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mesa typeの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 234件
MESA TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
メサ型半導体装置 - 特許庁
MESA TYPE CRYSTAL OSCILLATOR例文帳に追加
メサ型水晶振動子 - 特許庁
MESA TYPE OSCILLATION PIECE, MESA TYPE OSCILLATION DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD OF MESA TYPE OSCILLATION DEVICE例文帳に追加
メサ型振動片、メサ型振動デバイスおよびメサ型振動デバイスの製造方法 - 特許庁
INVERSE MESA TYPE PIEZOELECTRIC RESONATOR例文帳に追加
逆メサ型圧電共振子 - 特許庁
MESA TYPE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING MESA TYPE SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加
メサ型半導体素子及びメサ型半導体素子の製造方法 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING MESA TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MESA TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
メサ型半導体装置の製造方法及びメサ型半導体装置 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING MESA-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
メサ型半導体装置の製法 - 特許庁
MESA TYPE PIEZOELECTRIC VIBRATION REED, MESA TYPE PIEZOELECTRIC VIBRATION DEVICE, OSCILLATOR, AND ELECTRONIC APPARATUS例文帳に追加
メサ型圧電振動片、メサ型圧電振動デバイス、発振器、及び電子機器 - 特許庁
A mesa type light-emitting part is formed in a circle-type structure.例文帳に追加
メサ型発光部は、円形型構造である。 - 特許庁
MESA TYPE PIEZOELECTRIC OSCILLATING REED AND PIEZOELECTRIC DEVICE例文帳に追加
メサ型圧電振動片及び圧電デバイス - 特許庁
MESA TYPE DIODE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
メサ型ダイオード及びその製造方法 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF MESA TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
メサ型半導体装置の製造方法 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF MESA TYPE PIEZOELECTRIC VIBRATING ELEMENT例文帳に追加
メサ型圧電振動素子の製造方法 - 特許庁
MESA-TYPE PIEZOELECTRIC VIBRATOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
メサ型圧電振動子とその製造方法 - 特許庁
MESA TYPE ZENER DIODE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
メサ型ツェナーダイオード及びその製造方法 - 特許庁
MESA TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
メサ型半導体装置及びその製造方法 - 特許庁
MESA TYPE SUPERCONDUCTING ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
メサ型超伝導素子及びその製造方法 - 特許庁
SOLID-STATE IMAGING DEVICE EQUIPPED WITH MESA-TYPE PHOTO DETECTOR例文帳に追加
メサ型受光素子を備えた固体撮像装置 - 特許庁
To provide a mesa type oscillation piece which suppresses unnecessary vibrations while making a plane size small, a mesa type oscillation device and a manufacturing method of the mesa type oscillation device.例文帳に追加
平面サイズを小型化しつつ、不要振動を抑圧したメサ型振動片、メサ型振動デバイスおよびメサ型振動デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a mesa type piezoelectric vibration reed enhancing frequency variable sensitivity while suppressing unnecessary vibration, and further to provide a mesa type piezoelectric vibration device using the mesa type piezoelectric vibration reed.例文帳に追加
周波数可変感度を高くするとともに、不要な振動を抑圧したメサ型振動片およびこれを用いたメサ型振動デバイスを提供する。 - 特許庁
ORDER MESA TYPE AVALANCHE PHOTODIODE AND ITS FABRICATING METHOD例文帳に追加
順メサ型アバランシェフォトダイオード及びその製造方法 - 特許庁
To provide a mesa type vibrating piece and a mesa type vibrating device in which contour vibration and bending vibration being unnecessary vibration are suppressed.例文帳に追加
不要振動である輪郭振動と屈曲振動を抑圧したメサ型振動片およびメサ型振動デバイスを提供する。 - 特許庁
To provide a means for mass-producing a compact mesa type piezoelectric substrate.例文帳に追加
小型のメサ型圧電基板を多量に生産する手段を得る。 - 特許庁
The mesa structure part is formed on the p-type semiconductor substrate.例文帳に追加
メサ構造部は、p型半導体基板の上に設けられている。 - 特許庁
To suppress reflection of light between a buried-type semiconductor laser and a high mesa ridge type modulator.例文帳に追加
埋め込み型半導体レーザとハイメサリッジ型変調器との間の光の反射を抑える。 - 特許庁
The semiconductor optical element in which a mesa structure is formed by wet etching includes a mesa structure of a ridge-type or a high-mesa-type, formed on a semiconductor substrate, and an extended mesa formed on the semiconductor substrate and connected to a corner of the mesa structure, the material of which is the same as the material of the mesa structure.例文帳に追加
ウェットエッチングによりメサ構造が形成された半導体光素子であって、半導体基板上に形成されたリッジ型またはハイメサ型の該メサ構造と、該半導体基板上に形成され、かつ、該メサ構造の角部に接続された該メサ構造と同一材料である延伸メサと、を有することを特徴とする。 - 特許庁
The semiconductor optical element 1 includes the semiconductor mesa part M including the light-emitting layer 23 and a p-type clad layer 25, and a p-type buried region 13, and the semiconductor mesa part M has a first mesa region Ma and second mesa regions Mb and Mc, the first mesa region Ma being positioned between the second mesa regions Mb and Mc.例文帳に追加
