「oxide-silicon」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

A solid electrolyte covered with one or more compounds selected from aluminum oxide, zirconium oxide, titanium oxide, boron oxide, silicon oxide and its lithium salt, as well as lithium titanate spinel, lithium tantalum oxide, and lithium niobium oxide is used for a positive electrode of the secondary battery.例文帳に追加

酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化ホウ素、酸化ケイ素及びそのリチウム塩、並びにリチウムチタン酸スピネル、リチウム酸化タンタル、リチウム酸化ニオブから選択される１以上の化合物で被覆した固体電解質。 - 特許庁

TITANIUM-CONTAINING SILICON OXIDE CATALYST, PRODUCTION OF THE CATALYST AND PRODUCTION OF PROPYLENE OXIDE例文帳に追加

チタン含有珪素酸化物触媒、該触媒の製造方法及びプロピレンオキサイドの製造方法 - 特許庁

The metal oxide layer 13 contains particulates 14 of the metal oxide and silicon particulates 15.例文帳に追加

金属酸化物層１３は、金属酸化物の微粒子１４と、ケイ素微粒子１５とを含む。 - 特許庁

The high dielectric constant film 112 is made of a metal oxide having a dielectric constant higher than that of a silicon oxide.例文帳に追加

高誘電率膜１１２は、酸化シリコンより誘電率が高い金属酸化物からなる。 - 特許庁

The ultrasonic waveguide rod 11 comprises silicon oxide and the other component such as an aluminum oxide.例文帳に追加

超音波導波棒１１は、酸化ケイ素と、酸化アルミニウム等の他の成分とで構成される。 - 特許庁

The photo-recording material contains photochromic transition metal oxide particles coated with silicon oxide.例文帳に追加

酸化珪素で被覆されたフォトクロミック性遷移金属酸化物粒子を含む光記録材料。 - 特許庁

An oxide film 7 made of silicon oxide is formed to cover the internal wall of the trench 6.例文帳に追加

トレンチ６の内壁面を覆うように、酸化シリコンからなる酸化膜７が形成されている。 - 特許庁

An oxide film is made on a silicon wafer 1, and a nitride film 3 is formed on this oxide film 2.例文帳に追加

シリコンウェハ１上に酸化膜２を形成し、この酸化膜２上に窒化膜３を形成する。 - 特許庁

SINTERED COMPACT ESSENTIALLY COMPRISING ALUMINUM OXIDE AND SILICON OXIDE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

アルミニウム酸化物および珪素酸化物を主成分とする焼結体ならびにその製造方法 - 特許庁

The variable resistance element VR is a mixture of silicon oxide (SiO2) and a transition metal oxide.例文帳に追加

可変抵抗素子ＶＲは、酸化シリコン（ＳｉＯ２）と遷移金属酸化物の混合物である。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM ON TUNGSTEN FILM OR TUNGSTEN OXIDE FILM AND FILM FORMING DEVICE例文帳に追加

タングステン膜又は酸化タングステン膜上への酸化シリコン膜の成膜方法及び成膜装置 - 特許庁

Then, thermal oxidation is applied to the silicon substrate 1 to thicken the silicon oxide film formed on the region RH to form a silicon oxide film 18, and a silicon oxide film 17 is formed on the region RM and the region RL.例文帳に追加

次に、シリコン基板１に熱酸化処理を施すことにより、領域ＲＨに形成されたシリコン酸化膜を厚膜化してシリコン酸化膜１８とすると共に、領域ＲＭ及び領域ＲＬにシリコン酸化膜１７を形成する。 - 特許庁

Within the trench 14, a third silicon oxide film 16 is formed and embedded, and this silicon oxide film 16 is etched only for the predetermined amount so that the end of the silicon oxide film 16 is located at the intermediate portion of the polycrystal silicon film 13.例文帳に追加

トレンチ１４内部には第３のシリコン酸化膜１６が埋め込み形成され、所定量だけエッチングすることで多結晶シリコン膜１３の中間部位にシリコン酸化膜１６の端部が位置するように形成される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon semiconductor substrate of which a surface layer part of a silicon substrate is formed of a silicon oxide layer and a single crystalline silicon carbide layer.例文帳に追加

シリコン基板の表層部が酸化シリコン層と単結晶炭化シリコン層とからなるシリコン半導体基板を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The silicon nitride film liner 32 is formed in the trench 28 on the silicon board 21 removing the silicon nitride film 24 and the silicon oxide film spacer 27.例文帳に追加

