「ohmic-resistance」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

LOW-RESISTANCE OHMIC ELECTRODE TO SEMICONDUCTOR DIAMOND AND FORMATION METHOD THEREFOR例文帳に追加

半導体ダイヤモンドへの低抵抗オーミック電極及びその形成方法 - 特許庁

To form an electrode having a low resistance ohmic contact layer.例文帳に追加

低抵抗のオーム接触層を有する電極を形成する。 - 特許庁

In this state, a film for forming an ohmic contact layer has a high resistance.例文帳に追加

この状態では、オーミックコンタクト層形成用膜は高抵抗である。 - 特許庁

To provide an ohmic electrode made of homogeneous alloy and having low resistance.例文帳に追加

均一性の良い合金からなる低抵抗なオーミック電極を形成する。 - 特許庁

An MIM element 4 as a non-ohmic resistance heating unit with the ohmic resistance heating unit stacked thereon is constituted by sandwiching the insulating thin film 2 between the ohmic resistance heating unit electrode 1 and the metal electrode 3.例文帳に追加

オーム型抵抗発熱体電極１と金属電極３との間に絶縁性薄膜２を挟持することにより、オーム型抵抗発熱体が積層された非オーム型抵抗発熱体であるMIM素子４を構成している。 - 特許庁

To reduce contact resistance of an ohmic electrode which is ohmic-bonded to an SiC semiconductor substrate using silicon carbide as a material.例文帳に追加

炭化ケイ素を材料とするＳｉＣ半導体基板にオーミック接合するオーミック電極のコンタクト抵抗を低減する。 - 特許庁

To form a low-resistance ohmic contact layer of a thin-film transistor so that the ohmic contact layer will not vary due to zinc oxide film.例文帳に追加

薄膜トランジスタの低抵抗のオーミックコンタクト層を酸化亜鉛膜によってバラツキが生じないように形成する。 - 特許庁

The deposit layer reduces the ohmic contact resistance and sheet resistance.例文帳に追加

この堆積物層により，オーミックコンタクト抵抗やシート抵抗を低減できる。 - 特許庁

To provide an ohmic electrode having superior coherency to a p-type oxide semiconductor and low resistance, and also to provide an oxide semiconductor light-emitting device using the ohmic electrode for achieving excellent light-emitting characteristics, and methods for manufacturing the ohmic electrode and the oxide semiconductor light-emitting device.例文帳に追加

p 型酸化物半導体に対して密着性に優れ、且つ低抵抗なオーミック電極およびこれを用いて優れた発光特性を実現する酸化物半導体発光素子ならびにそれらの製造方法を提供すること。 - 特許庁

A wiring electrode 7 is connected to the other end of the ohmic resistance heating unit electrode 1.例文帳に追加

オーム型抵抗発熱体電極１の他端には配線電極７が接続されている。 - 特許庁

To reduce the contact resistance of an ohmic contact provided on a nitride semiconductor layer.例文帳に追加

窒化物半導体層に設けるオーミックコンタクトのコンタクト抵抗を低減できるようにする。 - 特許庁

The wafer process device comprising an optimum electrode pattern for an ohmic-resistance heating element is disclosed.例文帳に追加

抵抗加熱素子用の最適電極パターンを有するウェーハ加工装置が、開示される。 - 特許庁

To provide a method of forming an ohmic electrode of an n-type group III nitride semiconductor with low contact resistance.例文帳に追加

低コンタクト抵抗なｎ型III 族窒化物半導体のオーミック電極の形成方法。 - 特許庁

To reduce contact resistance value, thereby achieving ohmic contact with a base film.例文帳に追加

接触抵抗値を低減させて、下地膜とのオーミック接触を可能とする。 - 特許庁

To reduce contact resistance of an ohmic electrode, and to suppress degradation of a characteristic by a heat treatment.例文帳に追加

オーミック電極のコンタクト抵抗を低くし、しかも熱処理による特性の劣化を抑制する。 - 特許庁

Then, the resistance of the film for forming the ohmic contact layer is decreased significantly.例文帳に追加

