「memory structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The nonvolatile memory device includes a NAND string having the vertical structure.例文帳に追加

不揮発性メモリ装置は垂直構造のＮＡＮＤストリングを含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device structure and its manufacturing method.例文帳に追加

半導体メモリ素子の構造およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE INCLUDING CAPACITOR OF CYLINDER STRUCTURE例文帳に追加

シリンダ構造のキャパシタを有する半導体メモリ装置の製造方法 - 特許庁

JOINT STRUCTURE OF RAIL MAKING USE OF SHAPE MEMORY ALLOY AND JOINT METHOD例文帳に追加

形状記憶合金を用いたレールの継目構造と接合方法 - 特許庁

To provide a memory device having a page buffer of a dual register structure.例文帳に追加

デュアルレジスタ構造のページバッファを有するメモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a memory cell structure including a planar semiconductor substrate.例文帳に追加

プレーナの半導体基板を含むメモリ・セル構造を提供すること。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR NONVOLATILE MEMORY CONTAINING LOCAL SONOS STRUCTURE例文帳に追加

局部的ＳＯＮＯＳ構造を有する不揮発性メモリの製造方法 - 特許庁

To provide a phase change memory cell structure having a small size and an element.例文帳に追加

小さなサイズの相変化メモリセル構造及び素子を提供する。 - 特許庁

MEMORY DEVICE HAVING SINGLE BIT BUS STRUCTURE WITH CURRENT MODE SIGNALING SYSTEM例文帳に追加

電流モードシグナリング方式のシングルビットバス構造を有するメモリ装置 - 特許庁

Memory data access structure and its method are suitable for use in a processor.例文帳に追加

プロセッサでの使用に適したメモリデータアクセス構造と方法である。 - 特許庁

function is used to release the dynamically allocated memory after the caller no longer needs the hostent structure. 例文帳に追加

関数を用いれば動的な割り当てメモリを解放できる。 - JM

CIRCUIT WIRING ARRANGEMENT STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND ARRANGEMENT METHOD THEREOF例文帳に追加

半導体メモリ装置の回路配線配置構造とその配置方法 - 特許庁

To provide a memory module having an improved register arrangement structure.例文帳に追加

改善されたレジスター配置構造を有するメモリモジュールを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor structure utilizing a laminated memory die and a method for forming the structure.例文帳に追加

積層メモリ・ダイを利用する半導体構造とその構造を形成する方法を提供する。 - 特許庁

LAMINATE STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR CHIP, MEMORY CARD, AND PROCESS FOR MANUFACTURING LAMINATE STRUCTURE OF THE SEMICONDUCTOR CHIP例文帳に追加

半導体チップの積層構造、メモリーカード、及び半導体チップの積層構造の製造方法 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory device which uses a wiring integrated structure having little memory characteristics deterioration.例文帳に追加

メモリ特性劣化の少ない配線集積化構造を用いた強誘電体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a memory card holding structure capable of inhibiting an energized memory card from being ejected out with great force.例文帳に追加

付勢されたメモリカードが勢いよく飛び出すのを抑制することができるメモリカード保持構造を得る。 - 特許庁

To provide a memory controller capable of performing programming by various kinds of address structure of different memory elements.例文帳に追加

異なるメモリ素子の様々なアドレス構成でプログラミングすることが出来るメモリコントローラを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory having a structure capable of laminating a memory layer without a significant increase of process.例文帳に追加

大幅な工程増を伴わずにメモリ層を積層できる構造を持つ半導体メモリを提供する。 - 特許庁

MEMORY MODULE WITH BUILT-IN TERMINAL RESISTOR AND MEMORY MODULE HAVING STRUCTURE OF MULTI-CHANNEL PROVIDED WITH THE SAME例文帳に追加

終端抵抗を内蔵するメモリモジュール及びこれを含んだ多重チャンネルの構造を有するメモリモジュール - 特許庁

When the structure is applied to a semiconductor memory device, the superior ferroelectric memory device can be realized.例文帳に追加

以上に述べた構造を半導体メモリ装置にも適用、優れた強誘電体メモリデバイスを実現できた。 - 特許庁

To provide a memory card contacting structure which can reduce the thickness when mounting two memory cards having a signal terminal on one side.例文帳に追加

片面に信号端子を有するメモリカードを２枚装填する場合に薄型化を可能とする。 - 特許庁

The memory levels L_1 to LN of a memory structure 10 are mutually connected by a forward path 5 and a return path 7.例文帳に追加

メモリ構造１０のメモリレベルＬ_1 〜Ｌ_N は、フォワード・パス５とリターン・パス７によって相互接続される。 - 特許庁

Memory cells for test between bit lines 6 and 7 have the same structure as the memory cell 3 for test.例文帳に追加

ビット線６，７間のテスト用のメモリセルは全てテスト用のメモリセル３と同様の構造となっている。 - 特許庁

MEMORY TRANSISTOR, NONVOLATILE MEMORY ELEMENT, STACK STRUCTURE OF THE SAME, OPERATION METHOD OF THE SAME, MANUFACTURING METHOD OF THE SAME AND SYSTEM USING ITS NONVOLATILE MEMORY ELEMENT例文帳に追加

