「multiple‐quantum」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The second conductivity-type barrier layer 2a is provided in a range of the multiple quantum well 40 in which first conductivity-type dopants contained in the p-InP clad layer 22 are diffused.例文帳に追加

第２導電型バリア層２ａは、多重量子井戸４０においてｐ−ＩｎＰクラッド層２２に含まれる第１導電型のドーパントが拡散した範囲に設けられている。 - 特許庁

To realize a modulation-doped multiple quantum well structure having a sharp Zn profile of a few nm by satisfying two requirements, an increase in Zn concentration, and a reduction in the diffusion of Zn by the use of an organic metal vapor growth method using Zn.例文帳に追加

Ｚｎを用いた有機金属気相成長法を用いて、Ｚｎ濃度の増大とＺｎ拡散の低減を両立し、数ｎｍの急峻なＺｎプロファイルを有する変調ド−プ多重量子井戸構造を実現する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of strain multiple quantum well structure that recovers undulations on a surface caused by the film thickness fluctuation of a well layer (5) with a high compression strain of 1.5% or higher by a barrier layer (4), and can obtain a crystal with good quality.例文帳に追加

１．５％以上の高い圧縮歪を有する井戸層（５）の膜厚変動による表面の起伏を障壁層（４）によって回復し、良質な結晶を得ることができる歪多重量子井戸構造の製造方法を提供する。 - 特許庁

The laser part 2 and the light deflection part 3 are configured by successively laminating an n-type clad layer, an n-type guide layer, a multiple quantum well layer, a p-type guide layer, a p-type clad layer and a p-type contact layer on an n-GaAs substrate.例文帳に追加

またレーザ部２及び光偏向部３は、ｎ−ＧａＡｓ基板上に、ｎ型クラッド層、ｎ型ガイド層、多重量子井戸層、ｐ型ガイド層、ｐ型クラッド層、ｐ型コンタクト層が順次積層されて構成されている。 - 特許庁

A multiple quantum well structure is used as an active layer 4, and further a maximum position of an intensity distribution of emitted light is shifted from the center position of the active layer 4 to a p-type cladding layer 6 side.例文帳に追加

活性層４として多重量子井戸構造を用いると共に、放射光強度分布の最大位置を活性層４の中心位置よりｐ型クラッド層６側にずらす。 - 特許庁

Two optical pulse trains in different polarization states and probe light are made incident on a multiple-quantum well structure plane type optical switch at the same time and only when two optical pulse patterns are different, output of the probe light is obtained.例文帳に追加

偏光状態の異なる２つの光パルス列とプローブ光を多重量子井戸構造面型光スイッチに同時に入射させ、２つの光パルスパターンが異なるときにのみ、プローブ光の出力を得る。 - 特許庁

To provide a light emitting diode having an active region of a multiple quantum well structure in which well layers and barrier layers are alternately laminated between a nitride gallium based N-type compound semiconductor layer and a nitride gallium based P-type compound semiconductor layer.例文帳に追加

窒化ガリウム系のＮ型化合物半導体層と窒化ガリウム系のＰ型化合物半導体層との間にウェル層と障壁層が交互に積層された多重量子ウェル構造の活性領域を有する発光ダイオードを提供すること。 - 特許庁

Forward voltage of a nitride semiconductor element can be lowered without sacrifice of the element characteristics by subjecting the well layer of an active layer having multiple quantum well structure or the single layer of a barrier wall layer to modulation doping with n-type impurities.例文帳に追加

多重量子井戸構造からなる活性層の井戸層又は障壁層の単一層中にｎ型不純物を変調ドープすることで素子特性を悪化させることなく順方向電圧を低減することが可能な窒化物半導体素子が得られる。 - 特許庁

There are formed on a sapphire substrate 11 a first semiconductor layer 12 comprising n type gallium nitride, a multiple quantum well active layer 13 where 3 pairs of laminates of a GaN barrier layer and an InGaN well layer are laminated, and a p-type gallium nitride second semiconductor layer 14, sequentially.例文帳に追加

サファイアよりなる基板１１の上には、ｎ型の窒化ガリウムよりなる第１の半導体層１２と、ＧａＮよりなる障壁層とＩｎＧａＮよりなる井戸層とが３対積層されてなる多重量子井戸活性層１３と、ｐ型の窒化ガリウムよりなる第２の半導体層１４とが順次形成されている。 - 特許庁