シリコン窒化膜ライナ３２は、トレンチ２８内、シリコン窒化膜２４上およびシリコン酸化膜スペーサ２７を除去したシリコン基板２１上に形成する。 - 特許庁

A silicon oxide film 4, a polycrystalline silicon film 5 and a silicon nitride film 6 are laminated on a silicon substrate 1 and a trench 1a is formed by a photolithography treatment.例文帳に追加

シリコン基板１にシリコン酸化膜４、多結晶シリコン膜５、シリコン窒化膜６を積層形成し、フォトリソグラフィ処理でトレンチ１ａを形成する。 - 特許庁

The silicon oxide layer 4 effectively prevents the amorphous silicon from being formed in an early stage of the formation of the second silicon layer 5 of a microcrystalline silicon film.例文帳に追加

酸化シリコン層４は，微結晶シリコン膜である第２シリコン層５の形成の初期段階においてアモルファスシリコンが形成されることを効果的に防止する。 - 特許庁

The silicon nitride sintered compact is obtained by dispersing silicon and carbon in a silicon nitride base material and forming a coating of an oxide layer containing silicon and aluminum on the surface.例文帳に追加

窒化珪素焼結体は窒化珪素基材に珪素と炭素とを分散させ、表面に珪素とアルミニウムを含む酸化物層の被膜を形成する。 - 特許庁

A silicon oxide film 10 (upper layer) is thickly laminated on the silicon oxide film 9 as a lower layer, correspondingly to the thinning of the silicon oxide film 9, by an HDP-CVD method in which compressive stress is relatively high.例文帳に追加

シリコン酸化膜９が薄くなった分、圧縮応力の比較的高いＨＤＰ−ＣＶＤ法によるシリコン酸化膜１０（上層）が、下層のシリコン酸化膜９の上により厚く積層されている。 - 特許庁

In the process for forming the silicon oxide film 12 on the substrate 11, after forming the silicon oxide film 12 on the substrate 11, the silicon oxide film 12 is heat-treated at 1,050°C or more but not exceeding 1,100°C.例文帳に追加

基板１１上にシリコン酸化膜１２を形成する前記工程では、基板１１上にシリコン酸化膜１２を成膜した後、１０５０℃以上、１１００℃以下でシリコン酸化膜１２を熱処理する。 - 特許庁

A sidewall-shaped silicon oxide film 12 is formed on the side surface of the selection gate 6, and a sidewall-shaped silicon oxide film 9 and the silicon oxide film 12 are formed on a side surface of the memory gate 8.例文帳に追加

選択ゲート６の側面にはサイドウォール状の酸化シリコン膜１２が形成されており、メモリゲートの側面にはサイドウォール状の酸化シリコン膜９と酸化シリコン膜１２とが形成されている。 - 特許庁

Since a nitride film is not formed between the buffer silicon oxide film and a base substrate 1 when nitride treatment is performed to the buffer silicon oxide film, the buffer silicon oxide film can be surely peeled, when the gate insulating film 63 is formed.例文帳に追加

バッファシリコン酸化膜は窒化処理が行われても、下地基板１との間に窒化膜が形成されないので、ゲート絶縁膜６３を形成する際にはバッファシリコン酸化膜は確実に剥離できる。 - 特許庁

The multilayered silicon oxide film is nitrided through a plasma nitriding method into silicon oxide nitride films 5 and 6, so that the multilayered silicon oxide nitride film whose upper part gets higher in nitrogen concentration than its lower part can be formed.例文帳に追加

この多層シリコン酸化膜をプラズマ窒化法などにより窒化してシリコン酸化窒化膜５、６を形成し、上層ほど窒素濃度が高い窒素濃度プロファイルを有する多層シリコン酸化窒化膜を形成する。 - 特許庁

The film and/or sheet is preferably an organic polymer coated with diamond-like carbon, modified carbon, titanium oxide, silicon oxide, ceramic oxide, silicon carbide, or silicon nitride.例文帳に追加

フィルム及び／又はシートはダイヤモンドライクカーボン被膜、変性カーボン被膜、酸化チタン被膜、酸化珪素被膜、セラミック被膜、炭素化珪素被膜又は窒化珪素被膜が施された有機ポリマーであることが好ましい。 - 特許庁

