「p- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

P-TYPE DIFFUSION LAYER FORMING COMPOSITION, METHOD FOR MANUFACTURING P-TYPE DIFFUSION LAYER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL ELEMENT例文帳に追加

ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 - 特許庁

A heavily doped p-type contact layer 4 is formed in the p-type impurity layer 2 so as to decrease a contact resistance.例文帳に追加

ｐ型不純物層２内には、コンタクト抵抗を下げるための高濃度のｐ型コンタクト層４が形成される。 - 特許庁

The time and temperature of annealing depends on an interval of the exposed surface of the p-type layer and a thickness of the p-type layer.例文帳に追加

アニール時間及び温度はｐ型層の露出させた面の間隔及びｐ型層の厚さに依存する。 - 特許庁

A p-side electrode 15 is formed on a surface of the p-type semiconductor layer 11 on the side opposite to the light emitting layer 12.例文帳に追加

ｐ型半導体層１１の発光層１２と反対側の面にｐ側電極１５を形成する。 - 特許庁

Then, a resist layer is applied on the p-type substrate 1, and n-type impurity ions are implanted into the p-type substrate 1 from above the resist layer.例文帳に追加

次に、ｐ型基板１上に、レジストを形成し、レジスト上方からｎ型不純物イオンを注入する。 - 特許庁

Furthermore, a p-electrode 3 is formed on the p-type layer 2a, and an n-electrode 4 is formed on the n-type layer 2b.例文帳に追加

ｐ型層２ａ上にｐ電極３が形成され、ｎ型層２ａ上にｎ電極４が形成される。 - 特許庁

A P type diffusion layer 9 is formed to the cathode region side and coupled with the P type diffusion layer 7.例文帳に追加

そして、Ｐ型の拡散層７と連結し、カソード領域側へとＰ型の拡散層９が形成されている。 - 特許庁

Subsequently, after a step of forming the p-type contact layer 8, the p-type contact layer 8 is processed into a mesa shape.例文帳に追加

次いで、ｐ型コンタクト層８を形成する工程の後、ｐ型コンタクト層８をメサ形状に加工する。 - 特許庁

The polyurethane sheet 2 has a skin layer 2a at the holding surface P side, and a nap layer 2b at the back surface side of the holding surface P.例文帳に追加

ポリウレタンシート２は、保持面Ｐ側にスキン層２ａ、保持面Ｐの裏面側にナップ層２ｂを有している。 - 特許庁

A first p-type clad layer 96a in a p-type clad layer 96 provided on the active layer 15 comprises a p-type nitride semiconductor containing aluminum and gallium and a second p-type clad layer 96b comprises a similar p-type nitride semiconductor having a band gap larger than that of the first p-type clad layer 96a.例文帳に追加

活性層（１５）上に設けられるｐ型クラッド層９６のうち、第１のｐ型クラッド層（９６ａ）をアルミニウムとガリウムを含むｐ型窒化物半導体で形成し、第２のｐ型クラッド層（９６ｂ）を同様のｐ型窒化物半導体であるが、第１のｐ型クラッド層（９６ｂ）よりもバンドギャップの大きいもので形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a substrate having a p-type semiconductor layer capable of avoiding deterioration in the film quality of the p-type semiconductor layer and activating p-type impurities in the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型半導体層の膜質の劣化を避けるとともに、ｐ型半導体層におけるｐ型不純物の活性化を可能とする、ｐ型半導体層を備える基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The variable wavelength element section has an n-InP lower clad layer 18, a variable wavelength layer 20, an i-InP layer 22, an active layer 24, a p-InP spacer layer 26, a p-diffraction grating 28, and a p-InP buried layer 30 on the substrate.例文帳に追加

波長可変素子部は、基板上に、ｎ−ＩｎＰ下部クラッド層１８、波長可変層２０、ｉ−ＩｎＰ層２２、活性層２４、ｐ−ＩｎＰスペーサ層２６、ｐ−回折格子２８、及びｐ−ＩｎＰ埋め込み層３０を備える。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer 11 includes an n-type GaN clad layer 14 and an n-type InGaN guide layer 15, and the p-type semiconductor layer 12 includes a p-type AlGaN electron block layer 16 and a p-type GaN guide contact layer 17.例文帳に追加

ｎ型半導体層１１はｎ型ＧａＮクラッド層１４およびｎ型ＩｎＧａＮガイド層１５を含み、ｐ型半導体層１２はｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層１６およびｐ型ＧａＮガイド・コンタクト層１７を含む。 - 特許庁

On the n-type GaN layer 12 and the p-type GaN layer 13; an n-type GaN layer 14, an active layer 15, a p-type AlGaN layer 16, and a p-type GaN layer 17 are made to grow to form a light-emitting diode structure.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ層１２およびｐ型ＧａＮ層１３上に、ｎ型ＧａＮ層１４、活性層１５、ｐ型ＡｌＧａＮ層１６およびｐ型ＧａＮ層１７を成長させて発光ダイオード構造を形成する。 - 特許庁

