「multiple‐quantum」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Consequently, dislocation between the multiple quantum dot layers is avoided.例文帳に追加

このため、多重量子ドット層間の転位が回避される。 - 特許庁

MULTIPLE QUANTUM WELL LASER HAVING SELECTIVELY DOPED BARRIER例文帳に追加

選択ド—プされた障壁を有する多量子井戸レ—ザ - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF STRAIN MULTIPLE QUANTUM WELL STRUCTURE例文帳に追加

歪多重量子井戸構造の製造方法 - 特許庁

The light emitting layer 10 has a multiple quantum well structure which is constructed with an AlGaN with Al component of 50% or more as a multiple-quantum well layer.例文帳に追加

発光層１０は、Ａｌ組成が５０％以上のＡｌＧａＮ層を量子井戸層とした多重量子井戸構造を有する。 - 特許庁

MONOLITHIC MULTICOLORED MULTIPLE QUANTUM WELL SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE例文帳に追加

モノリシックのマルチカラーの多重量子井戸半導体発光ダイオード - 特許庁

Each gain region includes a quantum well consisting of multiple quantum well layers.例文帳に追加

各利得領域は、複数の量子井戸層からなる量子井戸を含む。 - 特許庁

LIGHT EMITTING DIODE HAVING ACTIVE REGION OF MULTIPLE QUANTUM WELL STRUCTURE例文帳に追加

多重量子ウェル構造の活性領域を有する発光ダイオード - 特許庁

LIGHT-EMITTING DIODE HAVING ACTIVE REGION OF MULTIPLE QUANTUM WELL STRUCTURE例文帳に追加

多重量子井戸構造の活性領域を有する発光ダイオード - 特許庁

To provide a semiconductor laser having a multiple quantum well structure (MQN).例文帳に追加

多重量子井戸構造（ＭＱＮ）の半導体レーザを提供する。 - 特許庁

METHOD FOR MEASURING AMOUNT OF STRAIN OF STRAINED MULTIPLE QUANTUM WELL STRUCTURE, AND MANUFACTURE OF THE STRUCTURE例文帳に追加

歪多重量子井戸構造の歪量測定方法及び作製方法 - 特許庁

The active layer 103 is provided with a distortion multiple quantum well structure.例文帳に追加

活性層１０３は歪多重量子井戸構造を有するものである。 - 特許庁

To provide a quantum point light emitting element with a multiple quantum point layer.例文帳に追加

多重量子点層を持つ量子点発光素子を提供する。 - 特許庁

To enable a multiple quantum well to suppress the occurrence of a characteristic change due to the dispersion of Au by applying an extremely simple alteration to the structure of a multiple quantum well infrared ray detector and to enable the improvement of element characteristics distribution, regarding the multiple quantum well infrared ray detector.例文帳に追加

多重量子井戸赤外線検出器に関し、多重量子井戸赤外線検出器の構造に極めて簡単な改変を加えることで多重量子井戸がＡｕの拡散で特性変化を生じることを抑止できるようにし、素子特性分布を改善できるようにする。 - 特許庁

The active region 105 has multiple-quantum well structure and its absorption end wavelength is 1.55μm.例文帳に追加

活性領域は多重量子井戸構造を有しその吸収端波長は１．５５μｍである。 - 特許庁

SINGLE-MODE LASER DIODE USING STRAIN COMPENSATED MULTIPLE QUANTUM WELL AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ストレイン補償多重量子井戸を用いる単一モード型レーザダイオード及びその製造方法 - 特許庁

A current is applied on the multiple quantum well layers in its thickness direction by a pair of electrodes.例文帳に追加

一対の電極が、多重量子移動層に、その厚さ方向の電流を流す。 - 特許庁

The semiconductor laser device 100 is provided with a multiple quantum well-separated and entrapped heterostructure.例文帳に追加

本発明の半導体レーザ素子１００は、多重量子井戸−分離閉じ込めヘテロ構造を有している。 - 特許庁

A quantum dot layer containing multiple quantum dots is arranged on a substrate.例文帳に追加

基板の上に、複数の量子ドットを含む量子ドット層が配置されている。 - 特許庁

The multiple quantum well layer 22 has a first quantum well layer 221 and a second quantum well layer 222.例文帳に追加

