「metal interfaces」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

This gas diffusion member is formed by two metal plates in which a plurality of through holes 14 are formed, which are brought into surface contact with each other along the passing direction of the through holes 14, and which are multilayer laminated lath metals 10 having capillary tubes 12 between metal-metal interfaces formed by surface contact.例文帳に追加

ガス拡散部材は、２枚の金属板に複数の貫通孔１４が形成され、さらに貫通孔１４の貫通方向に沿ってそれぞれ互いに面接触し、この面接触してなる金属−金属界面間の毛管１２を有する多層積層ラスメタル１０からなる。 - 特許庁

The negative-electrode active material comprises composite material particles containing silicon and graphite, a carbon layer covering surfaces of the composite material particles and a silicon-metal alloy formed between interfaces of the composite material and the carbon layer.例文帳に追加

シリコン及びグラファイトを含む複合材料粒子と、複合材料粒子の表面をカバーするカーボン層と、複合材料とカーボン層との界面間に形成されたシリコン−金属合金と、を含む陰極活物質である。 - 特許庁

The control gate electrode has a barrier film formed on at least one of interfaces among the plurality of laminated conductive films in order to minimize diffusion of metal atoms.例文帳に追加

制御ゲート電極は、積層された複数の導電膜間の界面のうちの少なくとも１つに形成され金属原子の拡散を抑制するバリア膜を有する。 - 特許庁

Thereby, when the semiconductor device is formed, the contact resistances in the interfaces between wiring metal layers and a silicon layer can be simultaneously reduced on the N-type semiconductor layer and on the P-type semiconductor layer.例文帳に追加

これにより半導体装置を形成すると、配線の金属とシリコンとの界面の接触抵抗をＮ型半導体層上とＰ型半導体層上とで同時に低減する事ができる。 - 特許庁

In the new method, excellent H passivations for interfaces are formed after thermal budget through a standard process flow is generated by carrying out an SF_6-based metal chemical etching reaction for introducing fluorine.例文帳に追加

新規な方法は、フッ素を導入するためにＳＦ_６ベースの金属エッチング化学反応を用い、これにより標準プロセスフローの熱量の後に、界面の優秀なＨパッシベーションが得られる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device of a structure, wherein the suppression of a parasitic resistance due to the contact resistances in the interfaces between wiring metal layers and a silicon layer in the device is aimed at and as the result, a field-effect transistor has a high drive force under low voltage, and the device is operated at high speed.例文帳に追加

接触抵抗に起因する寄生抵抗の抑制を計り、その結果として低い電圧で高い駆動力を有し速い速度で動作する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a metal carrier which prevents the buckling and deforming of a honeycomb body by devising the joint structure in the honeycomb body even if the stiffness of the honeycomb body is increased by increasing the number of interfaces in the honeycomb body.例文帳に追加

ハニカム体内の接合点数を増加して、ハニカム体の剛性を増加させつつも、ハニカム体内の接合構造を工夫することにより、ハニカム体の座屈／変形を防ぐことができるようなメタル担体を提供する． - 特許庁

The plurality of metal interfaces (82, 84, 86) joins the first half (78) and the second half (80) of the inner cylinder (74) and also join the inner cylinder (74) to the outer cylinder (72).例文帳に追加

複数の金属界面（８２、８４、８６）は内側シリンダ（７４）の第１の半分（７８）と第２の半分（８０）を結合させており、かつまた内側シリンダ（７４）を外側シリンダ（７２）に結合させている。 - 特許庁

To provide a golf club head having a metal shell structure, increased in the bonding strength in the mutual interfaces of a compound head composed of the head body and a face part of a plurality of metal shell members made of dissimilar metals.例文帳に追加

金属外殻構造を有するゴルフクラブヘッドであって、複数の金属外殻部材のヘッド本体とフェース部が異種金属からなる複合ヘッドの互いの界面間における接合強度を高めるゴルフクラブヘッドを提供する。 - 特許庁

A method for forming electrodes for a solar cell comprises steps of forming electrodes 11, 12 on a semiconductor substrate 1 by plating, and forming, by a heat treatment, layers 15, 16 of alloy comprising semiconductor metal and plating metal at interfaces between the semiconductor substrate 1 and the plating electrode 11 and between the semiconductor substrate 1 and the electrode 12, respectively.例文帳に追加

太陽電池の電極形成方法は、めっき法により半導体基板１上に電極１１，１２を形成した後、熱処理により半導体基板１とめっき電極１１，１２との界面に、半導体とめっき金属との合金層１５，１６を形成することを特徴とする。 - 特許庁