すると、オーミックコンタクト層形成用膜の抵抗が著しく低下する。 - 特許庁

To reduce the ohmic contact resistance of GaN-HEMT to ≤0.1 Ω/mm.例文帳に追加

ＧａＮ−ＨＥＭＴにおいて、オーミックコンタクト抵抗を０．１Ω／ｍｍ以下に低減する。 - 特許庁

To reduce an ohmic contact resistance in a wide band gap semiconductor.例文帳に追加

ワイドバンドギャップ半導体における、オーミックコンタクト抵抗を低減することを目的とする。 - 特許庁

Moreover, the insulating thin film 2 is coated with one end of an ohmic resistance heating unit electrode (linear resistance element electrode) 1 comprising an ohmic resistance heating unit.例文帳に追加

さらに、絶縁性薄膜２が、オーム型抵抗発熱体からなるオーム型抵抗発熱体電極（線形抵抗素子電極）１の一端により被覆されている。 - 特許庁

To provide a silicon carbide semiconductor device capable of reducing the contact resistance of an ohmic electrode and obtaining the high pressure resistance properties of the same.例文帳に追加

オーミック電極の接触抵抗を低減するとともに高い耐圧特性を実現することが可能な炭化珪素半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an electrode having a low-resistance ohmic property and high resistance to acid or alkali corrosion in a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置において低抵抗なオーミック性を有し、酸・アルカリによる腐食に対し高い耐性を持つ電極を得ることを目的とする。 - 特許庁

A value of an ohmic resistance is detected at a specified time, and a shape and/or temperature of a capacity element is concluded based on the value of the resistance.例文帳に追加

所定の時点でオーミック抵抗の値を検出し、この抵抗の値に基づいて容量素子の形態および／または温度を結論する。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor which is reduced in ohmic contact resistance and sheet resistance and an easy method of manufacturing the same.例文帳に追加

オーミックコンタクト抵抗やシート抵抗を低減した，電界効果トランジスタ及びその簡易な製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the first and second electrodes 51 and 52 are heat-treated at first and second temperatures, respectively, the both ohmic contact resistances of the first and second electrodes 51 and 52 can be reduced, and the ohmic contact resistance of each of ohmic electrodes 3 and 4 themselves can be reduced.例文帳に追加

第１及び第２電極５１、５２を第１及び第２温度でそれぞれ熱処理しているので、第１及び第２電極５１、５２のオーミックコンタクト抵抗を共に低減させ、各オーミック電極３、４そのもののオーミックコンタクト抵抗を低減させることができる。 - 特許庁

To provide an ohmic electrode of nitride semiconductor device which can have low ohmic contact resistance and a flat surface where a fine electrode can be formed, and also has small deterioration with age.例文帳に追加

低オーム性コンタクト抵抗と、微細な電極が形成できる平坦な表面が得られ、かつ経時変化の小さい窒化物半導体装置のオーム性電極を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor device that reduces a contact resistance between an ohmic electrode and an ohmic recess, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

オーミック電極とオーミックリセス部とのコンタクト抵抗を低減した窒化物半導体素子および窒化物半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which is subjected to an anneal treatment for forming an ohmic contact reducing an ohmic contact resistance, and has an insulating film on a silicon carbide (000-1) surface, and to provide the semiconductor device.例文帳に追加

オーミックコンタクト抵抗が低減できるようなオーミックコンタクト形成のためのアニール処理を施した、炭化ケイ素(000-1)面上に絶縁膜を有する半導体装置の製造方法および半導体装置を提供すること。 - 特許庁

The luminance property of GaN-based semiconductor substance may be improved, and its ohmic resistance may be reduced, thereby, forming an ohmic contact with superior properties.例文帳に追加

本発明によると、窒化ガリウム半導体発光素子の輝度特性を改善し、オーミック抵抗を減少させ、より優れた特性を有するオーミックコンタクトが形成できる。 - 特許庁

To prevent a contact hole ohmic resistance increased by ohmic connection of a conductor path, by applying a special design to the contact hole.例文帳に追加

