「p- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor laser element includes an n-type clad layer 102, an active layer 103, a p-type clad layer 104, and a p-type contact layer 105 which are formed on the surface of an n-type GaN substrate 101, and a p-type ohmic electrode 106 formed on the upper surface of the p-type contact layer 105.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ基板１０１の一面上にｎ型クラッド層１０２、活性層１０３、ｐ型クラッド層１０４、およびｐ型コンタクト層１０５が形成され、ｐ型コンタクト層１０５の上面にｐ型オーミック電極１０６が形成されている。 - 特許庁

Further, the p^+-type isolation layer 11 is in contact with the channel stopper 3.例文帳に追加

また、ｐ^+型分離層１１は、チャネルストッパー３に接する。 - 特許庁

The p-type silicon layer 132 is left therein as it is.例文帳に追加

なお、ｐ型シリコン層１３２は、このまま残るようにする。 - 特許庁

A p-type well 3 is formed on the upper layer of a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１上層にｐ型ウェル３を形成する。 - 特許庁

After a p-type high-concentration semiconductor layer 21 is grown, the heat treatment 25 of the p-type high-concentration semiconductor layer 21 is carried out.例文帳に追加

ｐ型高濃度半導体層２１を成長した後に、ｐ型高濃度半導体層２１の熱処理２５を行う。 - 特許庁

The signal line P is formed on the insulting layer 41.例文帳に追加

また、絶縁層４１上に信号線路Ｐが形成される。 - 特許庁

The coating layer 2 is constituted of electroless Ni-P plating.例文帳に追加

被覆層（２）は、無電解Ｎｉ−Ｐめっきで構成される。 - 特許庁

The p^- layer 7 is electrically connected to the collector electrode 8.例文帳に追加

ｐ^-層７は、コレクタ電極８と電気的に接続される。 - 特許庁

A surface of the skin layer 2a forms a polishing surface P.例文帳に追加

スキン層２ａの表面が研磨面Ｐを形成している。 - 特許庁

An insulation film 24 is formed on the p-type clad layer.例文帳に追加

ｐ型クラッド層上に絶縁膜２４が形成されている。 - 特許庁

COMPOSITION FOR FORMING P-TYPE DIFFUSION LAYER, METHOD OF PRODUCING P-TYPE DIFFUSION LAYER, METHOD OF MANUFACTURING SOLAR CELL ELEMENT, AND SOLAR CELL例文帳に追加

ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、太陽電池素子の製造方法、及び太陽電池 - 特許庁

Then, a "p" contact layer is grown on the "p" clad layer at third temperature (800 to 900°C) lower than the second temperature.例文帳に追加

その後、ｐクラッド層の上にｐコンタクト層を第２の温度より低い第３の温度（８００〜９００℃）で成長させる。 - 特許庁

A p-type buried layer 3' is provided in an n-type buried layer 2 provided on a p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｐ型の半導体基板１に設けられたｎ型埋め込み層２には、ｐ型埋め込み層３´が設けられている。 - 特許庁

The surface of the skin layer 2a forms a polishing face P.例文帳に追加

スキン層２ａの表面が研磨面Ｐを形成している。 - 特許庁

A P-type guard band layer 14 is formed so as to convolute with a P+-type guard band layer 13 while containing it.例文帳に追加

Ｐ−型ガードバンド層１４がＰ＋ガードバンド層１３に重畳されこれを包含するように形成されている。 - 特許庁

Further, a transparent p-AlGaN third clad layer 10 and a p-GaN contact layer 11 are grown in this order.例文帳に追加

さらに、透明なｐ−ＡｌＧａＮ第３クラッド層１０およびｐ−ＧａＮコンタクト層１１を順に成長させる。 - 特許庁

Furthermore, the thickness of the first p-type contact layer 16a and that of the second p-type contact layer 16b is totally 20 to 300 nm.例文帳に追加

また、第１ｐ型コンタクト層１６ａと第２ｐ型コンタクト層１６ｂの厚さの合計は、２０〜３００ｎｍである。 - 特許庁

A p-side electrode 41 and a first conductive junction layer 42 are formed in sequence over the entire surface of the p-type layer 22 (Fig.1(e)).例文帳に追加

