費電力とチップサイズを減らすことができるフラッシュメモリのバイアス構造を提供すること。 - 特許庁

To suppress overshoot in connecting a memory card to a connector terminal by the connector terminal having an inexpensive structure.例文帳に追加

メモリカードのコネクタ端子への接続時のオーバーシュートを安価な構成のコネクタ端子で抑制する。 - 特許庁

To provide a non-volatile memory cell structure having an electric charge trap film and a manufacturing method of the same.例文帳に追加

電荷トラップ膜を有する不揮発性メモリセル構造物及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

DATA INPUT/OUTPUT CIRCUIT OF FLASH MEMORY DEVICE WITH STRUCTURE FOR ENHANCING DATA INPUT/OUTPUT SPEED例文帳に追加

データ入出力速度を改善させる構造を有するフラッシュメモリ装置のデータ入出力回路 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF MAGNETIC TUNNEL JUNCTION STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD OF MAGNETIC MEMORY ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加

磁気トンネル接合構造体の製造方法及びこれを利用する磁気メモリ素子の製造方法 - 特許庁

To provide a non-volatile memory device of a reverse structure, its stack module, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

逆転構造の不揮発性メモリ素子、そのスタックモジュール及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A plurality of memory systems and a mapping system in at least one processor are used in structure.例文帳に追加

構造上、少なくとも１つのプロセッサにおける複数のメモリシステムとマッピングシステムとを利用する。 - 特許庁

A memory cell structure 10 comprises a plurality of bit lines 12 and word lines 14 across them.例文帳に追加

メモリ・セル構造（１０）であって、 複数のビット線（１２）と、それに交差するワード線（１４）とを含む。 - 特許庁

The memory structure has a contact block (1), and cell blocks (2-9) adjacent to the contact block (1).例文帳に追加

メモリ構造物は、接続区画（１）と、該接続区画（１）に隣接するセル区画（２〜９）とを有する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element having a monos gate structure and its manufacturing method.例文帳に追加

モノス（ＭＯＮＯＳ）ゲート構造を有する不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

There is provided a substrate having a first conductive type well, a device separation structure, and a dummy memory sequence.例文帳に追加

第1の導電型のウェル、デバイス分離構造及びダミーメモリ列を備える基板を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory having pipeline structure in which a data test time can be shortened.例文帳に追加

データテスト時間を短縮することができるパイプライン構造の半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor storage device having a layout structure that the patterning of memory cells can be performed in a highly controllable state.例文帳に追加

メモリセルのパターニング制御性が良いレイアウト構造を有する半導体記憶装置を得る。 - 特許庁

SUBSTRATE, EXAMINATION SYSTEM, EXAMINATION APPARATUS, EXAMINATION METHOD, RECORDING MEDIUM, PROGRAM, DATA MEMORY MEDIUM AND DATA STRUCTURE例文帳に追加

基板、検査システム、検査装置および方法、記録媒体、プログラム、データ記憶媒体、並びにデータ構造 - 特許庁

To provide a compatible processing circuit meeting extension of a memory and functions by small-scale structure.例文帳に追加

小規模な構成で、メモリや機能の拡張に対応できる互換処理回路を提供する。 - 特許庁

A split gate NAND flash memory structure is formed on a first conductive type semiconductor substrate.例文帳に追加

分割ゲートＮＡＮＤフラッシュメモリ構造が第１伝導型の半導体基板の上に形成される。 - 特許庁

A split gate NAND flash memory structure is formed on a first conductive type semiconductor substrate.例文帳に追加

分割ゲートＮＡＮＤフラッシュメモリ構造が、第１伝導型の半導体基板上に形成される。 - 特許庁

After the writing, data processing is performed in a structure wherein a single nonvolatile memory is for each CPU.例文帳に追加

書き込み後は、各々のＣＰＵにつき、１個の揮発性メモリの構成で、データ処理を行う。 - 特許庁

STACKED BOARD-ON-CHIP PACKAGE HAVING MIRROR STRUCTURE AND DOUBLE-SIDED MEMORY MODULE ON WHICH THE SAME IS MOUNTED例文帳に追加

ミラー構造を有するスタックボードオンチップパッケージ及びそれを装着した両面実装型メモリモジュール - 特許庁

To provide a semiconductor memory device having a data input/output structure which has multiples of nine bits.例文帳に追加

９の倍数になるデータ入出力構造を有する半導体メモリ装置を提供すること。 - 特許庁

A portion of the memory is allocated to a data structure that is an interface for passing system component information.例文帳に追加

メモリの一部が、システムコンポーネント情報を受け渡すインタフェースであるデータ構造に割り当てられる。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GATE STRUCTURE FOR SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING IMPROVED BREAKDOWN VOLTAGE AND LEAKAGE RATE例文帳に追加

破壊電圧及び漏れ率が改善された、半導体メモリー装置用ゲート構造の製造方法 - 特許庁

To obtain a magnetic memory cell, having high quality <111> crystal structure over the entire junction portion.例文帳に追加

接合部の全体にわたって高品質の＜１１１＞結晶組織を有する磁気メモリセルを得ること。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING STRUCTURE FOR MAKING PAGE LENGTH CONVERTIBLE, AND CONVERSION METHOD OF PAGE LENGTH THEREFOR例文帳に追加

ページ長を変換できる構造を有する半導体メモリ装置及びそのページ長の変換方法 - 特許庁

To provide a semiconductor memory apparatus having a data bus structure for reducing high frequency noise.例文帳に追加

高周波雑音を減少させるデータバス構造を有する半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device with a structure capable of suppressing film defects of a hydrogen barrier film.例文帳に追加

水素バリア膜の膜欠損が抑制できる構造を備えた半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

FUNCTIONAL MATERIAL HAVING NANO STRUCTURE, ITS MANUFACTURING METHOD AND FLEXIBLE SUPERHIGH DENSITY MEMORY USING THIS MATERIAL例文帳に追加

ナノ構造を有する機能材料、その製造方法及びそれを用いたフレキシブル超高密度メモリ - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR HIGH-DENSITY MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM) HAVING LAMINATABLE STRUCTURE例文帳に追加

積層可能な構造を有する高密度磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）のための方法および装置 - 特許庁