「mesa structure」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A mesa structure (first mesa structure) 13 formed on the lower face 11a of the semiconductor substrate 11 is such a mesa structure that has a so-called element function in which an active layer 12 is a light emitting layer, and a mesa structure (second mesa structure) 23 formed on the upper face 11b of the semiconductor substrate 11 is a dummy mesa structure having no active layer.例文帳に追加

半導体基板１１の下面１１ａに形成されたメサ構造（第１のメサ構造）１３は活性層１２が発光部となる、いわば素子機能を有するメサ構造であり、半導体基板１１の上面１１ｂに形成されたメサ構造（第２のメサ構造）２３は、活性層をもたないダミーのメサ構造である。 - 特許庁

The laminate structure 20 includes a columnar mesa section 21.例文帳に追加

積層構造２０は柱状のメサ部２１を有する。 - 特許庁

After forming the three mesas of an emitter-contact mesa, a base-collector mesa, and a sub-collector mesa to complete the fundamental structure of the transistor, the whole of the fundamental structure is covered with a protective insulating film.例文帳に追加

エミッタコンタクトメサ、ベース・コレクタメサ、サブコレクタメサの三つのメサを形成してトランジスタ基本構造を完成後、全体を保護絶縁膜で覆う。 - 特許庁

The semiconductor optical element in which a mesa structure is formed by wet etching includes a mesa structure of a ridge-type or a high-mesa-type, formed on a semiconductor substrate, and an extended mesa formed on the semiconductor substrate and connected to a corner of the mesa structure, the material of which is the same as the material of the mesa structure.例文帳に追加

ウェットエッチングによりメサ構造が形成された半導体光素子であって、半導体基板上に形成されたリッジ型またはハイメサ型の該メサ構造と、該半導体基板上に形成され、かつ、該メサ構造の角部に接続された該メサ構造と同一材料である延伸メサと、を有することを特徴とする。 - 特許庁

Mesa structure is differentiated between a laser and a modulator.例文帳に追加

レーザ部と変調器部のメサ構造を異なる構造にする。 - 特許庁

The second upper clad layer 109 has a mesa structure MS.例文帳に追加

第２上部クラッド層１０９は、メサ構造ＭＳを有する。 - 特許庁

The semiconductor laminate structure 24 is wet-etched, and a mesa structure 28 is formed.例文帳に追加

半導体積層構造２４をウェットエッチングしてメサ構造２８を形成する。 - 特許庁

The side faces of the mesa structure are continuously linear.例文帳に追加

ここで、前記メサ構造の側面は連続した直線状である。 - 特許庁

MESA TERMINATION STRUCTURE FOR POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING POWER SEMICONDUCTOR DEVICE WITH MESA TERMINATION STRUCTURE例文帳に追加

電力半導体デバイスのためのメサ終端構造とメサ終端構造をもつ電力半導体デバイスを形成するための方法 - 特許庁

The mesa structure part is formed on the p-type semiconductor substrate.例文帳に追加

メサ構造部は、ｐ型半導体基板の上に設けられている。 - 特許庁

The semiconductor device includes an optical semiconductor element provided with the mesa structure part 21, the embedding part 22 embedding the mesa structure part 21 from at least the lateral side thereof, and an electrode 23 connected to the mesa structure part 21.例文帳に追加

メサ構造部２１を備えた光半導体素子と、メサ構造部２１を少なくとも側方から埋め込む埋め込み部２２と、メサ構造部２１に接続された電極２３と、が設けられている。 - 特許庁

MESA STRUCTURE AND FORMING METHOD THEREOF AND MESA DIAPHRAGM AND PRESSURE SENSOR USING THE SAME例文帳に追加

メサ構造の形成方法並びにこれを用いたメサ構造、及びこれを用いたメサ型ダイアフラム並びに圧力センサ - 特許庁

MESA STRUCTURE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTER HAVING CHALCOGENIDE DIELECTRIC COATING例文帳に追加

カルコゲナイド誘電体コーティングを有するメサ構造半導体光エミッタ - 特許庁

PHOTONIC INTEGRATED DEVICE USING REVERSE-MESA STRUCTURE AND METHOD FOR FABRICATING SAME例文帳に追加

逆メサ構造を用いた光集積素子及びその製造方法 - 特許庁

A semiconductor substrate 2 is provided with a mesa structure portion 4, having an active layer 3 and an insulating layer 5 having a configuration surrounding the mesa structure portion 4.例文帳に追加