メモリトランジスタ、不揮発性メモリ素子、そのスタック構造、その動作方法、その製造方法及び不揮発性メモリ素子を利用したシステム - 特許庁

The image display has a frame memory with a structure of serial connection of memory blocks comprising a plurality of memory cells and a voltage amplification means.例文帳に追加

複数のメモリセルと電圧増幅手段からなるメモリブロックを直列接続した構造のフレームメモリを有する画像表示装置。 - 特許庁

An illustrative array having a thermally supported magnetic memory structure comprises a plurality of magnetic memory elements 100, where each magnetic memory element 100 is near the diode 410.例文帳に追加

熱支援型磁気メモリ構造の例示的なアレイは、複数の磁気メモリ素子(100)を含み、各磁気メモリ素子(100)はダイオード(410)の近くにある。 - 特許庁

To provide a heat sink, a memory module having a structure wherein the heat sink can be easily bound with the memory module and a method for manufacturing the memory module.例文帳に追加

ヒートシンクと、ヒートシンクをメモリモジュールに容易に締結できる構造を有するメモリモジュール及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

With such structure, structure of the redundant file memory may be set equal in the ordinary memory cell and redundant cell and thereby the redundant circuit structure can be simplified.例文帳に追加

かかる構成にすることで、冗長ファイルメモリの構成を通常メモリセルと冗長セルと同じにすることができ、冗長回路構成を簡単にすることができる。 - 特許庁

In addition, the flash memory device further includes control means for mapping an address of the flash memory from a host so as to divide structure of the buffer memory into the main region and the spare region and for controlling the flash memory and the buffer memory so as to store data of the buffer memory into the flash memory or so as to store data of the flash memory into the buffer memory.例文帳に追加

また、フラッシュメモリ装置は、バッファメモリの構造がメイン領域とスペア領域とに分離されるように、ホストから印加されたアドレスをマッピングし、そしてバッファメモリのデータがフラッシュメモリに貯蔵されるように又はフラッシュメモリのデータがバッファメモリに貯蔵されるようにフラッシュメモリとバッファメモリとを制御する手段を含む。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device having a laminated structure which reduces variations in memory cell characteristics generated from one memory cell layer to the other by making a lamination order of memory cell layers of the memory cell the same.例文帳に追加

各メモリセルレイヤのメモリセルの積層順序を同じにすることで、メモリセルレイヤ間に生ずるメモリセル特性のばらつきを低減した積層構造の不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a transistor-type ferroelectric memory having a novel structure.例文帳に追加

新規な構造を有するトランジスタ型強誘電体メモリを提供する。 - 特許庁

BUILDING REINFORCING STRUCTURE AND REINFORCING METHOD USING SHAPE MEMORY ALLOY例文帳に追加

形状記憶合金を用いた建屋の補強構造および補強方法。 - 特許庁

To provide a memory element which is simple in structure and is easy to manufacture.例文帳に追加

構造が単純で製造が容易なメモリ素子を提供すること。 - 特許庁

A memory cell with a charge trapping structure has multiple bias mechanisms.例文帳に追加

電荷トラップ構造を有するメモリセルは複数のバイアス機構を有する。 - 特許庁

The output queue pointer links to one of the memory structure entries and the output queue pointers and the memory structure succeeding pointers configure an output queue link list.例文帳に追加

出力キューポインタはメモリ構造エントリの１つにリンクし、出力キューポインタとメモリ構造次ポインタは出力キューリンクリストを構成する。 - 特許庁

SHAPE MEMORY RESIN STRUCTURE, CARRIER TAPE AND ITS USE例文帳に追加

形状記憶性樹脂製構造体とキャリアテープおよびその使用方法 - 特許庁

NOR FLASH MEMORY DEVICE WITH TWIN BIT CELL STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ツインビットセル構造のＮＯＲ型フラッシュメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory having MFMIS structure which is provided with a rewrite function for a ferroelectric memory cell having MFMIS structure and which can perform a rewrite mode.例文帳に追加

MFMIS 構造の強誘電体メモリセルに対するリライト機能を備え、リライトモードを実行可能なMFMIS 構造の強誘電体メモリを提供する。 - 特許庁

To provide an improved sector structure in a nonvolatile semiconductor memory device.例文帳に追加

揮発性半導体メモリ装置の改善されたセクタ構造を提供する。 - 特許庁

NAND-TYPE FLASH MEMORY DEVICE HAVING SHARED SELECTION LINE STRUCTURE例文帳に追加

共有された選択ライン構造を有するＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置 - 特許庁

NAND TYPE FLASH MEMORY APPARATUS HAVING SHARED SELECTION LINE STRUCTURE例文帳に追加

共有された選択ライン構造を有するＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置。 - 特許庁

NAND FLASH MEMORY ARRAY HAVING PILLAR STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

柱構造を有するＮＡＮＤフラッシュメモリアレイ及びその製造方法 - 特許庁

This structure can make the area of a memory cell 4F^2 at minimum.例文帳に追加

このような構造でメモリセルの面積を最小で４Ｆ^２とできる。 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT HAVING MONOS GATE STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

モノスゲート構造を有する不揮発性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