「mesa structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A high resistance regrowth layer 110 is arranged around an optical element 100 having a mesa structure 131.例文帳に追加

メサ構造１３１を有する光素子１００の周囲に高抵抗の再成長層１１０を配置する。 - 特許庁

Another sequence of lithography and etching is used to form a ridge structure 32 with a width w on top of the mesa.例文帳に追加

リソグラフィおよびエッチングの別の手順は、メサの上部に幅ｗのリッジ構造３２を形成する。 - 特許庁

Next, wet etching is executed by using an SiO_2 film as a mask to form a mesa on the semiconductor laminated structure.例文帳に追加

次に、ＳｉＯ_２膜をマスクとしてウェットエッチングを行い、半導体積層構造にメサを形成する。 - 特許庁

The SiO_2 film 15 is used as a mask for applying etching to the semiconductor film 11 to form a mesa structure 16.例文帳に追加

ＳｉＯ_２膜１５をマスクとして半導体膜１１をエッチングしてメサ構造１６を形成する。 - 特許庁

For example, a structure which usually accompanies a FinFET is formed on a side surface of a thick silicon mesa.例文帳に追加

一実例では、フィンＦＥＴに普通に付随する構造体を厚いシリコン・メサの側面に形成する。 - 特許庁

This semiconductor optical element 10 is provided with an optical waveguide of a mesa structure formed on a substrate and including an active layer, and an embedding layer covering both side faces of the mesa structure and formed of a high-resistance semiconductor.例文帳に追加

半導体光素子１０は、基板上に形成された活性層を含むメサ構造の光導波路と、このメサ構造の両側面を被覆する高抵抗半導体からなる埋め込み層とを備える。 - 特許庁

An edge based image transfer process includes depositing an etch-masking medium, for example, a nitride on the sidewall of a mesa and removing the mesa so as to leave the sidewall structure.例文帳に追加

エッジ・ベースのイメージ転写プロセスは、メサの側壁上にエッチマスキング媒体を、例えば、窒化物を付着させることと、メサを除去させることを含み、それにより側壁構造が残される。 - 特許庁

A second layer of a second conductivity type is formed in a recessed part of the mesa structure of the first layer by a liquid-phase growing method.例文帳に追加

第１の層のメサ構造の凹部に、液相成長法により第２導電型の第２の層を形成する。 - 特許庁

The semiconductor layer is dry-etched by using the mask to form a semiconductor mesa for an optical waveguide structure.例文帳に追加

このマスクを用いて半導体積層をドライエッチングして光導波路構造のための半導体メサを形成する。 - 特許庁

To reduce variations in transistor characteristics of an MOS transistor that is formed on an SOI substrate and has a mesa isolation structure.例文帳に追加

ＳＯＩ基板上に形成されたメサ分離構造のＭＯＳトランジスタのトランジスタ特性のバラツキを低減する。 - 特許庁

The edge face of the mesa structure is formed so as to have more than three corners.例文帳に追加

そして、該メサ構造の端面は、３箇所以上の角部を有するように形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode exhibiting a sufficient characteristic and having a mesa-structure, and to provide a method of manufacturing the diode.例文帳に追加

良好な特性を示す、メサ構造部を備えたショットキーバリアダイオードおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor light-receiving element is provided with: the semiconductor substrate 1, and the mesa-structure 20 protruding from the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体受光素子は、半導体基板１と、半導体基板１から突出するメサ構造２０とを備える。 - 特許庁

A plurality of first metal layers are formed on the mesa structure in the same planar shape as the first metal layers.例文帳に追加

上記メサ構造上には複数の第1金属層がこれと同じ平面形状で夫々形成される。 - 特許庁

An optical semiconductor comprises an optical waveguide 50 made of a semiconductor and having a mesa type structure; and a photodiode 52 made of a semiconductor, connected to the optical waveguide 50 and including an optical waveguide structure with a wider mesa type structure than the optical waveguide 50.例文帳に追加

半導体からなり、メサ型構造を有する光導波路５０と、半導体からなり、光導波路５０に接続され、光導波路５０よりも広いメサ型構造を有する光導波路構造を備えたフォトダイオード５２と、を有する光半導体。 - 特許庁

On the side of the mesa structure 120, a first insulating film 108 composed of an inorganic material is formed and on the first insulating film 108, a resin layer 109 is formed so as to fill the peripheral portion of the mesa structure 120.例文帳に追加

メサ構造体１２０の側面上には無機材料からなる第１の絶縁膜１０８が形成され、該第１の絶縁膜１０８の上にはメサ構造体１２０の周辺部を埋めるように樹脂層１０９が形成されている。 - 特許庁