多重量子井戸層２２は、第１量子井戸層２２１および第２量子井戸層２２２を有する。 - 特許庁

A well layer in an active region of the multiple quantum well is formed by a GaInNas layer.例文帳に追加

多重量子井戸の活性領域の井戸層はＧａＩｎＮＡｓ層で形成されている。 - 特許庁

The optical wavelength transforming equipment is provided with an electroabsorption modulator 1 having a multiple quantum well structure and a polarizer 2.例文帳に追加

多重量子井戸構造の電界吸収形光変調器１と偏光子２とを備えている。 - 特許庁

To provide a light-emitting device using an active layer having a multiple quantum well.例文帳に追加

多重量子井戸を有する活性層を使用する発光デバイスを提供する。 - 特許庁

A first magnetic semiconductor multiple quantum well structure 2, a non-magnetic semiconductor quantum well structure 3 and a second magnetic semiconductor multiple quantum well structure 4 are formed in this order on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１上に、第１の磁性半導体多重量子井戸構造２、非磁性半導体量子井戸構造３、及び第２の磁性半導体多重量子井戸構造４を順次形成する。 - 特許庁

A multiple quantum well operates by the transition between subbands and forms the unipolar multiple quantum well oscillator for discharging electromagnetic waves at a specified oscillation frequency.例文帳に追加

多重量子井戸が、サブバンド間遷移によって動作し、かつ指定された発振周波数の電磁波を放出するユニポーラ多重量子井戸発振器を形成する。 - 特許庁

Each multiple quantum well step inclination layer 20, 22, 27, 29 substantially has an energy gap between the energy gaps of two layers which sandwich each multiple quantum well step inclination layer 20, 22, 27, 29.例文帳に追加

各多重量子井戸ステップ傾斜層20,22,27,29はその実質的なエネルギーギャップとして該各多重量子井戸ステップ傾斜層20,22,27,29を挟む２層のエネルギーギャップの間の値を有する。 - 特許庁

Therein, the thickness of a quantum well layer of the multiple quantum well layer of the light deflection part 3 is set so as to become thinner than the thickness of a quantum well layer of a multiple quantum well layer of the laser part 2.例文帳に追加

そして光偏向部３の多重量子井戸層の量子井戸層の厚さは、レーザ部２の多重量子井戸層の量子井戸層の厚さより薄くなるように設定されている。 - 特許庁

The deep UV source comprises: an Al_0.7Ga_0.3 N/AlN multiple quantum well layer 5 formed on an AlN layer 4; and an aluminum (Al) metal back layer 6 formed on the Al_0.7Ga_0.3 N/AlN multiple quantum well layer 5.例文帳に追加

深紫外光源は、AlN層４上に形成されたAl_0.7Ga_0.3N/AlN多重量子井戸層５、及びAl_0.7Ga_0.3N/AlN多重量子井戸層５上に形成されたアルミニウム（Al）メタルバック層６よりなる。 - 特許庁

Thus, stress reducing in a lateral direction can be operated in a part near the multiple quantum well active layer 105 even if the multiple quantum well active layer 105 generates heat.例文帳に追加

これにより、多重量子井戸活性層１０５が発熱しても、多重量子井戸活性層１０５近傍の部分において横方向に縮める応力が作用するようにできる。 - 特許庁

In order to correct the variation in the refractive index Δn of the multiple quantum well (MQW) structure body more precisely, the bulk semiconductor layers at the absorbing layers are formed on both sides of the upper and lower faces of the multiple quantum well structure body.例文帳に追加

ＭＱＷ構造体の屈折率変化量Δｎの補正を一層正確に実施するには、上記吸収層において、上記バルク半導体層を、上記多重量子井戸構造体の上面及び下面側の両方に形成する。 - 特許庁

The quantum bit computation element is constituted such that it has multiple quantum dots comprising semiconductors, and multiple electrodes that individually apply voltage to respective quantum dots.例文帳に追加

半導体からなる複数個の量子ドットと、各量子ドットに対して個別に電圧を印加する複数個の電極を備えるように構成する。 - 特許庁

To provide a unipolar multiple quantum well oscillator that performs continuous oscillation at a frequency of approximately 20 to 100 THz in room temperature.例文帳に追加

周波数が２０ＴＨｚから１００ＴＨｚ程度で室温連続発振するユニポーラ多重量子井戸発振器を提供すること。 - 特許庁

To obtain a semiconductor laser having an active layer of multiple quantum well structure subjected to modulation doping in which emission efficiency and a modulation band are enhanced sufficiently.例文帳に追加