The semiconductor laser has the active layer interposed between a p-clad layer and an n-clad layer wherein the active layer has multiple quantum wells including a plurality of barrier layers and well layers and at least one barrier layer is subjected to p-type modulation doping.例文帳に追加

ｐ−クラッド層とｎ−クラッド層との間に活性層が設けられ、活性層が、障壁層およびウェル層を複数有する多重量子井戸を有し、かつ、少なくとも１つの障壁層にｐ型変調ドープが施された半導体レーザを提供する。 - 特許庁

This optical modulator 40 is the embedded ridge waveguide type semiconductor optical modulator and has an n-InP buffer layer 14, GaInAsP-base multiple quantum well structure 16, p-InP upper clad layer 18 and p-GaInAs contact layer 20 on an n-InP substrate 12.例文帳に追加

本光変調器４０は、埋め込みリッジ導波路型半導体光変調器であって、ｎ−ＩｎＰ基板１２上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層１４、ＧａＩｎＡｓＰ系多重量子井戸構造１６、ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層１８、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２０を備えている。 - 特許庁

A light transmitter is constituted of the electro absorption modulator constituted of a multiple quantum well, a phase modulator connected to the electro absorption modulator in series and an electric circuit changing a duty ratio by inverting an electrical signal given to the electro absorption modulator.例文帳に追加

多重量子井戸から構成された電界吸収型変調器とこれに直列に接続された位相変調器と電界吸収型変調器に与える電気信号を反転してデューティー比を変える電気回路から構成された光送信装置。 - 特許庁

After a first high frequency magnetic pulse is applied, a first frequency selective irradiation pulse is applied to ^1H J_HH-coupled with desired ^1H to generate a multiple quantum coherence between ^1Hs, and a second high frequency magnetic pulse is successively applied.例文帳に追加

第１の高周波磁場パルスを印加後に、所望の^１ＨとＪ_ＨＨカップリングした^１Ｈに対して第１の周波数選択照射パルスを印加して^１Ｈ間の多量子コヒーレンスを生成し、続いて第２の高周波磁場パルスを印加する。 - 特許庁

Positive hole energy levels (HH1, HH2) of the subbands are adjusted by a voltage pulse applying circuit (10) synchronizing with the ultra short pulse irradiation, so that a difference (ΔE) of exciton oscillation energy of the multiple quantum well is equal to an oscillation energy (ELO) of coherent longitudinal optical phenons.例文帳に追加

この超短パルス照射と同期して電圧パルス印加回路（１０）から、量子井戸の励起子振動のエネルギ差ΔＥが、コヒーレント縦光学フォノンの振動エネルギ（ＥＬＯ）と等しくなるように、サブバンドの正孔エネルギ準位（ＨＨ１，ＨＨ２）を調整する。 - 特許庁

In a group III nitride compound semiconductor light emitting element 100, a sapphire substrate 10, a buffer layer comprising an aluminum nitride (AlN) not shown in a figure, an n-contact layer 11, an n-cladding layer 12, a multiple quantum well layer 13 having a light emitting wavelength of 470 nm, a p-cladding layer 14 and a p-contact layer 15 are formed.例文帳に追加

III族窒化物系化合物半導体発光素子１００は、サファイア基板１０、図示しない窒化アルミニウム（ＡｌＮ）から成るバッファ層、ｎコンタクト層１１、ｎクラッド層１２、発光波長４７０ｎｍの多重量子井戸層１３、ｐクラッド層１４、ｐコンタクト層１５が形成されている。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor layer 2 has a laminated structure in which an n-type contact layer 21, a multiple quantum well layer 22 serving as a light-emitting layer, a GaN final barrier layer 25, a p-type electron stopping layer 23, and a p-type contact layer 24 are laminated in this order from the side of the GaN monocrystal substrate 1.例文帳に追加

III族窒化物半導体層２は、ＧａＮ単結晶基板１側から順に、ｎ型コンタクト層２１、発光層としての多重量子井戸層２２、ＧａＮファイナルバリア層２５、ｐ型電子阻止層２３、およびｐ型コンタクト層２４を積層した積層構造を有している。 - 特許庁