A sidewall-like silicon oxide film 12 is formed on the side face of the selection gate 6, and the sidewall-like silicon oxide film 9 and silicon oxide film 12 are formed on the side face of the memory gate.例文帳に追加

選択ゲート６の側面にはサイドウォール状の酸化シリコン膜１２が形成されており、メモリゲートの側面にはサイドウォール状の酸化シリコン膜９と酸化シリコン膜１２とが形成されている。 - 特許庁

In the MOS transistor 31, a silicon oxide film at a drain region 43 side is made thick by laminating first and second silicon oxide films 39, 40 a silicon oxide film of a lower part of a gate 41.例文帳に追加

このＭＯＳトランジスタ３１では、ゲート４１下部のシリコン酸化膜において、第１および第２のシリコン酸化膜３９、４０を重ねることでドレイン領域４３側のシリコン酸化膜を厚く形成する。 - 特許庁

A silicon nitride film 4 is formed on surfaces of metal interconnection 3 that are exposed from a silicon oxide film 2 and on the silicon oxide film 2, and opening parts 5, 6 through which the metal interconnection 3 and the silicon oxide film 2 are exposed in this silicon nitride film 4 respectively are formed.例文帳に追加

表面がシリコン酸化膜２から露出した金属配線３の表面上及びシリコン酸化膜２上にシリコン窒化膜４を形成し、このシリコン窒化膜４に金属配線３及びシリコン酸化膜２を露出する夫々開口部５、６を形成する。 - 特許庁

The abrasive particle is preferably formed of a non-ferromagnetic body having magnetic anisotropy, and more preferably at least one selected from aluminum oxide, silicon oxide, zirconium oxide, titanium oxide, silicon carbide, boron carbide, silicon nitride, boron nitride, and diamond.例文帳に追加

研磨材粒子は磁気異方性を有する非強磁性体が好ましく、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化チタン、炭化ケイ素、炭化ホウ素、窒化ケイ素、窒化ホウ素及びダイヤモンドより選ばれる少なくとも一種がより好ましい。 - 特許庁

A thin etching stopper film 18 (silicon nitride film) and an inter-layer insulating film 19 (silicon oxide film) are formed on oxide barrier films 16 and inter-layer insulating films 17 (silicon oxide films), and then, openings larger than the oxide barrier films are formed by dry etching immediately above the oxide barrier films 16.例文帳に追加

酸素バリア膜１６、層間絶縁膜１７（酸化シリコン膜）上に、薄いエッチングストッパー膜１８（窒化シリコン膜）、層間絶縁膜１９（酸化シリコン膜）を形成し、酸素バリア膜１６の直上にそれより大きい開口部をドライエッチングにより形成する。 - 特許庁

A silicon oxide film 17 is formed on the surface of the silicon substrate 1 where the silicon oxide film 15 is protruded.例文帳に追加

突出したシリコン酸化膜１５の外壁及び先端部、並びにシリコン酸化膜１５が突出している側のシリコン基板１の表面にシリコン酸化膜１７が形成されている。 - 特許庁

After forming an opening on a silicon oxide film 5 and a silicon nitride film on a SOI layer 4, the silicon oxide film 5 is selectively etched to form a recessed portion 7a.例文帳に追加

ＳＯＩ層４上のシリコン酸化膜５及びシリコン窒化膜６に開口部を形成した後、シリコン酸化膜５を選択エッチングして、くぼみ部７ａを形成する。 - 特許庁

Preferably, the bottom silicon oxide film HTO1, the intermediate silicon nitride film SiN and the top silicon oxide film HTO2 are successively formed by using the same semiconductor manufacturing device.例文帳に追加

好適には、ボトム酸化シリコン膜ＨＴＯ１、中間窒化シリコン膜ＳｉＮ、トップ酸化シリコン膜ＨＴＯ２の成膜を、同一の半導体製造装置を用いて連続して行う。 - 特許庁

A substrate 101 composed of crystalline silicon comprises a silicon oxide film 102 thereon, and the silicon oxide film 102 comprises through-holes 104 arranged at a predetermined interval therein.例文帳に追加

結晶シリコンからなる基板１０１の上に、シリコン酸化膜１０２を備え、シリコン酸化膜１０２には、所定の間隔で配列された貫通孔１０４を備えている。 - 特許庁

In this process, the primary insulating film is formed as a silicon oxide film 13 wherein its top surface remains in at least a silicon-rich state, while the secondary insulating film is formed as a silicon oxide film 14.例文帳に追加