多重量子井戸構造の活性層に、変調ドープを行った半導体レーザにおいて、発光効率および変調帯域を十分向上させる。 - 特許庁

A quantum containment can be reduced by adjusting a thickness of the InAlGaN well layer in a multiple quantum well structure of an active layer.例文帳に追加

活性層の多重量子井戸構造におけるＩｎＡｌＧａＮ井戸層の厚みを調整することによって、量子閉じ込め性を弱めることができる。 - 特許庁

The active layer 4 has a multiple quantum well structure or single quantum well structure in which a well layer 7 is sandwiched between barrier layers 6.例文帳に追加

また、活性層４は、井戸層７をバリア層６で挟んだ単一量子井戸構造もしくは多重量子井戸構造とされる。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting element of a multiple quantum well structure that provides a wide bandwidth and superior life characteristics, and a wavelength variable light source.例文帳に追加

広帯域で且つ寿命特性に優れた多重量子井戸構造の半導体発光素子及び波長可変光源装置を提供する。 - 特許庁

The multiple quantum well layer 22 has such a structure as the quantum well layer and the barrier layer are laminated alternately a plurality of times.例文帳に追加

多重量子井戸層２２は、量子井戸層とバリア層とを交互に複数回繰り返し積層した構造を有している。 - 特許庁

A semiconductor laser device 100 is provided with an active layer 45 having a multiple quantum well structure, and SCH layers 42, 44, 50, and 52 that are formed above and under it.例文帳に追加

半導体レーザ素子１００は、多重量子井戸構造の活性層４５と、その上下に設けられたＳＣＨ層４２，４４，５０，５２を備えている。 - 特許庁

The luminescent layer 10 has a multiple quantum well structure with an InGaN quantum well layer and an AlGaN barrier layer laminated therein.例文帳に追加

発光層１０は、ＩｎＧａＮ量子井戸層とＡｌＧａＮ障壁層とを積層した多重量子井戸構造を有している。 - 特許庁

The gain region consists of a different level multiple quantum well structure where a plurality of quantum energy levels of each well layer are existent.例文帳に追加

利得領域は、各井戸層の量子エネルギー準位が複数存在する異準位多重量子井戸構造によって構成されている。 - 特許庁

The gain region is constituted of 24 bulk semiconductor crystals, and the saturable absorption region 26 is constituted of a multiple-quantum-well structure.例文帳に追加

利得領域は、２４バルク半導体結晶によって構成され、及び、可飽和吸収領域２６は、多重量子井戸構造によって構成される。 - 特許庁

An active layer having multiple quantum well structure is arranged on a substrate, and further, an upper cladding layer overlaying the active layer is arranged.例文帳に追加

多重量子井戸構造を有する活性層を基板上に設け、さらに活性層を覆う上部クラッド層を設ける。 - 特許庁

The active layer 10 has a multiple quantum well structure for which an InGaN quantum well layer and an AlGaN barrier layer are stacked.例文帳に追加

活性層１０は、ＩｎＧａＮ量子井戸層とＡｌＧａＮ障壁層とを積層した多重量子井戸構造を有している。 - 特許庁

An MQW (Multiple Quantum Well) absorption layer 5 is constructed with eight layers of well layers 5A respectively with 10 nm thickness and barrier layers 5B respectively with 5 nm thickness.例文帳に追加

ＭＱＷ吸収層５は、各々の厚さが１０ｎｍである８層の井戸層５Ａと各々の厚さが５ｎｍである障壁層５Ｂで構成される。 - 特許庁

The active layer 15 has a multiple quantum well structure comprising a plurality of pairs of well layers and barrier layers, with film thickness of each well layer being 4-20 nm.例文帳に追加

活性層１５は、複数対の井戸層と障壁層を有する多重量子井戸構造からなり、各井戸層の膜厚は4nm以上20nm以下である。 - 特許庁

The luminescent layer 10 has a multiple quantum well structure with an InGaN quantum well layer and an AlGaN barrier layer laminated therein.例文帳に追加

発光層１０は、ＩｎＧａＮ量子井戸層とＡｌＧａＮ障壁層とを積層した多重量子井戸構造を有している。 - 特許庁