The group-III nitride semiconductor layer 2 has a lamination structure, where an n-type contact layer 21, a multiple quantum well layer 22, a GaN final barrier layer 25, a p-type electron blocking layer 23, and a p-type contact layer 24 are laminated successively from the side of the GaN substrate 1.例文帳に追加

III族窒化物半導体層２は、ＧａＮ基板１側から順に、ｎ型コンタクト層２１、多重量子井戸層２２、ＧａＮファイナルバリア層２５、ｐ型電子阻止層２３、およびｐ型コンタクト層２４を積層した積層構造を有している。 - 特許庁

In a multiple-quantum well layer of this semiconductor electroluminescent device, the value of interface strain at an interface between the well layer and the barrier layer is smaller than that of critical interface strain depending on the value of a layer thickness which is larger one out of a thickness of the well layer and that of the barrier layer.例文帳に追加

半導体発光素子の多重量子井戸層における井戸層と障壁層の界面歪の大きさが、該井戸層と該障壁層の層厚のうち大きい層厚値より定まる臨界界面歪の大きさより小さいことを特徴とする。 - 特許庁

A multiple quantum well layer 4 to detect infrared rays by utilizing transition between sub-bands and a reflection electrode layer 9 situated on a surface are separated farther than a distance in which the metal of the reflection electrode 9 is dispersed by a heat history during a manufacturing process.例文帳に追加

サブバンド間遷移を利用して赤外線を検出する多重量子井戸層４と表面に在る反射電極９とが製造工程中の熱履歴で該反射電極９の金属が拡散する距離以上に離隔して設けられている。 - 特許庁

The infrared detector comprises a GaAs substrate 10, a multiple quantum well layer 14 formed thereon, and an antireflection film 24 formed on the rear surface of the GaAs substrate in order to reduce reflectance for infrared rays of 8-12 μm to 1% or below at the time of normal incidence.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０と、ＧａＡｓ基板１０上に形成された多重量子井戸層１４と、ＧａＡｓ基板の裏面に形成され、波長が８〜１２μｍの赤外線に対する垂直入射時の反射率を１％以下に低減する反射防止膜２４とにより赤外線検出器を構成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element which has a multiple quantum well layer formed of an AlGaAs-based material and is improved in COD level using an end surface window structure to improve an output of emitted infrared light, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

多重量子井戸層がＡｌＧａＡｓ系材料によって構成され、赤外光を出射する半導体レーザ素子において、端面窓構造を用いてＣＯＤレベルを向上させることができ、出力の向上された半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

This nitride semiconductor light-emitting element contains a light-emitting layer 106 having a multiple quantum well structure consisting of a plurality of quantum wells and a plurality of barrier layers alternately stacked on each other, wherein each quantum well layer is composed of InGaNP, and each barrier layer is composed of a nitride semiconductor layer.例文帳に追加

窒化物半導体発光素子は、複数の量子井戸層と複数の障壁層とが交互に積層された多重量子井戸構造を有する発光層１０６を含み、その量子井戸層はＩｎＧａＮＰからなり、障壁層は窒化物半導体層からなることを特徴としている。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor laser in which the quality of a double heterostructure part including an n-type Multiple Quantum Well is enhanced by accelerating surface migration of group III material species thereby flattening the cross-sectional shape of a DH structure part.例文帳に追加

ＩＩＩ族原料種の表面マイグレーションを促進することにより、ＤＨ構造部の断面形状を平坦化することで、ｎ型多重量子井戸構造を含むダブルへテロ構造部の品質を向上させた半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁

The nitride semiconductor laser device has: a substrate 101 composed of silicon whose principal plane orientation is a (100) plane; and a semiconductor laminate 120 formed on the substrate 101 and constituted of a plurality of semiconductor layers each composed of a nitride of groups III-V, which include a multiple quantum well active layer 107.例文帳に追加

窒化物半導体レーザ装置は、主面の面方位が｛１００｝面であるシリコンからなる基板１０１と、該基板１０１の上に形成され、それぞれがIII-Ｖ族窒化物からなり、多重量子井戸活性層１０７を含む複数の半導体層により構成された半導体積層体１２０とを有している。 - 特許庁