半導体光素子1は、発光層23及びp型クラッド層25とを含む半導体メサ部Mと、p型埋め込み領域13と、を備え、半導体メサ部Mは、第1メサ領域Ma及び第2メサ領域Mb,Mcを有し、第1メサ領域Maは第2メサ領域Mb及びMc間に位置する。 - 特許庁
MESA-TYPE COMPOUND SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS PREPARATION例文帳に追加
メサ型化合物半導体電界効果トランジスタ及びその作製方法 - 特許庁
An n-type InP contact layer 20 is provided on the side face of a mesa.例文帳に追加
メサの側面にはn−InPコンタクト層20が設けられている。 - 特許庁
To solve a problem that a semiconductor substrate 6 is flexed when a protective film is formed in a mesa trench at the time of fabricating a mesa type transistor.例文帳に追加
メサ型トランジスタを製造する時にメサ溝に保護膜を形成すると半導体基板6に撓みが生じる。 - 特許庁
In the HEMT 100, mesa-type conduction channels are connected in parallel.例文帳に追加
HEMT100では、メサ型の伝導チャネルが並列に接続されている。 - 特許庁
The mesa type oscillation piece 10 includes a mesa part 12 provided with an excitation electrode on a principal plane 12a, and a thin part 14 provided at a side part, which is obtained by being made thinner than the mesa part 12 and united with the mesa part 12 into a single body.例文帳に追加
メサ型振動片10は、励振電極20を主面12aに備えたメサ部12と、メサ部12よりも薄くして、メサ部12と一体にして側方に設けた薄肉部14と、を備えている。 - 特許庁
The semiconductor mesa 23 includes, in addition to the light emitting area 17, a mesa portion 19a of the second conductivity type clad area 19.例文帳に追加
半導体メサ23は、発光領域17に加えて、第2導電型クラッド領域19のメサ部分19aを含む。 - 特許庁
A buried-type semiconductor laser 12 and a high mesa ridge type modulator 14 are provided on an n-type InP substrate 10.例文帳に追加
n型InP基板10上に、埋め込み型半導体レーザ12とハイメサリッジ型変調器14が設けられている。 - 特許庁
To obtain the stable device characteristics and reliability for a prolonged term of a mesa type photo-diode.例文帳に追加
メサ型フォトダイオードの安定なデバイス特性及び長期信頼性を得る。 - 特許庁
The mesa-type oscillation piece 10 has a thick portion 14 and a thin portion 16.例文帳に追加
メサ型振動片10は、肉厚部14および肉薄部16を有している。 - 特許庁
To suppress damage to a mesa type nanoimprinting mold during cleansing of the mold.例文帳に追加
ナノインプリント用のメサ型のモールドの洗浄においてモールドの破損を抑制する。 - 特許庁
Subsequently, the p-type clad layer 7 is processed into a mesa shape by etching the p-type clad layer 7 with a mixed liquid of hydrochloric acid and acetic acid by using the mesa of the p-type contact layer 8 as a mask.例文帳に追加
次いで、p型クラッド層7を、p型コンタクト層8のメサをマスクとして、塩酸及び酢酸の混合液でエッチングすることにより、p型クラッド層7をメサ形状に加工する。 - 特許庁
Preferably, the bending semiconductor optical waveguide is an optical waveguide of a high-mesa type.例文帳に追加
好ましくは、前記曲げ半導体光導波路は、ハイメサ型光導波路である。 - 特許庁
The connecting terminal 2 is solder connected to the small- diameter circular portion 12 of a mesa type diode chip 1.例文帳に追加
メサ型ダイオードチップ1の小径円部12に接続端子2をハンダ付けする。 - 特許庁
To provide a means for mass-producing a mesa type piezoelectric substrate having a trapezoidal projection.例文帳に追加
台形状の突起部を有するメサ型基板を多量に生産する手段を得る。 - 特許庁
Next, a p-type InP embedding layer 17 is formed to cover the surface of the mesa.例文帳に追加
次に、メサの表面を覆うようにp型InP埋込層17を形成する。 - 特許庁
The mesa type semiconductor element 1 comprises an n^+-type semiconductor layer 3, an n^--type semiconductor layer 4, and a p-type semiconductor layer 5, which are formed in a silicon substrate 2, and is formed with a mesa recess 6 on the side face.例文帳に追加
メサ型半導体素子1は、シリコンからなる基板2に形成されたn^+型半導体層3と、n^−型半導体層4と、p型半導体層5とを備えるとともに、側面にはメサ溝6が形成されている。 - 特許庁
The side face 23 of a mesa (a light-receiving region mesa 19) and at least a part (a shoulder 25) of the shoulder of the mesa in the top face 24 of the mesa are coated continuously with a first conductivity type, second conductivity type, semi-insulating type or non-doped semiconductor layer (such as a non-doped InP layer 17) grown thereon.例文帳に追加
メサ(受光領域メサ19)の側面23と、メサの上面24における少なくとも当該メサの肩の部分(肩部25)とは、それらの上に成長された第1導電型、第2導電型、半絶縁型、ないしノンドープの半導体層(例えば、ノンドープInP層17)により連続的に被覆されている。 - 特許庁
Subsequently, after a step of forming the p-type contact layer 8, the p-type contact layer 8 is processed into a mesa shape.例文帳に追加
次いで、p型コンタクト層8を形成する工程の後、p型コンタクト層8をメサ形状に加工する。 - 特許庁
The p-type clad layer 25 has a first part 25_1 in the first mesa region Ma and second parts 25_2 in the second mesa regions Mb and Mc.例文帳に追加
p型クラッド層25が、第1メサ領域Ma内の第1部分25_1と、第2メサ領域Mb,Mc内の第2部分25_2とを有する。 - 特許庁
The high mesa ridge type modulator 14 includes a high mesa ridge 24 having a modulation layer 22, silicon nitride films 26 contacting a side surface of the high mesa ridge 24, and silicon oxide films 28 provided on the silicon nitride films 26.例文帳に追加
ハイメサリッジ型変調器14は、変調層22を持つハイメサリッジ24と、ハイメサリッジ24の側面に接するシリコン窒化膜26と、シリコン窒化膜26上に設けられたシリコン酸化膜28とを有する。 - 特許庁
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