FORMING METHOD FOR AT LEAST ONE REGION OR AT LEAST ONE MESA STRUCTURE OR RIDGE STRUCTURE ELECTRICALLY PUMPED IN LAYER OR IN LAYER SEQUENCE例文帳に追加

層または層シーケンスにおいて電気的にポンピングされる少なくとも１つの領域または少なくとも１つのメサ構造またはリッジ構造を形成する方法 - 特許庁

The lamination structure is etched into a mesa stripe, at both ends of which p-n separated current constricting areas are formed.例文帳に追加

積層構造はメサストライプにエッチング加工され、その両側にはｐｎ分離の電流狭窄領域が形成されている。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor device having a trench or mesa-structure, in which leak of a current and a decrease in withstand voltage are prevented.例文帳に追加

リーク電流や耐圧低下の防止された、トレンチ構造またはメサ構造を有するIII 族窒化物半導体装置。 - 特許庁

To provide a vertical cavity surface emission laser (VCSEL) which uses mode control and is formed by selective patterning of an upper side mesa structure.例文帳に追加

上側メサ構造体の選択的パターニングにより形成された、モード制御を伴うＶＣＳＥＬを提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor element having a semiconductor mesa padding structure capable of reducing the generation of bubbles in padded resin.例文帳に追加

埋込樹脂内の気泡の発生を低減できる半導体メサの埋込構造を有する半導体素子を提供する。 - 特許庁

A mesa laminate portion 8 is formed by forming a drain trench 6 in the nitride semiconductor laminate structure 2.例文帳に追加

窒化物半導体積層構造部２には、ドレイントレンチ６が形成されることにより、メサ積層部８が形成されている。 - 特許庁

The pad layers, the intrinsic base layer, and the extrinsic base layer form a mesa structure that coincide with the outer sidewall surfaces.例文帳に追加

パッド層、真性ベース層、および外因性ベース層は、一致した外側の側壁表面を有するメサ構造を形成する。 - 特許庁

In the imprint mold, a region where an uneven pattern is formed is formed into a mesa structure higher than the surrounding surface.例文帳に追加

インプリントモールドは、凹凸パターンが形成されている領域が、その周囲の面よりも高いメサ構造に形成される。 - 特許庁

A mesa structure part 3A of the structure 3 is electrically connected to a λ/4 microstrip line (a length is 1/4 of the wavelength of a microwave) 8, and a mesa structure 3B is connected to a metal electrode 9 via a metal thin film 4.例文帳に追加

超伝導超格子構造３のメサ構造部分３Ａは、金属薄膜４を介して、λ／４マイクロストリップライン（長さがマイクロ波の波長の１／４）８に電気的に接合されており、メサ構造部分３Ｂは、金属薄膜４を介して金属電極９に接続されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical element in which a mesa structure is formed by wet etching, capable of preventing abnormal etching from occurring at a corner of the mesa structure, and to provide a method for manufacturing the element.例文帳に追加

本発明は、ウェットエッチングを行いメサ構造を形成する半導体光素子とその製造方法において、メサ構造の角部で異常エッチングが起こることを回避できる半導体光素子とその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To stably suppress a pushing-up of a mesa end when an element separation structure is formed while suppressing an increase in the number of processes.例文帳に追加

、工程数の増加を抑制しつつ、素子分離構造形成時にメサ端が押し上げられることを安定して抑制する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor laser device of superior characteristics restraining Al contained in the side of a mesa stripe from be oxidized in the semiconductor laser of BH structure.例文帳に追加

ＢＨ構造等の半導体レーザ装置において、メサストライプ部側面でのＡｌの酸化を抑えて良好な特性を得る。 - 特許庁

The surface light emission type laser device has a mesa structure 120 composed of a semiconductor lamination film formed into a convex section form.例文帳に追加

面発光型レーザ素子は、断面凸状に形成された半導体積層膜からなるメサ構造体１２０を有している。 - 特許庁

To provide a multi-mesa FET structure having a doped sidewall for a source/drain region and its forming method.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域のためのドープされた側壁を有するマルチ・メサ型ＦＥＴ構造およびその形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a VCSEL accompanying modal control that is formed by the selective patterning of an upper-side mirror or a mesa structure.例文帳に追加

上側ミラー又はメサ構造体の選択的パターニングにより形成された、モード制御を伴うＶＣＳＥＬを提供すること。 - 特許庁

When the device is compared with a semiconductor device of a conventional technology, a structure of the mesa becomes considerably simpler, and the semiconductor device 100 can easily be reduced by reducing a mesa width.例文帳に追加