An optical modulator includes: a p-InP clad layer 22; an n-InP clad layer 23; and a multiple quantum well 40 sandwiched between the p-InP clad layer 22 and the n-InP clad layer and having a plurality of well layers 1 and a plurality of barrier layers 2 alternately laminated.例文帳に追加

光変調素子は、ｐ−ＩｎＰクラッド層２２と、ｎ−ＩｎＰクラッド層２３と、ｐ−ＩｎＰクラッド層２２およびｎ−ＩｎＰクラッド層の間に挟まれ、かつ交互に積層された複数のウェル層１および複数のバリア層２を有する多重量子井戸４０とを備えている。 - 特許庁

Another embodiment is a structure having an active layer employing a multiple quantum well structure of the same material and an optical guide layer adjacent thereto, with a barrier layer whose composition wavelength is shorter than 1,200 nm, and the optical guide layer has a composition wavelength substantially equal to or shorter than that of the barrier layer.例文帳に追加

更に別な形態は、同材料系の多重量子井戸を活性層とそれに接する光ガイド層をもつ構造において、障壁層の組成波長を１２００ｎｍ未満とし、光ガイド層の組成波長を障壁層と実質的に同じまたは短いものとする。 - 特許庁

In the epitaxial wafer for the light emitting diode which includes an active layer 6 having a multiple quantum well structure formed by laminating a well layer 6a and a barrier layer 6b alternately, at least one well layer 6a of the active layer 6 is different in thickness from other well layers 6a.例文帳に追加

ウエル層６ａとバリア層６ｂを交互に積層した多重量子井戸構造の活性層６を有する発光ダイオード用エピタキシャルウエハにおいて、活性層６の少なくとも１つのウエル層６ａの厚さが、他のウエル層６ａの厚さと異なるものである。 - 特許庁

To provide a high performance semiconductor laser by improving differential gain also while making increase of number (N_w) of quantum well layers compatible with that of strain amount (ε_w) and layer thickness (L_w) within limit of critical film thickness in a strain multiple quantum well semiconductor laser.例文帳に追加

歪多重量子井戸型半導体レーザにおいて、臨界膜厚の限界内において、量子井戸層の層数Ｎ_ｗの増加と、歪量ε_ｗ及び層厚Ｌ_ｗの増加を両立しつつ、微分利得をも向上させることによって、高い特性を有する半導体レーザを提供する。 - 特許庁

Portions near the resonator end faces 9A and 9B of the multiple quantum well active layer 3 are windows 3a and 3b in which the non-doped GaInP well layer formed a mixed crystal with a non-doped AlGaInP optical guide layer adjacent thereto or a non-doped AlGaInP barrier layer.例文帳に追加

多重量子井戸活性層３の共振器端面９Ａ，９Ｂ近傍の部分は、ノンドープＧａＩｎＰウェル層が隣接するノンドープＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層またはノンドープＡｌＧａＩｎＰバリア層と混晶化した窓部３ａ，３ｂである。 - 特許庁

The group-III nitride semiconductor layer 2 has an n-type contact layer 21, a multiple quantum well layer 22, a GaN final barrier layer 25, a p-type electron blocking layer 23, and a p-type contact layer 24 laminated successively from the side of the GaN single-crystal substrate 1.例文帳に追加

III族窒化物半導体層２は、ＧａＮ単結晶基板１側から順に積層されたｎ型コンタクト層２１、多重量子井戸層２２、ＧａＮファイナルバリア層２５、ｐ型電子阻止層２３、およびｐ型コンタクト層２４を有している。 - 特許庁

The group III nitride-based compound semiconductor light-emitting element 100 has a sapphire substrate 10, an n-type GaN layer 11, an n-type AlGaN layer 12, a light-emitting layer 13 of GaN/InGaN multiple quantum well structure, a p-type AlGaN layer 14, a p-type GaN layer 15, and a p^+-type GaN layer 16.例文帳に追加

III族窒化物系化合物半導体発光素子１００は、サファイア基板１０、ｎ型ＧａＮ層１１、ｎ型ＡｌＧａＮ層１２、ＧａＮ／ＩｎＧａＮ多重量子井戸構造の発光層１３、ｐ型ＡｌＧａＮ層１４、ｐ型ＧａＮ層１５、ｐ^+型ＧａＮ層１６を有する。 - 特許庁