ｐ型層２２の全面に、ｐ側電極４１、第１の導電性接合層４２を順次形成する（図１（ｅ））。 - 特許庁

Subsequently, the surface side of the N-type substrate 10 is planarized (FIG.2(d)) to make the P type epitaxial layer 12 be a P type layer 3.例文帳に追加

この後、Ｎ型基板１０の表面側を平坦化し（図２（ｄ））、Ｐ型エピタキシャル層１２をＰ型層３とする。 - 特許庁

A p+ layer 10 is formed in a channel region 4.例文帳に追加

チャネル領域４にはｐ＋層１０が形成されている。 - 特許庁

The p-type layer 16 contains phosphorus as dopant.例文帳に追加

このｐ形層１６がドーパントとしてリンを含有している。 - 特許庁

A p-type distorted silicon layer 22 is formed on a p-type silicon-germanium layer 24 formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたｐ型シリコン−ゲルマニウム層２４にｐ型歪シリコン層２２が形成されている。 - 特許庁

ACTIVATION METHOD OF POTASSIUM NITRIDE-BASED P-TYPE COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

窒化ガリウム系ｐ型化合物半導体層の活性化法 - 特許庁

The other N^- layer or the insulting oxide layer can be arranged between the P^-- substrate 11 and the P^- region 13.例文帳に追加

他のＮ^−層または絶縁酸化物層を、Ｐ^−−基板１１とＰ^−領域１３の間に配置することができる。 - 特許庁

The P-type layer 11 is connected to an emitter electrode 9.例文帳に追加

Ｐ型層１１はエミッタ電極９に接続されている。 - 特許庁

An N^+ contact layer 10 is formed spaced and substantially parallel to the P base layer 5 on the surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の表面にPベース層５と離間して概略平行にＮ^＋コンタクト層１０が形成されている。 - 特許庁

GROUP III NITRIDE LIGHT EMITTING DEVICE HAVING P TYPE ACTIVE LAYER例文帳に追加

ｐ型活性層を有するＩＩＩ族窒化物発光装置 - 特許庁

In a third embodiment, the P-transition layer is a superlattice.例文帳に追加

第３実施形態では、Ｐ型遷移層は超格子である。 - 特許庁

A Ti protection layer 51 is formed on the p-side electrode 5.例文帳に追加

ｐ側電極５上にＴｉ保護膜５１を形成する。 - 特許庁

In the semiconductor device, a P-N junction between a p type semiconductor layer 11 and an n type semiconductor layer 12 forms a photodiode.例文帳に追加

ｐ型半導体層１１とｎ型半導体層１２とのＰＮ接合によってフォトダイオードが構成されている。 - 特許庁

Consequently, the p layer can be activated by the effect of substrate heating, and the excellent p^+ collector layer can be formed.例文帳に追加

これにより、基板加熱の効果でｐ層を活性化することができ、良好なｐ^+コレクタ層を形成することができる。 - 特許庁

A second conductor layer 102 is a p-type semiconductor layer that has 4H-SiC as a main composition, and includes p-type impurities.例文帳に追加

第２導電体層１０２は、４Ｈ−ＳｉＣを主組成とし、Ｐ型不純物を含むＰ型半導体層である。 - 特許庁

The p-type clad layer 54 and the buried layer 56 are made of group III-V compound semiconductor containing p-type first dopant.例文帳に追加

ｐ型クラッド層５４及び埋め込み層５６はｐ型の第１ドーパントを含むIII−Ｖ族化合物半導体からなる。 - 特許庁

Impurity concentration of the p-type first doped layer 52 is set lower than that of the p-type second doped layer 54.例文帳に追加

ｐ型第１ドープ層５２の不純物濃度は、ｐ型第２ドープ層５４の不純物濃度より低くなるようにする。 - 特許庁

A thin p+ diffusion layer is made between the outermost trenches.例文帳に追加

最外側のトレンチ間に薄いｐ^＋拡散層を形成する。 - 特許庁

The light emitting element 1 has an emission layer part where a p-type clad layer 2, an active layer 33 and an n-type clad layer 34 are formed sequentially in this order and the p-type clad layer 2 comprises a p-type MgxZn1-xO layer (0<x≤1).例文帳に追加