A method for forming the solar cell comprises steps of forming the electrodes 11, 12 on the semiconductor substrate 1 by plating, and forming, by heat treatment, the layers 15, 16 of alloy comprising semiconductor metal and plating metal at the interfaces between the semiconductor substrate 1 and the plating electrode 11, and between the semiconductor substrate 1 and the electrode 12, respectively.例文帳に追加

また、本発明の太陽電池は、めっき法により半導体基板１上に電極１１，１２を形成した後、熱処理により半導体基板１とめっき電極１１，１２との界面に、半導体とめっき金属との合金層１５，１６を形成する方法により製造されることを特徴とする。 - 特許庁

Interfaces between all layers in the multilayer film (interface between the p-type semiconductor layer 13P and an insulating layer 14, and interface between the insulating layer 14 and the metal layer 15) are configured so as to be substantially perpendicular to the elongation direction (Z-axis direction) of the emitting portion 10.例文帳に追加

また、この多層膜内における全ての層間の界面（ｐ型半導体層１３Ｐと絶縁層１４との界面および絶縁層１４と金属層１５との界面）が、放出部１０の伸長方向（Ｚ軸方向）と略垂直となっているようにする。 - 特許庁

The battery system electrically connects in parallel an electronic device having a rectifying function such as a rectifier and the like, and rectifying units 30A to 30F comprising at least one of rectifying interfaces such as metal/semiconductor interface and the like, to each of unit cells 10A to 10F electrically connected in series.例文帳に追加

電気的に直列に接続された単位セル１０Ａ〜１０Ｆの各々に対して、整流器などの整流機能を有する電子素子、および、金属−半導体界面などの整流作用を有する界面のうち少なくとも一方よりなる整流部３０Ａ〜３０Ｆを、電気的に並列に接続する。 - 特許庁

A semiconductor device having a metal-insulator-semiconductor (MIS) structure in which each deuterium concentration near interfaces between a semiconductor substrate and a film or a layer formed in the semiconductor device such as a gate insulation film, an interlayer insulation film, a wiring layer and a protective insulation film is 1x1019 cm-3 and over.例文帳に追加

半導体基板とゲート絶縁膜、層間絶縁膜、配線層、保護絶縁膜等の半導体装置に形成される膜又は層の界面近傍での重水素元素濃度が1x1019cm-3以上であることを特徴とする金属−絶縁膜−半導体（MIS）構造を有する半導体装置。 - 特許庁

Specifically, a particle structure of the metal forming the Schottky electrode 4 is not made to be a columnar structure but is made to be a granular structure, and oxygen is made to be hardly taken in the interface through interfaces between the particles as compared with the columnar structure so that SiO_X is not formed, thereby the lattice matching between the metal forming the Schottky electrode 4 and the SiC is achieved.例文帳に追加

具体的には、ショットキー電極４を構成する金属の粒子構造が柱状構造ではなく粒状構造となるようにし、柱状構造となっている場合と比較して、粒子間の境界を通じて界面に酸素が取り込まれ難くなるようにすることで、ＳｉＯ_Xが形成されないようにしてショットキー電極４を構成する金属をＳｉＣと格子整合させる。 - 特許庁

To provide conductive particulates which are used for conductive connection between fine electrodes, and in which wire-disconnection caused by fractures between low-melting metal layers and breakage of connection interfaces between electrodes and the conductive particulates is hard to occur even if an impact due to falling or the like is applied, an anisotropic conductive material formed by using the conductive particulates, and a conductive connection structural body.例文帳に追加

微細な電極間の導電接続に用いられ、落下等による衝撃が加わっても低融点金属層の亀裂や、電極と該導電性微粒子との接続界面の破壊による断線が生じにくい導電性微粒子、該導電性微粒子を用いてなる異方性導電材料、及び、導電接続構造体を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor integrated circuit device having a through-hole electrode, when a through-via is formed after forming a pre-metal wiring layer, a silicon nitride type insulation film is used as a metal diffusion prevention film at an interface of an interlayer insulation film located at the upper end of the through-hole electrode, and a silicon carbide type insulation film is used as the metal diffusion prevention film at other interfaces of the interlayer insulation films.例文帳に追加

本願の一つの発明は、貫通電極を有する半導体集積回路装置において、プリメタル配線層形成よりも後に貫通ビアを形成する場合において、貫通電極の上端に当たる層間絶縁膜の界面に、メタル拡散防止絶縁膜として、窒化シリコン系絶縁膜を使用し、それ以外の層間絶縁膜の界面に、メタル拡散防止絶縁膜として、炭化シリコン系の絶縁膜を使用するものである。 - 特許庁