The laser part 2 and the light deflection part 3 are configured by successively laminating an n-type clad layer, an n-type guide layer, a multiple quantum well layer, a p-type guide layer, a p-type clad layer and a p-type contact layer on an n-GaAs substrate.例文帳に追加

またレーザ部２及び光偏向部３は、ｎ−ＧａＡｓ基板上に、ｎ型クラッド層、ｎ型ガイド層、多重量子井戸層、ｐ型ガイド層、ｐ型クラッド層、ｐ型コンタクト層が順次積層されて構成されている。 - 特許庁

A p-type GaP layer 14 lies between the active layer 13 and the upper clad layer 15.例文帳に追加

活性層１３と上部クラッド層１５との間にはｐ型ＧａＰ層１４が介在している。 - 特許庁

The first huge magnetoresistance effect element is equipped with a fixed layer P, a spacer layer S and a free layer F.例文帳に追加

第１巨大磁気抵抗効果素子は、固定層Ｐ、スペーサ層Ｓ及びフリー層Ｆを備える。 - 特許庁

The laminate 40 comprises a p-type clad layer 1', an active layer 2', and an n-type clad layer 3'.例文帳に追加

積層体４０は、ｐ型クラッド層１’、活性層２’およびｎ型クラッド層３’から成っている。 - 特許庁

An n-type layer 21 and a p-type layer 22 are formed in sequence on a CrN layer 13 (Fig.1(c)).例文帳に追加

ＣｒＮ層１３上に、ｎ型層２１、ｐ型層２２を順次成膜する（図１（ｃ））。 - 特許庁

An n^- type SiC layer 2 or a p^- type SiC layer 4 is insulated separated in an insulation separating layer 3.例文帳に追加

絶縁分離層３にてｎ^-型ＳｉＣ層２やｐ^-型ＳｉＣ層４を絶縁分離する。 - 特許庁

A P^+-type contact layer 19 is formed between the source layer 17 and the drain layer 18.例文帳に追加

また、ソース層１７とドレイン層１８との間に、Ｐ^＋型のコンタクト層１９を形成する。 - 特許庁

An electron barrier layer 16 is formed between an active layer 14 and a first p-type clad layer 17.例文帳に追加

活性層１４と第１ｐ型クラッド層１７との間に電子障壁層１６を設ける。 - 特許庁

The alternate hetero-junction layer 5 is sandwiched by the p-type layer 1 and the n-type layer 2.例文帳に追加

当該交互ヘテロ接合層５は、ｐ型層１とｎ型層２とにより挟持されている。 - 特許庁

The light-emitting layer is provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

発光層は、前記ｎ形半導体層と前記ｐ形半導体層との間に設けられる。 - 特許庁

The n-side reflection prevention layer 2 and the p-side Bragg reflection layer 4 also work as a contact layer.例文帳に追加

ｎ側反射防止層２及びｐ側ブラッグ反射層４は、コンタクト層の役割も兼ねている。 - 特許庁

Then an n- buffer layer 22 and a p+ collector layer 23 are formed on the surface of the n- drift layer 21.例文帳に追加

ｎ^−ドリフト層２１の表面にｎ^＋バッファ層２２とｐ^＋コレクタ層２３を形成する。 - 特許庁

An N-type buffer layer 6 is provided between the N^--type drift layer 1 and the P-type anode layer 2.例文帳に追加

Ｎ^−型ドリフト層１とＰ型アノード層２の間にＮ型バッファ層６が設けられている。 - 特許庁

A p-type carrier retaining layer 105 is formed between the collector layer 104 and the emitter layer 106.例文帳に追加

コレクタ層１０４とエミッタ層１０６との間に、ｐ型キャリア保持層１０５が形成されている。 - 特許庁

The light-emitting layer is provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

前記発光層は、前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間に設けられる。 - 特許庁

The semiconductor layer 24 includes a p+ type semiconductor layer 24c and an n+ type semiconductor layer 24a.例文帳に追加

半導体層２４は、ｐ＋型半導体層２４ｃと、ｎ＋型半導体層２４ａとを備える。 - 特許庁

An n-type clad layer 4, an active layer 5, and a p-type clad layer are successively laminated in the Z direction.例文帳に追加

Ｚ方向にｎ型クラッド層４、活性層５およびｐ型クラッド層を順次積層する。 - 特許庁

A p-type GaN layer 10 is stacked on an n^- type GaN layer 6, an aperture 28 penetrating through the p-type GaN layer 10 is formed on the p-type GaN layer 10, and an n-type GaN layer 26 is filled in the aperture 28.例文帳に追加

ｎ^−型のＧａＮ層６にp型のＧａＮ層１０が積層されており、ｐ型のＧａＮ層１０にｐ型のＧａＮ層１０を貫通するアパーチャー２８が形成されており、そのアパーチャー２８にｎ型のＧａＮ層２６が充填されている。 - 特許庁

