| 例文 (163件) |
multiple‐quantumを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 163件
The element structure comprises a sapphire C face substrate 1, a GaN buffer layer 11 grown under a low temperature, an undoped GaN layer 12, an Si doped n-GaN contact layer 21, a multiple quantum well MQW emission layer 3 having a plurality of well layers, an Mg doped p-AlGaN clad layer 22, and an Mg doped p-GaN contact layer 23.例文帳に追加
素子構造は、サファイアＣ面基板１、低温成長されたＧａＮバッファ層１１、無添加のＧａＮ層１２、Ｓｉ添加のｎ-ＧａＮコンタクト層２１、複数の井戸層を有する多重量子井戸構造（ＭＱＷ）の発光層３、Ｍｇ添加のｐ-ＡｌＧａＮクラッド層２２、Ｍｇ添加のｐ-ＧａＮコンタクト層２３からなる。 - 特許庁
Consequently, a thermal diffusion into a backing-layer region containing the active layer 5 having a multiple quantum well structure progresses when the clad layer 12 is grown in Zn doped as an acceptor during the growth of the clad layer 12 but the thermal diffusion is inhibited largely by Si doped to the diffraction grating layer 8.例文帳に追加
このため、ｐ導電型のクラッド層１２の成長中にアクセプタとしてドーピングされたＺｎは、クラッド層１２の成長時に多重量子井戸構造の活性層５を含む下地層領域への熱拡散が進行するが、回折格子層８にドーピングされたＳｉによってその熱拡散が大幅に抑制される。 - 特許庁
In the semiconductor laser having an oscillation wavelength of 760-800 mm, n-type first and second lower clad layers 103 and 104, a lower guide layer 105, an InGaAsP strained multiple quantum well active layer 107, an upper guide layer 109, and a p-type upper clad layer 110 are formed sequentially on an n-type GaAs substrate 101.例文帳に追加
発振波長が７６０ｎｍより大きく８００ｎｍより小さい半導体レーザ装置であって、ｎ型のＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ型の第１，第２下クラッド層１０３，１０４、下ガイド層１０５、ＩｎＧａＡｓＰ多重歪量子井戸活性層１０７、上ガイド層１０９、ｐ型の上クラッド層１１０を順次積層する。 - 特許庁
As a result, when biased of the whole multiple quantum well layer is carried out forward or backward, high speed translocation of carriers (usually holes) is enabled by tunnel effect, from energy level of one quantum well layer which is adjacent to the quantum dot to energy level of adjacency quantum well of the other side through energy level in the quantum dot.例文帳に追加
多重量子井戸層全体を，順方向ないし逆方向にバイアスしたとき，量子ドットに接する一方の量子井戸層のエネルギー準位から，量子ドット内エネルギー準位を経由して，他方の隣接量子井戸のエネルギー準位へ，トンネル効果でキャリヤ（通常は正孔）を高速に移動させることが可能となる。 - 特許庁
In the luminous diode made of a compound semiconductor, light is emitted from an active region of multiple quantum well structure and the active region is coated in the state of sandwich by upper and lower double layers of InGAlP and an upper clad layer whereby the improvement of the luminous efficiency increases the light beams in the light emitting diode thereby reinforcing an electronic reflection layer.例文帳に追加
化合物半導体で製造された発光ダイオードにおいて、多重量子井戸構造の活性領域より光を発射し、活性領域が上下二層のＩｎＧａＡｌＰと上層のクラッド層でサンドイッチ式に被覆され、活性領域の発光効率が発光ダイオード中で光線を増加し電子反射層を強化する。 - 特許庁
This method of manufacturing a quantum wire structure includes processes of: forming an insulator mask 16 by using a resist mask having a width larger than that of a desired quantum wire structure; and forming a quantum wire 17 by etching a multiple quantum well layer 12 by using the insulator mask 16.例文帳に追加
本発明に係る量子細線構造の作製方法は、所望の量子細線構造の幅よりも太い幅を有するレジストマスクを用いて絶縁体マスク１６を形成する工程と、この絶縁体マスク１６を用いて多重量子井戸層１２をエッチングし量子細線１７を形成する工程とを備える。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing an integrated optical element having three or more optical element portions integrated by butt joint technique, in which the integrated optical device having small optical loss and high optical coupling efficiency is achieved by suppressing film thickness unevenness nearby a butt joint connection portion and a crystal defect of a multiple quantum well structure nearby the butt joint connection portion.例文帳に追加