A buffer layer 102, a high carrier concentration n+ type layer 103 and a multiple quantum well structure light emitting layer 104 are formed on a sapphire substrate 101, P type layers 105, 106 and a first thin film metal layer 111 of metal vapor deposition are formed thereon, and a negative electrode 140 is formed on the layer 103.例文帳に追加

フリップチップ型の III族窒化物系化合物半導体発光素子において、ｐ型半導体層に接続され、光をサファイア基板側へ反射する厚膜正電極を銀（Ａｇ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、または、これらの合金より形成する。 - 特許庁

To enable high speed translocation of carriers in a direction perpendicular to a quantum well surface even when shut potential of a quantum well is deep and quantum well number is large, in an optical semiconductor device which has multiple quantum well structure in an active layer.例文帳に追加

多重量子井戸構造を活性層に有する光半導体装置において，量子井戸の閉じ込めポテンシャルが深く，量子井戸数が多い場合においても，量子井戸面に垂直方向にキャリヤを高速移動可能とすることを目的とする。 - 特許庁

An n-type AlGaInP first clad layer 104, an undoped GaInP/AlGaInP multiple quantum well active layer 105, a p-type AlGaInP second clad layer 106 and a p-type GaAs cap layer 108 are arranged in this order from an n-type GaAs substrate 101 upward.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板１０１から上方に向かって、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層１０４、アンドープＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ多重量子井戸活性層１０５、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層１０６およびｐ型ＧａＡｓキャップ層１０８がこの順で配置されている。 - 特許庁

A semiconductor laminate structure 24 having a dummy layer 14, a p type Al(Ga)InAs lower light lockup layer 16, AlGaInAs multiple quantum well active layer 18 and an n type Al(Ga)InAs upper light lockup layer 20 is formed on a p type InP substrate 10.例文帳に追加

ｐ型ＩｎＰ基板１０上に、ダミー層１４、ｐ型Ａｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ下光閉込層１６、ＡｌＧａＩｎＡｓ多重量子井戸活性層１８、ｎ型Ａｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ上光閉込層２０を有する半導体積層構造２４を形成する。 - 特許庁

The optical integrated device has a multiple quantum well structure active layer formed of a nitride-based III-V compound semiconductor on an insulating substrate 1 provided with an optical waveguide 7 formed of a nitride-based III-V compound semiconductor, and integrates at least a semiconductor laser 2 which emits light in accordance with the transition between sub-bands.例文帳に追加

ナイトライド系III-Ｖ族化合物半導体からなる光導波路７を設けた絶縁性基板１上に、ナイトライド系III-Ｖ族化合物半導体からなる多重量子井戸構造活性層を有し、サブバンド間の遷移によって発光する半導体レーザ２を少なくとも集積化する。 - 特許庁

Another embodiment employs a multiple quantum well structure of the same material, having an active layer and an optical guide layer adjacent thereto with a barrier layer having a composition wavelength of less than 1200 nm, and the optical guide layer has a composition wavelength substantially equal to or shorter than that of the barrier layer.例文帳に追加

更に別な形態は、同材料系の多重量子井戸を活性層とそれに接する光ガイド層をもつ構造において、障壁層の組成波長を１２００ｎｍ未満とし、光ガイド層の組成波長を障壁層と実質的に同じまたは短いものとする。 - 特許庁

The strain amount as an entire of the multiple quantum well layers is reduced by allowing part of a group of the quantum well layers and barrier layers to be formed by average strain which is a small value or whose code is inverse even if the group of the quantum well layers and barrier layers having the average large strain value is formed in the other part.例文帳に追加

量子井戸層と障壁層の組の一部が、小さい値もしくは符号が逆となっている平均歪で形成されることにより、他方に、大きな値の平均歪を有する量子井戸層と障壁層の組が形成されていても、多重量子井戸層全体としての歪量を低下させる。 - 特許庁

An optical core 110 is formed on an intermediate layer 106 by an epitaxial layer growth, then a multiple quantum well 112 is formed adjacent to the optical core 110, and then an outside structure 116 including a total internal, reflecting body is formed, thereby a ring laser system 300 is configured.例文帳に追加