導体路の接触接続にあたり、コンタクトホール接触抵抗が大きくなる問題点をコンタクトホールに特別なデザインを施すことで解消する。 - 特許庁

A high-resistance region 5 is established in the peripheral part of the SBD, enclosing the Schottky electrode 6 and the ohmic electrode 7.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードの周縁部には、ショットキー電極６とオーミック電極７とを囲むように高抵抗領域５が設けられている。 - 特許庁

To provide an oxide semiconductor light emitting element exhibiting excellent adhesion to an n-type oxide semiconductor layer and provided with a low resistance ohmic electrode.例文帳に追加

ｎ型酸化物半導体層に対して密着性に優れ、且つ低抵抗なオーミック電極を備えた酸化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for reducing contact resistance when an ohmic electrode is formed of a semiconductor with a large band gap.例文帳に追加

バンドギャップの大きな半導体にオーミック電極を形成したときの接触抵抗を低減させることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of reducing contact resistance between an ohmic electrode and an electron travelling layer.例文帳に追加

オーミック電極と電子走行層との接触抵抗を低減することが可能な半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which forms an ohmic electrode contacting an SiC semiconductor layer and having low contact resistance.例文帳に追加

ＳｉＣ半導体層に接する、コンタクト抵抗の低いオーミック電極を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To enable the stable formation of a p-type ohmic electrode having a sufficiently low contact resistance on a boron phosphide based semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ形リン化硼素系半導体層上に接触抵抗の充分に低いｐ形オーミック電極を安定して形成することができるようにする。 - 特許庁

To form an ohmic electrode of low contact resistance on the surface of a p-type nitride semiconductor processed by dry etching.例文帳に追加

ドライエッチングで加工したｐ型の窒化物半導体の表面に低コンタクト抵抗のオーミック電極を形成する。 - 特許庁

In this way, an alloy with superior uniformity is formed, and the ohmic electrode with low resistance can be formed.例文帳に追加

これにより、均一性の良い合金を形成することができ、低抵抗なオーミック電極を形成することが可能になる。 - 特許庁

To reduce the contact resistance of an ohmic electrode provided in a group III-V nitride semiconductor and to improve a device characteristic.例文帳に追加

III-Ｖ族窒化物半導体に設けるオーミック電極のコンタクト抵抗を低減しながらデバイスの特性を向上できるようにする。 - 特許庁

To reduce a gate resistance and reduce a parasitic capacitance between the gate and an ohmic electrode when a field effect transistor is manufactured.例文帳に追加

電界効果トランジスタを製造する際に、低ゲート抵抗化し、かつゲート/オーミック電極間の寄生容量を低減する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser which eliminates the need for wire bonding upon mounting the semiconductor laser and exhibits low ohmic resistance, and to provide a method of manufacturing the semiconductor laser.例文帳に追加

実装の際にワイヤボンディングが不要で、かつ、オーミック抵抗が低い半導体レーザと、その製造方法を提供する。 - 特許庁

To form a wiring or an electrode with ohmic connection to a substrate, simultaneously with the formation of a low resistance upper layer wiring on a gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極上の低抵抗上層配線の形成と同時に，基板にオーミック接続する配線又は電極を形成する。 - 特許庁

To provide a silicon carbide semiconductor device including an ohmic electrode having both low contact resistance and an excellent surface state.例文帳に追加

低い接触抵抗と良好な表面状態とを併せ持つオーミック性電極を備えた炭化珪素半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having high adherence, small ohmic resistance, and high light extraction efficiency.例文帳に追加

密着性が高く、オーミック抵抗が小さく、さらに光取り出し効率の高い半導体素子を提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device whose ohmic resistance is less between an electrode and a channel and has a good high frequency characteristic.例文帳に追加

電極とチャネル層間のオーミック抵抗の少ない良好な高周波特性を有する半導体装置を得る。 - 特許庁

Since the substrate and the metal layer have ohmic contact with each other, a resistance difference between the substrate and the metal layer is reduced.例文帳に追加

基板と金属層をオーミック接触させることで、基板と金属層間の抵抗差を低減させることができる。 - 特許庁