半導体基板２上に、活性層３を有するメサ構造部４と、メサ構造部４を囲む態様の絶縁層５とを設ける。 - 特許庁

In the lower surface side of the surface-emitting laser 1 facing to the mesa structure portion 4, a heat radiation layer 12 radiating heat of the mesa structure portion 4 is formed.例文帳に追加

メサ構造部４に対向する面発光レーザ１の下面側に、メサ構造部４の熱を放熱する放熱層１２を形成する。 - 特許庁

The exposed part of the etch stop layer 4 is removed to form mesa structure 10, and buried layers 11 and 12 are formed at both the sides of the mesa structure.例文帳に追加

エッチストップ層４の露出した部分を除去してメサ構造１０を形成し、その両側に埋め込み層１１，１２を形成する。 - 特許庁

The laminate structure is etched in the shape of mesa-stripe and a current pinching regions of pn isolation are formed in both sides of the mesa-stripe.例文帳に追加

積層構造はメサストライプにエッチング加工され、その両側にはｐｎ分離の電流狭窄領域が形成する。 - 特許庁

PIEZOELECTRIC SUBSTRATE OF MESA STRUCTURE, PIEZOELECTRIC VIBRATION ELEMENT, PIEZOELECTRIC VIBRATOR, AND PIEZOELECTRIC OSCILLATOR例文帳に追加

メサ構造の圧電基板、圧電振動素子、圧電振動子、及び圧電発振器 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of suppressing an embedding part embedding a mesa structure from peeling off from a mesa structure part, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

メサ構造を埋め込む埋め込み部のメサ構造部からの剥離を抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an LED structure which is capable of reducing a light loss to an irreducible minimum at a mesa wall.例文帳に追加

メサ壁における光の損失を最小にするＬＥＤ構造。 - 特許庁

A columnar mesa part 18 is formed at the upper side of the lamination structure.例文帳に追加

この積層構造の上部に柱状のメサ部１８が形成されている。 - 特許庁

The second mesa structure 23 is provided in such a mode that the warping of the semiconductor substrate 11 caused by an arrangement of the first mesa structure 13 is dissolved and mitigated.例文帳に追加

第２のメサ構造２３は、第１のメサ構造１３の配設に起因する半導体基板１１の反りを解消、緩和する態様で設けられる。 - 特許庁

The dummy layer 14 is selectively wet-etched for any layer other than the dummy layer 14 of the mesa structure 28, and a concave section 30 is formed on the side face of the mesa structure 28.例文帳に追加

メサ構造２８のダミー層１４以外の層に対してダミー層１４を選択的にウェットエッチングしてメサ構造２８の側面に凹部３０を形成する。 - 特許庁

The predetermined direction is set so that the side surface of the stripe mesa structure 40 formed by wet etching has a forward mesa shape.例文帳に追加

所定方向は、ウェットエッチングにより形成されるストライプメサ構造４０の側面が順メサ形状となるように設定される。 - 特許庁

To provide a vertical cavity surface-emitting laser (VCSEL) having a mesa structure or post structure that can be protected from the outside.例文帳に追加

メサ構造あるいはポスト構造を外部から保護することができる、ＶＣＳＥＬを提供する。 - 特許庁

The upper part of the lamination structure is processed like mesa-stripes, and carrier block layers are buried in both sides of the lamination structure.例文帳に追加

積層構造の上部は、メサストライプ状に加工され、両側は、キャリアブロック層で埋め込まれている。 - 特許庁

Potential of mesa region is fixed by connecting it to an emitter electrode so that the mesa region held by the trenches is freed from a floating structure.例文帳に追加

トレンチで挟まれるメサ領域がフローティング構造とならないようエミッタ電極に接続することでメサ領域の電位を固定する。 - 特許庁

More specifically, the laser has a ridge waveguide structure where the periphery of the mesa is air, and the modulator has a ridge waveguide structure where the periphery of the mesa is filled with an organic insulator and flattened.例文帳に追加

すなわち、レーザ部はメサ周囲が空気であるリッジ導波路構造、変調器部はメサ周囲を有機絶縁物で埋め込んで平坦化したリッジ導波路構造とする。 - 特許庁

To this end, the two-dimensional electron gas layer is provided within a mesa 111 (mesa structure) for coupling the bit elements, and the superconducting quantum box electrodes 101, 102 and an electron gas excluding electrode 112 are located on the two-dimensional electron gas layer of the mesa 111 (mesa structure).例文帳に追加

このため、ビット素子間結合用メサ部１１１（メサ構造）内に２次元電子ガス層が備えられ、超伝導量子箱電極１０１、１０２と電子ガス排除電極１１２とがビット素子間結合用メサ部１１１（メサ構造）の２次元電子ガス層上に配置されている。 - 特許庁