３つ以上の光素子部をバットジョイント集積する集積光素子の製造方法において、バットジョイント接続部近傍の膜厚不均一性や、バットジョイント接続部近傍の多重量子井戸構造における結晶欠陥の発生を抑制し、光損失の少なく光結合効率の高い集積光デバイスを実現する手法を提供する。 - 特許庁
The index guide type heterostructure nitride laser structure 100 has a first waveguide layer, a second waveguide layer, a multiple quantum well structure 145 interposed between the first and second waveguide layers, a ridge structure 111 having first, second and third faces, and a buried layer 155 existing on the first, second and third faces of the ridge structure 111.例文帳に追加
インデックスガイド型埋め込みヘテロ構造窒化物レーザ構造１００は、第１導波層及び第２導波層並びに前記第１導波層と前記第２導波層との間に配置される多重量子井戸構造１４５を有し、第１、第２及び第３の面を有するリッジ構造１１１と、前記リッジ構造１１１の前記第１、第２及び第３の面の上に存在する埋め込み層１５５とを有する。 - 特許庁
This semiconductor laser possesses a first clad layer 12, an active layer 16 formed on the first clad layer and having a multiple quantum well layer composed of a GaN semiconductor, a current constriction layer 24, formed on the active layer and having an opening 26 of stripe geometry, and a second clad layer 22 formed on the current constriction layer and having a mesa stripe 23 that corresponds to the opening.例文帳に追加
第１のクラッド層１２と、第１のクラッド層上に形成され、ＧａＮ系半導体より成る多重量子井戸層を有する活性層１６と、活性層上に形成され、ストライプ状の開口部２６が形成された電流狭窄層２４と、電流狭窄層上に形成され、開口部に応じたメサストライプ２３を有する第２のクラッド層２２とを有している。 - 特許庁
The light-emitting diode includes: an n-type nitride semiconductor layer; a p-type nitride semiconductor layer; and an active region of multiple quantum well structure interposed between the n-type nitride semiconductor layer and the p-type nitride semiconductor layer and including an InGaN quantum well layer; and a superlattice layer intervened between the n-type nitride semiconductor layer and the active region.例文帳に追加
発光ダイオードは、ｎ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層と、前記ｎ型窒化物半導体層と前記ｐ型窒化物半導体層との間に介在され、ＩｎＧａＮ量子井戸層を含む多重量子井戸構造の活性領域と、前記ｎ型窒化物半導体層と前記活性領域との間に介在された超格子層とを含む。 - 特許庁
The nitride compound semiconductor epitaxial wafer is constituted by successively laminating a buffer layer 2, an n-type GaN clad layer 3, an active layer 4 of multiple quantum well structure consisting of an undoped InGaN well layer, and an undoped GaN barrier layer, p-type clad layers 5, 6, and a p-type InGaN contact layer 7 on a substrate 1.例文帳に追加
本発明の窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハは、基板１上にバッファ層２、ｎ型ＧａＮクラッド層３、アンドープＩｎＧａＮ井戸層とアンドープＧａＮ障壁層とからなる多重量子井戸構造の活性層４、ｐ型クラッド層５，６、及びｐ型ＩｎＧａＮコンタクト層７が順次積層されている。 - 特許庁
After an n-type AlInP clad layer 11, an active layer 12 having a multiple quantum well structure, a p-type AlInP clad layer 13, and a p-type GaAs layer 14 are grown in sequence on an n-type GaAs substrate via an n-type GaAs etching stop layer, those layers are patterned through dry etching using a resist pattern 19 having a rectangular plane shape as a mask.例文帳に追加
ｎ型ＧａＡｓ基板上にｎ型ＧａＡｓエッチングストップ層を介してｎ型ＡｌＩｎＰクラッド層１１、多重量子井戸構造を有する活性層１２、ｐ型ＡｌＩｎＰクラッド層１３およびｐ型ＧａＡｓ層１４を順次成長させた後、長方形の平面形状を有するレジストパターン１９をマスクとしてこれらの層をドライエッチングによりパターニングする。 - 特許庁
The barrier layer of a multiple quantum well semiconductor element is respectively formed of a plurality of internal barrier layers, and the height of a hetero barrier to a hole between the barrier layer and quantum well layer is changed in a step state, from higher hetero barrier to lower hetero barrier, in the respective barrier layers along the direction from a clad layer with a first conductivity toward one with a second conductivity.例文帳に追加
多重量子井戸半導体素子の障壁層をそれぞれ複数の内部障壁層で構成し、各障壁層内において当該障壁層と量子井戸層の間のホールに対するヘテロ障壁高さを、第１の導伝性を有するクラッド層から第２の導伝性を有するクラッド層の方向に沿って、大きいヘテロ障壁高さから小さいヘテロ障壁高さへと階段状に変化させる。 - 特許庁
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