| 意味 | 例文 (9件) |
mosiを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 9件
To provide a means for suppressing the generation of HAZE on a MoSi light-shielding film caused by ArF exposure.例文帳に追加
ＡｒＦ露光によってＭｏＳｉ遮光膜上に発生するＨＡＺＥの発生を抑制する抑制手段の提供である。 - 特許庁
The metals here include Cu, Ta, Co, Ti, W, Mo, Ni or V, etc., and the high-melting point metal silicide includes Wsi, MoSi, NiSi or VSi, etc.例文帳に追加
前記金属は、Ｃｕ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｉ又はＶ等であり、前記高融点金属シリサイドは、ＷＳｉ、ＭｏＳｉ、ＮｉＳｉ又はＶＳｉ等である。 - 特許庁
(2) In the phase change type optical recording medium, the protective layer situated nearer the middle of the medium than the first recording layer comprises any one of BeO, AlNx-Y_2O_3, MoSi or SiC.例文帳に追加
（２）前記第１記録層よりも中央側（第２記録層に近い側）の保護層が、ＢｅＯ、ＡｌＮｘ−Ｙ_２Ｏ_３、ＭｏＳｉ、ＳｉＣの何れかからなることを特徴とする請求項１記載の相変化型光記録媒体。 - 特許庁
Preferably, the metal silicide film is any one kind of a WSi_x film, a TiSi_x film, an MoSi_x film, an NiSi_x film, a TaSi_x film, a CuSi_x film, and a CoSi_x film(where, x is an arbitrary number).例文帳に追加
前記金属シリサイド膜が、ＷＳｉ_ｘ膜、ＴｉＳｉ_ｘ膜、ＭｏＳｉ_ｘ膜、ＮｉＳｉ_ｘ膜、ＴａＳｉ_ｘ膜、ＣｕＳｉ_ｘ膜、および、ＣｏＳｉ_ｘ膜（ここで、ｘは任意の数）のうちいずれか１種であることが好ましい。 - 特許庁
For etching a glass of Levenson mask, etching Cr in a black defect of a binary mask or etching MoSi in a black defect of a phase shift mask, only the defect region 7 is selectively scanned with the tilted electron beam 4 while blowing xenon fluoride from a gas gun 8 to correct the defect.例文帳に追加
レベンソンマスクのガラスのエッチングや、バイナリマスクの黒欠陥のＣｒのエッチングや、位相シフトマスクの黒欠陥のＭｏＳｉのエッチングには、フッ化キセノンをガス銃８から流しながら前記の傾斜させた電子ビーム４で欠陥領域７のみ選択的に走査して欠陥の修正を行う。 - 特許庁
To prevent reattachment of chips produced during modification by removal to a substrate in a step of removing defective portions remaining so as to be different from a state expected by design against a design in a light shielding film Cr, an absorbing film TaN, a phase film MoSi left without being removed in the process and the substrate Qz by using a probe of an atomic force microscope.例文帳に追加
プロセス工程で除去されず残ってしまった遮光膜Ｃｒ、吸収膜ＴａＮ、位相膜ＭｏＳｉ、や基板Ｑｚの設計とは異なり残留した欠陥部分を原子間力顕微鏡の探針を用いて除去する工程において、除去修正時に発生する削り屑の基板への再付着を防止する。 - 特許庁
The halftone phase shift mask is produced by forming a MoSi-based halftone phase shift film having a film thickness giving a phase difference of ≤135° on a quartz glass substrate and engraving the quartz glass substrate with high perpendicular property and in-plane uniformity by dry etching by magnetic neutral line discharge plasma.例文帳に追加
本発明によるハーフトーン型位相シフトマスクは、石英ガラス基板上に、位相差が１３５°以下となるような膜厚をもつＭｏＳｉ系のハーフトーン位相シフト膜を設け、磁気中性線放電プラズマによるドライエッチングで石英ガラス基板を垂直性よく且つ面内均一性よく掘り込んで構成される。 - 特許庁
To provide a semiconductor device and its manufacturing method by which the problem of high on-voltage and high switching loss which occurs when a molybudenum silicide (MoSi) film of a conventional structure is used as a barrier metal can be changed to low on-voltage and low switching loss without deteriorating the resistance to wire bonding.例文帳に追加
本発明の目的は、従来構造であるモリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）膜をバリアメタルとして用いた場合に問題となる高オン電圧と高スイッチィング損失を、耐ワイヤボンディング性を損なわずに、低オン電圧、低スイッチィング損失にできる半導体装置及びその製造法を提供することにある。 - 特許庁
The method for manufacturing a halftone phase shift mask includes steps of forming the MoSi halftone phase shift film having a film thickness giving the phase difference of ≤135° on the quartz glass substrate by reactive sputtering and etching the quartz glass substrate using a chromium film as a mask by dry etching by magnetic neutral line discharge plasma with addition of a gas having an effect of protecting a side wall to the process gas.例文帳に追加
また、本発明によるハーフトーン型位相シフトマスクの製造法は、石英ガラス基板上に、反応性スパッタリング法によりＭｏＳｉ系のハーフトーン位相シフト膜を位相差が１３５°以下となるような膜厚に成膜し、続いてクロム膜をマスクとして、磁気中性線放電プラズマによるドライエッチングによりプロセスガスに側壁保護効果をもつガスを添加して、石英ガラス基板をエッチング処理することから成る。 - 特許庁
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