ここで、第１の絶縁膜は、少なくとも表面がシリコンリッチとなるようにシリコン酸化膜１３を形成し、第２の絶縁膜は、シリコン酸化膜１４を形成する。 - 特許庁

An electlet silicon oxide film 7 formed on a silicon substrate 6 is sandwiched by an insulating film 9 and a metal film 8, thereby preventing the silicon oxide film 7 from being exposed.例文帳に追加

シリコン基板６上に形成したエレクトレットシリコン酸化膜７を、絶縁膜９と金属膜８にて挟み込み、シリコン酸化膜７を露出させない構造とする。 - 特許庁

The method comprises at least two liquid chemical treatment processes, where one treatment converts silicon carbide to silicon oxide, and another treatment removes silicon oxide.例文帳に追加

この方法は、少なくとも２つの液体化学処理工程を含み、一方の処理により炭化ケイ素を酸化ケイ素に転化し、もう一方の処理により酸化ケイ素を除去する。 - 特許庁

The second dielectric layer 204 has a structure laminating a first silicon oxide film 104a, a silicon nitride film 104b, and a second silicon oxide film 104c in this order.例文帳に追加

第２の誘電体層２０４は、第１のシリコン酸化膜１０４aと、シリコン窒化膜１０４bと、第２のシリコン酸化膜１０４cとが順に積層された構造を有する。 - 特許庁

On a silicon substrate 111, a silicon oxide film 112 having 2 to 6 nm for film thickness is formed and on the silicon oxide film 112, and a polysilicon film 113 is provided.例文帳に追加

シリコン基板１１１上には、膜厚２ｎｍ〜６ｎｍのシリコン酸化膜１１２を形成し、このシリコン酸化膜１１２上にはポリシリコン膜１１３を設けている。 - 特許庁

A second dopant is injected into the silicon oxide film, and a second doped region is formed at a part of the first surface of the silicon substrate which corresponds to the second silicon oxide film.例文帳に追加

シリコン酸化膜には第２ドーパントが注入され、第２ドープされた領域が、第２シリコン酸化膜に対応するシリコン基板の第１面の部分に形成される。 - 特許庁

The silicon nitride film 11 is formed on the silicon oxide film 3 as an antioxidation film so that the silicon oxide film 3 may be exposed in the bottom surface 2B of the groove 2.例文帳に追加

そして、シリコン酸化膜３が溝２の底面２Ｂにおいて露出するように当該シリコン酸化膜３上に酸化防止膜としてシリコン窒化膜１１を形成する。 - 特許庁

The silicon nitride film 3, silicon oxide film 2 and semiconductor substrate 1 are etched sequentially with the use of a photoresist 4 to make a groove pattern and embed a silicon oxide film 5 therein.例文帳に追加

フォトレジスト４を用いて表面のシリコン窒化膜３、シリコン酸化膜２、半導体基板１を順次エッチングして溝パターンを形成し、シリコン酸化膜５を埋め込む。 - 特許庁

After a silicon oxide film 51 is formed on a semiconductor wafer W, nitrogen is introduced into the silicon oxide film 51 to form a silicon oxynitride film 52 on the semiconductor wafer W.例文帳に追加

半導体ウエハＷ上にシリコン酸化膜５１を形成した後、シリコン酸化膜５１に窒素を導入して、半導体ウエハＷ上にシリコン酸窒化膜５２を形成する。 - 特許庁

To etch a silicon-containing film such as a silicon film or a silicon oxide film at a high rate without leaving residues, while suppressing etching of a base film.例文帳に追加

下地膜のエッチングを抑制しつつ、シリコン又は酸化シリコンのシリコン含有膜を残渣無く、かつ高レートでエッチングする。 - 特許庁

Firstly, an amorphous silicon film 2 of 10 nm or thinner and a silicon oxide film 3 which serves as a cap are formed on a silicon carbide substrate 1.例文帳に追加

まず、炭化珪素基板１上に１０ｎｍ以下のアモルファスシリコン膜２、キャップとなるシリコン酸化膜３を形成する。 - 特許庁

To provide precursors suitable for forming metal silicon nitride base film, or metal silicon oxide or metal silicon oxynitride base film.例文帳に追加

金属窒化ケイ素ベース膜、金属酸化ケイ素又は金属酸窒化ケイ素ベース膜を形成させるために好適な前駆体の提供。 - 特許庁