したがって、従来技術に係る半導体装置と比較した場合、メサ部の構成が極めて単純になっており、メサ幅を縮めることによって半導体装置１００の縮小化を諮ることが非常に容易である。 - 特許庁

Therefore, section of the mesa structure is uniformized, using bromine water and hydrobromic acid or aqueous solution containing hydrobromic acid and peroxyhydrate acid (Br group etching solution) (third step), and an electrode is formed on the surface of the mesa structure (fourth step).例文帳に追加

しかる後、臭素水および臭化水素酸、若しくは臭化水素酸および過酸化水素水を含む水溶液（Ｂr系エッチング液）を用いてメサの断面形状を滑らかに成型した後（第３の工程）、メサの表面に電極を形成する（第４の工程）。 - 特許庁

A laser light is emitted from the upper portion side of the forming region of the mesa structure portion 4, directed in a direction perpendicular to the substrate surface of the semiconductor substrate 2.例文帳に追加

レーザ光は、メサ構造部４の形成領域の上部側から半導体基板２の基板面に垂直な方向に発する。 - 特許庁

Then an epitaxial layer is etched by As or P-group etching solution to form an interlayer separating mesa structure (second step).例文帳に追加

次いでエピタキシャル層をＡs系またはＰ系のエッチング液を用いてエッチングして素子間分離構造をなすメサを形成する（第２の工程）。 - 特許庁

In this way, the mesa part 131 emerged with a plane direction at circular main structure etching is coated with the regrowth layer 110.例文帳に追加

これによって、円形の主要構造のエッチング時に現れる面方位を持ったメサ部１３１が再成長層１１０で被覆される。 - 特許庁

The semi-insulating semiconductor embedded layer is formed on both sides of the mesa structure part in the direction crossing the lamination direction.例文帳に追加

半絶縁性半導体埋込層は、上記積層の方向に交差する方向においてメサ構造部の両側に設けられている。 - 特許庁

This semiconductor optical element includes a p-type semiconductor substrate, a mesa structure part, a semi-insulating semiconductor embedded layer, and a diffusion prevention layer.例文帳に追加

半導体光素子は、ｐ型半導体基板、メサ構造部、半絶縁性半導体埋込層、及び、拡散防止層を備えている。 - 特許庁

To ensure the throwing power of a metal during formation of an electrode, and to constrict a current being injected into a stripe mesa structure effectively.例文帳に追加

電極形成時の金属のつきまわり性を確保し、且つストライプメサ構造に注入される電流を効果的に狭窄する。 - 特許庁

A recess for constituting a mesa structure 14 in an outer-peripheral region and a contact trench 21 for an SBD 20 are formed in the same step.例文帳に追加

外周領域のメサ構造部１４を構成するための凹部とＳＢＤ２０のコンタクト用トレンチ２１とを同じ工程で形成する。 - 特許庁

To provide a vertical construction of a bipolar transistor having a flatter profile than triple mesa structure according to various embodiments.例文帳に追加

種々の実施形態により、３重メサ型構造よりも平面的なプロフィルを有するバイポーラ・トランジスタの垂直構造を提供すること。 - 特許庁

The mesa structure part includes a p-type clad layer, an active layer, and an n-type clad layer which are laminated on the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

また、メサ構造部は、ｐ型半導体基板の上に積層されたｐ型クラッド層、活性層、及びｎ型クラッド層を含んでいる。 - 特許庁

An embedding structure for embedding the side faces 28a, 28b in the first core layer 27b is asymmetric with respect to the semiconductor stripe mesa 13.例文帳に追加

第１のコア層２７ｂにおける側面２８ａ、２８ｂを埋め込む埋込構造は半導体ストライプメサ１３に関して非対称である。 - 特許庁

A step (S50) of selectively growing an epitaxial film constituting the mesa structure part on the substrate is performed with the second mask layer as a mask.例文帳に追加

第２のマスク層をマスクとして、基板上にメサ構造部を構成するエピタキシャル膜を選択成長させる工程（Ｓ５０）を実施する。 - 特許庁

The arrangement direction of a mesa structure of the semiconductor laser is a direction optimum for regrowth to a side face of the mesa structure, and the arrangement direction of two arm waveguides provided in the semiconductor Mach-Zehnder modulator is a direction for maximizing Pockels effect to the two arm waveguides.例文帳に追加

半導体レーザのメサ構造の配置方向は、メサ構造の側面への再成長に最適な方向であり、半導体マッハツェンダ型変調器が有する２本のアーム導波路の配置方向は、２本のアーム導波路に対するポッケルス効果が最大となる方向とする。 - 特許庁