中間層１０６の上に光コア１１０をエピタキシャル層成長により形成し、前記光コア１１０に隣接して多重量子井戸１１２を形成し、そして内部全反射体を含む外側構造体１１６を形成して構成されるリングレーザシステム３００を提供する。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element 20 includes a plurality of layers including an n-type GaAs buffer layer 2 that are formed on an n-type GaAs substrate 1, and an InGaAs multiple quantum well active layer 5 including two InGaAs quantum well layers 5A and 5B having different light-emitting peak wavelengths that is formed on the plurality of layers.例文帳に追加

半導体発光素子２０は、ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＧａＡｓバッファ層２等の複数の層が形成され、さらに発光ピーク波長が異なる二つのＩｎＧａＡｓ量子井戸層５Ａ、５Ｂを含むＩｎＧａＡｓ多重量子井戸活性層５が形成されている。 - 特許庁

The MQW active layer 5 includes a multiple quantum well structure constituted of barrier layers and well layers having a tensile strain, and a layer thickness of each well layer is larger than that of each barrier layer, and the layer thickness of at least one well layer is made different from those of the other well layers.例文帳に追加

ＭＱＷ活性層５は、バリア層と引っ張り歪を持つ井戸層で構成された多重量子井戸構造を有しており、井戸層の各膜厚がバリア層の各膜厚よりも大きく、井戸層のうち、少なくとも１層の膜厚が他の井戸層とは異なるように構成されている。 - 特許庁

A first n-type layer, second n-type layer, third n-type layer, active layer having a multiple quantum well structure, a first p-type layer, second p-type layer, third p-type layer and p-type contact layer are laminated in the order on an n-type contact layer and this light-emitting element has a double heterostructure.例文帳に追加

ｎ型コンタクト層の上に、第一のｎ型層と、第二のｎ型層と、第三のｎ型層と、多重量子井戸構造を有する活性層と、第一のｐ型層と、第二のｐ型層と、第三のｐ型層と、ｐ型コンタクト層とが順に積層され、ダブルへテロ構造を有する。 - 特許庁

On both end faces of a semiconductor laser 100 in a lengthwise direction L, core layers 123 are formed which are composed of GaInAsP not containing Al and work as passive waveguide layers, instead of a lower part SCH layer 112, a multiple quantum well active layer 113 and an upper part SCH layer 114 which are positioned in the center of the lengthwise direction L.例文帳に追加

半導体レーザ１００の長さ方向Ｌの両端面に、長さ方向Ｌの中央に位置する部分の、下部ＳＣＨ層１１２、多重量子井戸活性層１１３、上部ＳＣＨ層１１４の代わりに、Ａｌを含まないＧａＩｎＡｓＰでなる、受動導波路層としてのコア層１２３が形成されている。 - 特許庁

Multiple quantum magic angle spinning (MQMAS) measurement is performed by irradiating a sample with a saturated high-frequency magnetic field pulse of the frequency corresponding to the difference or sum of the resonance frequency of a first nucleus large in polarization and the resonance frequency corresponding to the satelite transition of a second nucleus small in polarization, and moving the large polarization of the first nucleus to the second nucleus.例文帳に追加

分極が大きな第１の核の共鳴周波数と、分極が小さな第２の核のサテライト遷移に当たる共鳴周波数との差、または和に相当する周波数の飽和高周波磁場パルスを試料に照射することにより、第１の核の大きな分極を第２の核に移動させた上で、多量子マジック・アングル・スピニング（ＭＱＭＡＳ）測定を行なう - 特許庁

The semiconductor light emitting element comprises a GaN buffer layer 102, a non-doped GaN layer 103, an n-type GaN contact layer 104, an n-type AlGaN lower cladding layer 105, a multiple quantum well light emitting layer 106, a p-type AlGaN upper cladding layer 107 and a p-type GaN current diffusion layer 108 sequentially laminated on a sapphire substrate 101.例文帳に追加

サファイア基板１０１上に、ＧａＮバッファ層１０２、ノンドープＧａＮ層１０３、ｎ型ＧａＮコンタクト層１０４、ｎ型ＡｌＧａＮ下クラッド層１０５、多重量子井戸発光層１０６、ｐ型ＡｌＧａＮ上クラッド層１０７およびｐ型ＧａＮ電流拡散層１０８が順次積層されている。 - 特許庁