To provide a crystal device using a mesa-structure crystal piece enabling fine frequency adjustment.例文帳に追加

周波数の微調整が可能なメサ型水晶片を用いた水晶デバイスを提供する。 - 特許庁

The bottom surface of the guard ring region has a mesa structure in which the collector layer 12 is removed.例文帳に追加

ガードリング領域の下面は、コレクタ層１２が除去されたメサ構造となっている。 - 特許庁

A laminate structure in a mesa stripe shape is formed on a substrate made of InP.例文帳に追加

ＩｎＰからなる基板の上にメサストライプ形状の積層構造体が形成されている。 - 特許庁

A buried layer is buried in both the sides of the mesa structure of the laser oscillator and the optical amplifier.例文帳に追加

レーザ発振器及び光増幅器のメサ構造の両脇を埋込層が埋め込む。 - 特許庁

To obtain a structure of a semiconductor element having a higher breakdown voltage and reliability than those of the conventional semiconductor element of planar structure or mesa structure.例文帳に追加

従来のプレーナ構造又はメサ構造の半導体素子よりも耐圧が高く且つ信頼性も高い半導体素子の構造を得る。 - 特許庁

The distance (L2) between a first mesa structure consisting of an emitter layer and a base layer and a second mesa structure consisting of the base layer and a collector layer is set in the range of 3-9 μm.例文帳に追加

また、エミッタ層およびベース層からなる第１のメサ構造と、ベース層およびコレクタ層からなる第２のメサ構造との距離（Ｌ２）を３μｍ以上９μｍ以下とした。 - 特許庁

To promote a high output of a ridge waveguide-type semiconductor laser device having a mesa stripe structure.例文帳に追加

メサストライプ構造を有するリッジ導波路型半導体レーザ素子の高出力化を推進する。 - 特許庁

To reduce the dark current and to improve the reliability of an avalanche photodiode in mesa structure.例文帳に追加

メサ構造アバランシェフォトダイオードにおいて、その暗電流の低減と信頼性の向上を図る。 - 特許庁

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING TRENCH OR MESA-STRUCTURE, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

トレンチ構造またはメサ構造を有するＩＩＩ族窒化物半導体装置およびその製造方法 - 特許庁

From the upper part of the buffer layer to the contact layer are formed as a striped mesa structure 22.例文帳に追加

バッファ層の上部からコンタクト層までは、ストライプ状メサ構造２２として形成されている。 - 特許庁

An optical element comprises: a mesa structure that is formed on a substrate and includes an active layer therein; and a dielectric film formed so as to overlap the edge face of the mesa structure.例文帳に追加

本発明に係る光素子は、基板上に形成されたメサ構造であってその内部に活性層を含むものと、該メサ構造の端面に重なるように形成された誘電体膜と、を備えるものである。 - 特許庁

In a mesa structure semiconductor laser 10, a stripe structure contact 18 is specified on the top of the mesa, and patterned dielectric coating to be used for providing significant waveguide property contains chalcogenide glass 16.例文帳に追加

メサ構造半導体レーザ１０では、メサの頂部にストライプ構造コンタクト１８を規定し、有意な導波性を提供するために用いられるパターン化された誘電体コーティングは、カルコゲナイドガラス１６を含む。 - 特許庁

The stacked structure from the p-InP buried layer 26 to the n-InP lower clad layer 14 is worked as a striped mesa, and both sides of the mesa are buried by a current block structure.例文帳に追加

ｐ−ＩｎＰ埋め込み層２６からｎ−ＩｎＰ下部クラッド層１４の上部までの積層構造は、ストライプ状メサとして加工され、メサの両側は、電流ブロック構造で埋め込まれている。 - 特許庁

This inactivates dangling bonds (defects) 3 at mesa etched parts (end faces of the mesa structure) and shuts off the water molecules.例文帳に追加

これにより、メサエッチ部（メサ型構造の端面）１０におけるダングリングボンド（欠陥）３を不活性化させるとともに、水分子を遮断することもできるので、暗電流が流れにくくなる。 - 特許庁

In the structure, the height of a surface extending to both outsides of a mesa stripe 12 of the semiconductor laser section I is higher than the height of the surface extending to both outsides of the mesa stripe 12 of the optical modulator section II.例文帳に追加

この構造において、メサストライプ１２の両外側に延在する面の高さを、光変調器部IIよりも半導体レーザ部Iが高くなるようにする。 - 特許庁