A p-type contact layer 7 of the film thickness of about 1,200Å made of an Mg doped p-type GaN is formed on the p-type cladding layer 6.例文帳に追加

ｐ型クラッド層６の上にはＭｇドープのｐ型ＧａＮから成る膜厚約１２００Åのｐ型コンタクト層７が形成されている。 - 特許庁

Subsequently, a p-electrode 12 is formed on the p-type layer 13, and the p-electrode 12 is bonded to a support substrate 10 via a metal layer 11.例文帳に追加

次に、ｐ型層１３上にｐ電極１２を形成し、ｐ電極１２と支持基板１０とを金属層１１を介して接合する。 - 特許庁

In a semiconductor laser element 501, an N-clad layer 11, an N-optical guide layer 12, an MQW layer 13, a P-cap layer 14, a P-optical guide layer 15, a P-clad layer 16, an N-current block layer 17 and a P-contact layer 18 are laminated in order on one surface of a transparent substrate 100.例文帳に追加

半導体レーザ素子５０１は、透明基板１００の一方の面上にｎ−クラッド層１１、ｎ−光ガイド層１２、ＭＱＷ活性層１３、ｐ−キャップ層１４、ｐ−光ガイド層１５、ｐ−クラッド層１６、ｎ−電流ブロック層１７およびｐ−コンタクト層１８が順に積層されてなる。 - 特許庁

An n-type buffer layer 102, n-type first clad layer 103, MQW active layer 104, p-type second clad layer 105, p-type etch stop layer 106 of energy band gap smaller than that of this second clad layer 105, p-type third clad layer 107 comprising the ridge part, and p-type protection layer 108 are provided on a GaAs substrate 101.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ型バッファ層１０２、ｎ型第１クラッド層１０３、ＭＱＷ活性層１０４、ｐ型第２クラッド層１０５、この第２クラッド層１０５よりもエネルギーバンドギャップの小さいｐ型エッチング停止層１０６、リッジ部を構成するｐ型第３クラッド層１０７、ｐ型保護層１０８を備える。 - 特許庁

The first layer of the p-type GaAs layers contacts the p-type band-discontinuity relaxation layer 10 and the m+1 th layer of the GaAs layers contacts a first electrode 14.例文帳に追加

ｐ型ＧａＡｓ層は１層目がｐ型バンド不連続緩和層１０に、ｍ＋１層目が第１電極１４に接している。 - 特許庁

The p-type base layer monotonously decreases in impurity density from an upper-end part 4B of the p-type base layer toward the n-type base layer.例文帳に追加

ｐ形ベース層の不純物濃度は、ｐ形ベース層の上端部４Ｂからｎ形ベース層に向かって単調減少する。 - 特許庁

On the other side of the semiconductor substrate 11, a P-type base layer 14, an N-type emitter layer 15, and a P-type contact layer 16 are formed.例文帳に追加

半導体基板１１の他面側には、Ｐ型ベース層１４、Ｎ型エミッタ層１５及びＰ型コンタクト層１６が形成される。 - 特許庁

The second p-side wiring layer has a p-side external terminal exposed from the first insulating layer and second insulating layer on the third surface.例文帳に追加

第２のｐ側配線層は、第３の面で第１の絶縁層及び第２の絶縁層から露出されたｐ側外部端子を有する。 - 特許庁

A buffer layer 11, a p-type semiconductor layer 12 and a p-type contact layer 13 are laminated on one side of a substrate 10 in this order.例文帳に追加

基板１０の一面側に、バッファ層１１、ｐ型半導体層１２およびｐ型コンタクト層１３がこの順に積層されている。 - 特許庁

A p-type source diffusion layer 10, a p-type drain diffusion layer 11 and an intermediate layer 12 are formed sideward of each electrode part 8, 18.例文帳に追加

各電極部８，１８の側方に、ｐ型ソース拡散層１０，ｐ型ドレイン拡散層１１及び中間拡散層１２を形成する。 - 特許庁

The p-side contact layer includes a plurality of protrusions protruding in a first direction toward the p-type semiconductor layer from the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ側コンタクト層は、ｎ形半導体層からｐ形半導体層に向かう第１方向に突出した複数の突起部を含む。 - 特許庁

A current diffusion layer D, a P-type gallium nitride layer P, and an N-type gallium nitride layer N are etched at the same time until a substrate B is exposed.例文帳に追加

基板Ｂが露出するまで電流拡散層Ｄ、ｐ型窒化ガリウム層Ｐ、及びｎ型窒化ガリウム層Ｎを一度にエッチングする。 - 特許庁

The first p-type group III nitride semiconductor layer 27 is provided between the second p-type group III nitride semiconductor layer 29 and the active layer 25.例文帳に追加

第１ｐ型III族窒化物半導体層２７は第２ｐ型III族窒化物半導体層２９と活性層２５との間に設けられる。 - 特許庁