発光素子１は、ｐ型クラッド層２、活性層３３及びｎ型クラッド層３４がこの順序にて積層された発光層部を有し、かつｐ型クラッド層２がｐ型Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（ただし、０＜ｘ≦１）層からなる。 - 特許庁

The stripe structure 18 is buried by a p-type InP buried layer 19, an n-type InP buried layer 20, and a p-type InP buried layer 21.例文帳に追加

ストライプ構造１８をｐ型ＩｎＰ埋込層１９、ｎ型ＩｎＰ埋込層２０およびｐ型ＩｎＰ埋込層２１で埋め込む。 - 特許庁

The light emitting element 100 has a p-electrode 103, a p-type layer 104, an active layer 105, and an n-type layer 106 on a ceramic substrate 101.例文帳に追加

発光素子１００は、セラミック基板１０１上にｐ電極１０３、ｐ型層１０４、活性層１０５、ｎ型層１０６を有している。 - 特許庁

A P-type contact layer 101 and a first electrode layer 113 are formed on a ridge part 120 provided in a P-type clad layer 112.例文帳に追加

ｐ型クラッド層１１２に設けられたリッジ部１２０の上に、ｐ型コンタクト層１０１および第一の電極層１１３を形成する。 - 特許庁

An n-type drift layer 13 and a p-type base layer 15 are formed adjacent on the surface of a p-type semiconductor active layer 11.例文帳に追加

ｐ型の半導体活性層１１の表面にｎ型のドリフト層１３とｐ型のベース層１５とが互いに隣接するように形成される。 - 特許庁

A contact interface of a p-type superlattice layer 1 and a light active layer 2 is nonparallel, especially vertical to a laminating plane of the p-type superlattice layer 1.例文帳に追加

ｐ型超格子層１と光能動層２との接触界面を、ｐ型超格子層１の積層面と非平行に、特に、垂直にする。 - 特許庁

A p-type body layer 12 is formed on a semiconductor substrate 11, and an n^--type offset layer 13 is formed to adjoin the p-type body layer 12.例文帳に追加

半導体基板１１上に、ｐ-型ボディ層１２が形成され、ｐ-型ボディ層１２に隣接してｎ-型オフセット層１３が形成されている。 - 特許庁

An emitter electrode 18 contacts the N-type emitter layer 15 and the P-type contact layer 16, while a collector electrode 21 contacts the P-type contact layer 10.例文帳に追加

エミッタ電極１８は、Ｎ型エミッタ層１５及びＰ型コンタクト層１６にコンタクトし、コレクタ電極２１は、Ｐ型コレクタ層１０にコンタクトする。 - 特許庁

A p-type InP upper clad layer 21 and a p-type InP cap layer 22 are laminated on the mesa and the n-type InP contact layer 20.例文帳に追加

メサ及びｎ−ＩｎＰコンタクト層２０上にｐ−ＩｎＰ上部クラッド層２１、及びｐ−ＩｎＰキャップ層２２が積層されている。 - 特許庁

On the substrate 601, an AlN buffer layer 602, an undope GaN layer 603, an undope AlGaN layer 604, a first p-type AlGaN layer 605, a second p-type AlGaN layer 607, and a high density p-type GaN layer 608 are formed sequentially; and a gate electrode 611 carries out ohmic contact with the high density p-type GaN layer 608.例文帳に追加

基板６０１上にＡｌＮバッファ層６０２、アンドープＧａＮ層６０３、アンドープＡｌＧａＮ層６０４、第１のｐ型ＡｌＧａＮ層６０５、第２のｐ型ＡｌＧａＮ層６０７、高濃度ｐ型ＧａＮ層６０８が順に形成され、ゲート電極６１１が高濃度ｐ型ＧａＮ層６０８とオーミック接合する。 - 特許庁